公开(公告)号：DE102015113706A1

公开(公告)日：2016-02-25

申请号：DE102015113706

申请日：2015-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEHRER DANIEL ,  OLIVEIRA PAULO

IPC: H03F3/189

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Schaltung einen ersten Signalweg, der zwischen einem Eingangsport und einem Ausgangsport gekoppelt ist, und einen zweiten, der zwischen dem Eingangsport und dem Ausgangsport parallel mit dem ersten Signalweg gekoppelt ist. Der erste Signalweg umfasst einen Verstärker mit niedrigem Rauschen (LNA) mit einem Eingangsknoten, der mit dem Eingangsport gekoppelt ist, und der zweite Signalweg umfasst einen Schalter, der zwischen dem Eingangsport und dem Ausgangsport gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102015108819A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：DE102015108819

申请日：2015-06-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY

IPC: H04B1/52 ,  H03H11/34 ,  H04B1/50 ,  H04B3/02

Abstract: Ein Schaltkreis (200) beinhaltet eine Vielzahl von Schaltnetzwerken (204, 206, 208), die zwischen einer korrespondierenden Vielzahl von HF-Anschlüssen (HF1, HF2, HFx) und einem gemeinsamen HF-Anschluss (130) gekoppelt sind, und einen Steuerschaltkreis. Jede der Vielzahl von Schaltnetzwerken (204, 206, 208) beinhaltet einen ersten Schalter (210, 230), der zwischen seinem korrespondierenden HF-Anschluss (HF1, HF2, HFx) und dem gemeinsamen HF-Anschluss (130) gekoppelt ist. Mindestens eines der Vielzahl von Schaltnetzwerken (204, 206, 208) beinhaltet ein selektierbares Netzwerk (232), das zwischen dem ersten Schalter (230) und dem gemeinsamen HF-Anschluss (130) auf eine solche Art und Weise gekoppelt ist, dass das selektierbare Netzwerk (232) einen Gleichstrom-Pfad in einem ersten Zustand und eine serielle Kapazität in einem zweien Zustand bereitstellt.

公开(公告)号：DE102011003959A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：DE102011003959

申请日：2011-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED DR ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS DR

IPC: H04B1/40

Abstract: Eine Hochfrequenzschaltschaltung umfasst ein Hochfrequenzschaltelement. Das Hochfrequenzschaltelement umfasst einen ersten Kanalanschluss und einen zweiten Kanalanschluss, wobei das Hochfrequenzschaltelement konfiguriert ist, um ein Hochfrequenzsignal schaltbar über einen Kanalweg zwischen dem ersten Kanalanschluss und dem zweiten Kanalanschluss zu führen. Die Hochfrequenzschaltschaltung umfasst ferner eine Leistungserfassungsschaltung, wobei die Leistungserfassungsschaltung konfiguriert ist, um ein erstes Messsignal von der ersten Kanalanschluss und ein zweites Messsignal von dem zweiten Kanalanschluss zu erhalten und das erste Messsignal und das zweite Messsignal zu kombinieren, um in Abhängigkeit von sowohl dem ersten Messsignal als auch dem zweiten Messsignal ein Leistungssignal herzuleiten, das einen Leistungswert des Hochfrequenzsignals beschreibt, das über den Kanalweg des Hochfrequenzschaltelements geführt wird.

公开(公告)号：DE102008012809A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：DE102008012809

申请日：2008-03-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ILKOV NIKOLAY

IPC: H03G11/00

Abstract: The circuit (200) has a switch (206) connected between an input (204) and an output (205) and comprising a switching capacitor (208). Another switch (207) is connected between the output and a reference potential (213), and has a switching capacitor (209). The switches charge and discharge the switching capacitors during a potential change of an input signal (202). A controller (210) controls the switches using control signals (211, 212), where the control signals are derived from the input signal. The switches are provided with n-channel and p-channel MOSFET transistors.

公开(公告)号：DE102013209068B4

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE102013209068

申请日：2013-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY

IPC: H04B17/00 ,  G01R31/28

Abstract: Verfahren zum Prüfen eines integrierten Schaltkreises, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Aufnehmen einer Speisespannung im integrierten Schaltkreis über einen ersten Eingangsstift, über den im integrierten Schaltkreis angeordnete Schaltkreise mit Leistung versorgt werden;Vergleichen der Speisespannung mit einer in dem integrierten Schaltkreis innen generierten Spannung;Generieren eines digitalen Ausgangswerts basierend auf dem Vergleichen; undAusgeben des digitalen Ausgangswerts auf einen Stift des integrierten Schaltkreises über eine serielle Datenschnittstelle, die konfiguriert ist, um auch andere Aspekte des integrierten Schaltkreises zu steuern.

公开(公告)号：DE102016122525B4

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102016122525

申请日：2016-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LORENZ GUNAR ,  ILKOV NIKOLAY ,  LISCHKA GEORG

IPC: B81B7/02 ,  H04R1/00

Abstract: Ein MEMS-Sensorbauelement (200, 300-A, 300-B), umfassend:eine elektrisch leitfähige Membran (210); undeine elektrisch leitfähige geschlossene Schleifenstruktur (220), die in der Nähe zu der Membran (210) angeordnet ist und ausgebildet ist, um Wirbelströme in der Membran (210) zu reduzieren,wobei die geschlossene Schleifenstruktur (220) ausgebildet ist, um während des Betriebs des MEMS-Sensorbauelements (200, 300-A, 300-B) potentialfrei zu sein.

