公开(公告)号：JP2006319362A

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：JP2006197022

申请日：2006-07-19

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： WAWER PETER ,  SPRINGMANN OLIVER ,  WOLF KONRAD ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L29/7883

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory cell (SZ) having a separate tunnel window cell (TF).
SOLUTION: The method includes the step for forming the window cell (TF) having a tunnel zone (TG), a tunnel layer (4), a tunnel window memory layer (T5), a dielectric tunnel window layer (T6), and a tunnel window control electrode layer (T7), and the step for forming a transistor memory cell (TZ) having a channel zone (KG), a gate layer (3), a memory layer (5), a dielectric layer (6), and a control electrode layer (7). By the manufacturing method, the tunnel zone (TG) is formed in a late implantation step by tunnel implantation (I
T ) using the window cell (TF) as a mask. The resulting memory cell has a small area requirement and a high number of program/clear cycles.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造具有单独的隧道窗口单元（TF）的非易失性半导体存储单元（SZ）的方法。 解决方案：该方法包括用于形成具有隧道区（TG），隧道层（4），隧道窗口存储层（T5），电介质隧道窗口层（T6）的窗口单元（TF） ，和隧道窗口控制电极层（T7），以及用于形成具有沟道区（KG）的晶体管存储单元（TZ），栅极层（3），存储层（5），电介质层 6）和控制电极层（7）。 通过制造方法，使用窗口单元（TF）作为掩模，通过隧道注入（I SB> T SB）在后期注入步骤中形成隧道区（TG）。 所得到的存储单元具有小的面积要求和大量的编程/清除周期。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE19929619C2

公开(公告)日：2001-06-28

申请号：DE19929619

申请日：1999-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  HEITZSCH OLAF ,  ROEHRICH MAYK ,  SPRINGMANN OLIVER ,  HUCKELS KAI ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  WOLF KONRAD ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/06

公开(公告)号：DE59914039D1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：DE59914039

申请日：1999-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUDWIG CHRISTOPH DR ,  KUTTER CHRISTOPH DR ,  WOLF KONRAD DR ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD DR ,  WAWER PETER DR ,  SPRINGMANN OLIVER

IPC: H01L21/8247 ,  H03K19/173 ,  G11C16/04 ,  H01L21/82 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

公开(公告)号：BR0011998A

公开(公告)日：2002-03-05

申请号：BR0011998

申请日：2000-05-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  SPRINGMANN OLIVER ,  WOLF KONRAD ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  KAMIENSKI ELARD STEIN VON ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: A method for producing a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window cell includes the step of forming a tunnel zone in a late implantation step by performing a tunnel implantation with the aid of a tunnel window cell as a mask. The resulting memory cell has a small area requirement and a high number of program/clear cycles.

公开(公告)号：DE19840984B4

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：DE19840984

申请日：1998-09-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUDWIG CHRISTOPH ,  KUTTER CHRISTOPH ,  WOLF KONRAD ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  WAWER PETER ,  SPRINGMANN OLIVER

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：DE19929675A1

公开(公告)日：2001-04-12

申请号：DE19929675

申请日：1999-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  HEITZSCH OLAF ,  ROEHRICH MAYK ,  SPRINGMANN OLIVER ,  HUCKELS KAI ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  WOLF KONRAD ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L21/8246

公开(公告)号：DE19929619A1

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：DE19929619

申请日：1999-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  HEITZSCH OLAF ,  ROEHRICH MAYK ,  SPRINGMANN OLIVER ,  HUCKELS KAI ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/06

公开(公告)号：DE19930586B4

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：DE19930586

申请日：1999-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  SPRINGMANN OLIVER ,  WOLF KONRAD ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/02 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/788

公开(公告)号：AT347750T

公开(公告)日：2006-12-15

申请号：AT99120073

申请日：1999-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LUDWIG CHRISTOPH DR ,  KUTTER CHRISTOPH DR ,  WOLF KONRAD DR ,  HEITZSCH OLAF ,  HUCKELS KAI ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  ROEHRICH MAYK ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD DR ,  WAWER PETER DR ,  SPRINGMANN OLIVER

IPC: H01L21/8247 ,  G11C16/04 ,  H01L21/82 ,  H01L27/115 ,  H01L29/06 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H03K19/173

公开(公告)号：DE19929618B4

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：DE19929618

申请日：1999-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAWER PETER ,  HEITZSCH OLAF ,  ROEHRICH MAYK ,  SPRINGMANN OLIVER ,  HUCKELS KAI ,  STEIN VON KAMIENSKI ELARD ,  WOLF KONRAD ,  RENNEKAMP REINHOLD ,  KUTTER CHRISTOPH ,  LUDWIG CHRISTOPH

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: A method for producing a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window cell includes the step of forming a tunnel zone in a late implantation step by performing a tunnel implantation with the aid of a tunnel window cell as a mask. The resulting memory cell has a small area requirement and a high number of program/clear cycles.