公开(公告)号：EP1908105A4

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：EP06749575

申请日：2006-04-07

Applicant: IBM

Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  GORDON MICHAEL S ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L23/556 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/556 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：WO2007011438A2

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：PCT/US2006013173

申请日：2006-04-07

Applicant: IBM ,  CABRAL CYRIL JR ,  GORDON MICHAEL S ,  RODBELL KENNETH P

Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  GORDON MICHAEL S ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/556 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: A structure and a method for reduction of soft error rates in integrated circuits. The structure including: a semiconductor substrate; and a stack of one or more wiring levels stacked from a lowermost wiring level to an uppermost wiring level, the lowermost wiring level nearer the semiconductor substrate than the uppermost wiring level; and an alpha particle blocking layer on a top surface of the uppermost wiring level of the one or more wiring levels, the blocking layer comprising metal wires and a dielectric material, the blocking layer having a combination of a thickness of the blocking layer and a volume percent of metal wires in the blocking layer sufficient to stop a predetermined percentage of alpha particles of a selected energy or less striking the blocking layer from penetrating into the stack of one or more wiring levels or the substrate.

Abstract translation: 降低集成电路中软错误率的结构和方法。 该结构包括：半导体衬底; 以及从最下层布线层到最上布线层叠的一层以上的布线层叠层，比最上布线层更靠近半导体基板的最下布线层; 以及在所述一个或多个布线层的最上布线层的顶表面上的α粒子阻挡层，所述阻挡层包括金属线和介电材料，所述阻挡层具有阻挡层的厚度和体积 阻挡层中的金属线的百分比足以阻止预定百分比的选定能量的α粒子或更少的击穿阻挡层的金属线穿透到一个或多个布线层或衬底的堆叠中。

公开(公告)号：DE102012214668A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012214668

申请日：2012-08-17

Applicant: IBM

Inventor： YAU JENG-BANG ,  GORDON MICHAEL S ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L21/84 ,  G01T1/24 ,  H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01L27/144 ,  H01L31/119

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit umfasst das Bilden einer Implantationsmaske auf einem Substrat, so dass sich ein erster Abschnitt des Substrats unter der Implantationsmaske befindet und ein zweiter Abschnitt frei liegt; das Durchführen einer Sauerstoffionenimplantation an dem Substrat; das Entfernen der Implantationsmaske; und das Bilden eines ersten Feldeffekttransistors (FET) auf dem ersten Abschnitt des Substrats und das Bilden eines zweiten FET auf dem zweiten Abschnitt des Substrats, wobei der zweite FET eine höhere Strahlungsempfindlichkeit als der erste FET aufweist.

公开(公告)号：ZA202103571B

公开(公告)日：2022-08-31

申请号：ZA202103571

申请日：2021-05-26

Applicant: IBM

Inventor： KHAN NAWEED AGHMAD ,  KURIEN TOBY ,  GORDON MICHAEL S ,  WELDEMARIAM KOMMINIST

Abstract: A signal representing a sound can be received. A machine learning model can be run to identify that the sound triggers a reaction in a user hearing the sound. A preventive action can be automatically activated to mitigate the reaction. The user's reactions can be monitored. Responsive to determining that the user's reaction has been mitigated or suppressed, the preventive action can be deactivated. The machine learning model can be retrained using at least the signal as new training data.

公开(公告)号：DE102016218690A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102016218690

申请日：2016-09-28

Applicant: IBM

Inventor： GORDON MICHAEL S ,  NING TAK H ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L21/331 ,  H01L27/102 ,  H01L29/735

Abstract: Ein integrierter Strahlungssensor für ein Erfassen des Vorhandenseins eines Umgebungsmaterials und/oder einer Umgebungsbedingung beinhaltet eine Messstruktur sowie einen ersten und einen zweiten lateralen Bipolartransistor (BJT), die entgegengesetzte Polaritäten aufweisen. Der erste laterale BJT weist eine Basis auf, die mit der Messstruktur elektrisch gekoppelt ist, und ist so konfiguriert, dass er ein Ausgangssignal erzeugt, das indikativ für eine Änderung einer gespeicherten Ladung in der Messstruktur ist. Der zweite laterale BJT ist so konfiguriert, dass er das Ausgangssignal des ersten Bipolartransistors verstärkt. Der erste und der zweite laterale BJT, die Messstruktur sowie das Substrat, auf dem diese ausgebildet sind, weisen eine monolithische Struktur auf.

公开(公告)号：DE102016218690B4

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102016218690

申请日：2016-09-28

Applicant: IBM

Inventor： GORDON MICHAEL S ,  NING TAK H ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L21/331 ,  H01L27/102 ,  H01L29/735

Abstract: Integrierter Strahlungssensor (20; 60; 100; 120; 200; 260), der aufweist:eine Messstruktur;einen ersten lateralen Bipolartransistor (30; 62; 62; 122; 211; 264) mit einer Basis (33; 74; 74; 130; 213; 286), die mit der Messstruktur elektrisch gekoppelt ist, wobei der erste laterale Bipolartransistor so konfiguriert ist, dass er ein Ausgangssignal erzeugt, das indikativ für eine Änderung einer gespeicherten Ladung in der Messstruktur ist, die aus dem Vorhandensein einer Umgebungseigenschaft resultiert;einen zweiten lateralen Bipolartransistor (24; 64; 102; 124; 201; 262), der benachbart zu dem ersten lateralen Bipolartransistor und mit diesem elektrisch verbunden ist, wobei der zweite laterale Bipolartransistor so konfiguriert ist, dass er das Ausgangssignal des ersten lateralen Bipolartransistors verstärkt, wobei der erste laterale Bipolartransistor und der zweite laterale Bipolartransistor entgegengesetzte Polaritäten aufweisen, undein Substrat, wobei der erste laterale Bipolartransistor, der zweite laterale Bipolartransistor und das Substrat eine monolithische Struktur bilden.