公开(公告)号：DE10037447A1

公开(公告)日：2002-03-07

申请号：DE10037447

申请日：2000-07-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRADL STEPHAN ,  GEHRING OLIVER ,  HEITZSCH OLAF

IPC: H01L21/82 ,  G11C27/00 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/173 ,  H01L23/58 ,  H01L29/788

Abstract: The electrical characteristic of a microelectronic circuit configuration that has at least one analog electronic unit is set. In a configuration step, by feeding and/or extracting electrical charge, the analog electronic unit is put into a state which permanently determines the analog electrical characteristics of the unit. In particular, the floating gate of an EEPROM cell is charged up to a freely selectable charge value lying within a continuous range.

公开(公告)号：EP1094607A8

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：EP99120073

申请日：1999-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUDWIG CHRISTOPH DR ,  KUTTER CHRISTOPH DR ,  WOLF KONRAD DR ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD DR ,  WAWER PETER DR ,  SPRINGMANN OLIVER

IPC: H01L21/8247 ,  G11C16/04 ,  H01L21/82 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H03K19/173

CPC classification number: H01L29/7883 ,  G11C16/0441 ,  H01L29/0692

Abstract: Die Erfindung betrifft eine FPGA-Zelle (Z) mit einem Schalt-Transistor (ST) und einem Schreib/Lese-Transistor (S/LT). Durch Verkürzung einer Kanalbreite (K
B ) des Kanalgebiets (K1) des Schalt-Transistors (ST) erhält man eine Verringerung des Platzbedarfs sowie der Schreib/Lese-Spannungen für das Programmieren der FPGA-Zelle (Z).