公开(公告)号：DE102016111856B4

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE102016111856

申请日：2016-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY

IPC: H03H7/40 ,  H04B1/18 ,  H04B1/40

Abstract: Ein Verfahren zum Betreiben eines Richtkopplers, umfassend:Bestimmen einer gekoppelten Leistungsvariation durchAnwenden eines Eingangssignals an einem Eingangsanschluss des Richtkopplers,Anwenden einer ersten Impedanz an einem Sendeanschluss des Richtkopplers,Messen einer ersten gekoppelten Leistung an einem gekoppelten Anschluss des Richtkopplers nach dem Anwenden der ersten Impedanz,Anwenden einer zweiten Impedanz an dem Sendeanschluss des Richtkopplers,Messen einer zweiten gekoppelten Leistung nach dem Anwenden der zweiten Impedanz, undBestimmen einer Differenz zwischen der ersten gekoppelten Leistung und der zweiten gekoppelten Leistung, um die gekoppelte Leistungsvariation zu bilden.

公开(公告)号：DE102011003880B4

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：DE102011003880

申请日：2011-02-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

IPC: H03K17/04 ,  H04B1/38 ,  H04B1/44

Abstract: Mobiltelefon (1000), das folgende Merkmale umfasst: eine Hochfrequenz-Schaltschaltung (100; 200; 600; 900; 1200), die folgende Merkmale umfasst: einen Hochfrequenz-Schalttransistor (110), der derart zwischen einen Sender und eine Antenne eines Mobiltelefons oder zwischen einen Empfänger und die Antenne des Mobiltelefons geschaltet ist, dass sich ein Hochfrequenzsignalweg zwischen dem Sender und der Antenne oder zwischen dem Empfänger und der Antenne über einen Kanalweg des Hochfrequenz-Schalttransistors (110) erstreckt; und eine Steuerschaltung (120), die konfiguriert ist, um zumindest zwei unterschiedliche Vorspannungspotentiale an ein Substrat (130) des Hochfrequenz-Schalttransistors (110) anzulegen, abhängig von einem Steuersignal (140), das durch die Steuerschaltung (120) empfangen wird, wobei das Vorspannungspotential des Hochfrequenzschalttransistors unabhängig von dem Schaltzustand des Hochfrequenzschalttransistors ist; und einen Prozessor (1100), wobei der Prozessor (1100) konfiguriert ist, um das Steuersignal (140) abhängig von einem Zustand des Mobiltelefons (1000) der Hochfrequenz-Schaltschaltung (1200) bereitzustellen, wobei Intermodulationsverzerrungen des Mobiltelefons (1000) geringer sind, wenn das Mobiltelefon (1000) in einem ersten Zustand ist als wenn es in einem zweiten Zustand ist; und wobei eine Stromaufnahme des Mobiltelefons (1000) niedriger ist, wenn das Mobiltelefon (1000) in dem zweiten Zustand ist, als wenn es in dem ersten Zustand ist.

公开(公告)号：DE102015120961A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：DE102015120961

申请日：2015-12-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ILKOV NIKOLAY ,  KEHRER DANIEL ,  OLIVEIRA PAULO

IPC: H03F3/189 ,  H03F1/26

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform enthält eine Schaltung einen rauscharmen Verstärkertransistor, der auf einer ersten integrierten Schaltung angeordnet ist, einen einpoligen Wechselschalter (Single Pole Multi Throw, SPMT), der auf einer zweiten integrierten Schaltung angeordnet ist, und einen Umgehungsschalter, der zwischen einem Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und einem Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors gekoppelt ist. Der SPMT-Schalter koppelt mehrere Moduleingangsanschlüsse an einen Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und der Umgehungsschalter enthält einen ersten Schalter, der zwischen dem Steuerknoten des rauscharmen Verstärkertransistors und einem Zwischenknoten gekoppelt ist, einen zweiten Schalter, der zwischen dem Zwischenknoten und dem Ausgangsknoten des rauscharmen Verstärkertransistors gekoppelt ist, und einen dritten Schalter, der zwischen dem Zwischenknoten und einem ersten Referenzknoten gekoppelt ist. Die erste integrierte Schaltung und die zweite integrierte Schaltung sind auf einem Substrat angeordnet.

公开(公告)号：DE102015115332A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：DE102015115332

申请日：2015-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SOLOMKO VALENTYN ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEHRER DANIEL

IPC: H01P5/18

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Schaltung (100) einen ersten Richtkoppler (102), der einen ersten Eingangsport, einen ersten Übertragungsport, einen ersten isolierten Port und einen ersten gekoppelten Port umfasst, wobei der erste Richtkoppler (102) auf einem ersten Substrat angeordnet ist. Die Schaltung (130) umfasst zudem einen ersten Richtungsauswahlschalter (104), der einen ersten Schaltereingangsport, der mit dem ersten isolierten Port gekoppelt ist, einen zweiten Schaltereingangsport, der mit dem ersten gekoppelten Port gekoppelt ist, und einen ersten Schalterausgangsport aufweist, wobei der erste Richtungsauswahlschalter (104) zusammen mit dem ersten Richtkoppler (102) auf dem ersten Substrat angeordnet ist.