公开(公告)号：GB2487492B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201202931

申请日：2010-11-02

Applicant: IBM

Inventor： NING TAK HUNG ,  CAI JIN ,  YAU JENG-BANG ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  DENNARD ROBERT HEATH

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

公开(公告)号：DE102012214668A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012214668

申请日：2012-08-17

Applicant: IBM

Inventor： YAU JENG-BANG ,  GORDON MICHAEL S ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L21/84 ,  G01T1/24 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L27/144 ,  H01L31/119

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit umfasst das Bilden einer Implantationsmaske auf einem Substrat, so dass sich ein erster Abschnitt des Substrats unter der Implantationsmaske befindet und ein zweiter Abschnitt frei liegt; das Durchführen einer Sauerstoffionenimplantation an dem Substrat; das Entfernen der Implantationsmaske; und das Bilden eines ersten Feldeffekttransistors (FET) auf dem ersten Abschnitt des Substrats und das Bilden eines zweiten FET auf dem zweiten Abschnitt des Substrats, wobei der zweite FET eine höhere Strahlungsempfindlichkeit als der erste FET aufweist.

公开(公告)号：DE112010004414T5

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：DE112010004414

申请日：2010-11-02

Applicant: IBM

Inventor： NING TAK HUNG ,  CAI JIN ,  KHAKIFIROOZ ALI ,  DENNARD HEATH ROBERT ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: SOI-CMOS-Strukturen mit mindestens einer programmierbaren elektrisch potentialfreien Rückplatte werden bereitgestellt. Jede elektrisch potentialfreie Rückplatte ist individuell programmierbar. Die Programmierung kann durch die Injektion von Elektronen in jede leitende potentialfreie Rückplatte durchgeführt werden. Die Löschung der Programmierung kann durchgeführt werden, indem die Elektronen aus der potentialfreien Rückplatte ausgetunnelt werden. Mindestens eines von zwei Mitteln kann die Programmierung der elektrisch potentialfreien Rückplatte durchführen. Die beiden Mittel umfassen Fowler-Nordheim-Tunneln und die Injektion energiereicher Elektronen unter Verwendung eines SOI-pFET. Die Injektion der energiereichen Elektronen unter Verwendung eines pFET kann mit einer sehr viel niedrigeren Spannung als die Injektion durch Tunnelelektroneninjektion durchgeführt werden.