公开(公告)号：DE112012005285T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112012005285

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASAKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine nahinfrarot(NIR)-Dünnschichtzusammensetzung zur Verwendung bei einer vertikalen Ausrichtung und Korrektur in der Strukturierung von integrierten Halbleiter-Wafern und auf ein Strukturierungsausbildungsverfahren unter Verwendung der Zusammensetzung. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung beinhaltet einen NIR-absorbierenden Farbstoff, der ein Polymethinkation und ein vernetzbares Anion aufweist, ein vernetzbares Polymer und ein Vernetzungsmittel. Das Strukturierungsausbildungsverfahren beinhaltet ein Ausrichten und Fokussieren einer Fokalebenenposition einer Photolackschicht durch Erfassen von Nahinfrarotemissionen, die von einem Substrat reflektiert werden, das die Photolackschicht und eine NIR-absorbierende Schicht enthält, die aus der NIR-absorbierenden Dünnschichtzusammensetzung unter der Photolackschicht ausgebildet ist. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung und das Strukturierungsausbildungsverfahren sind besonders nützlich zum Ausbilden von Materialstrukturen auf einem Halbleitersubstrat mit einer komplexen vergrabenen Topographie.

公开(公告)号：GB2495826A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：GB201218064

申请日：2012-10-09

Applicant: IBM

Inventor： CHANG JOSEPHINE ,  GUILLORN MICHAEL ,  GLODDE MARTIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: A structure includes a substrate 10 having a carbon nanotube 14 disposed over a surface; the carbon nanotube 14 is partially disposed within a protective electrically insulating layer 16; the structure further includes a gate stack disposed over the substrate 10; a first portion of a length of the carbon nanotube 14 not covered by the protective electrically insulating layer 16 passes through the gate stack; source and drain contacts are disposed adjacent to the gate stack, where second and third portions of the length of carbon nanotube 14 not covered by the protective electrically insulating layer 16 are electrically coupled to the source and drain contacts; the gate stack and the source and drain contacts are contained within the protective electrically insulating layer 16 and within an electrically insulating organic planarization layer 18 that is disposed over the protective electrically insulating layer 16. Also disclosed is a method to fabricate said carbon nanotube-based transistor. Wherein the gate stack may comprise a gate electrode 26 and gate insulator 24, where the gate insulator may comprise a high-k material.

公开(公告)号：DE112010003331T5

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：DE112010003331

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： VYKLICKY LIBOR ,  GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

Abstract: Härtbare flüssige Formulierung, welche das Folgende umfasst: (i) einen oder mehrere Nahinfrarot absorbierende Polymethinfarbstoffe; (ii) ein oder mehrere vernetzbare Polymere und (iii) ein oder mehrere Gießlösungsmittel. Die Erfindung betrifft auch Nahinfrarot absorbierende feste Dünnschichten, die aus vernetzten Formen der härtbaren flüssigen Formulierung zusammengesetzt sind. Die Erfindung betrifft ferner ein mikroelektronisches Substrat, welches eine Beschichtung der Nahinfrarot absorbierenden festen Dünnschicht enthält, sowie ein Verfahren zum Strukturieren einer Photoresistschicht, die auf ein mikroelektronisches Substrat geschichtet wird, für den Fall, dass die Nahinfrarot absorbierende Dünnschicht zwischen dem mikroelektronischen Substrat und einer Photoresist-Dünnschicht angeordnet ist.