公开(公告)号：JP2013240095A

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：JP2013142817

申请日：2013-07-08

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

IPC: H03K17/693

CPC classification number: H02M3/07 ,  H03K17/161 ,  H03K17/6871 ,  H03K2217/0018

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switch with a good balance between intermodulation characteristics and current consumption.SOLUTION: A high-frequency switching circuit comprises a first high-frequency switching transistor 710a, and a second high-frequency switching transistor 710b. A second channel terminal 716a of the first high-frequency switching transistor 710a is coupled to a potential node 730 via a channel resistor 720. A second channel terminal 716b of the second high-frequency switching transistor 710b is coupled to the potential node 730. The high-frequency switching circuit is configured to selectively keep the potential node 730 either at a predetermined potential or in a floating state.

Abstract translation: 要解决的问题：提供在互调特性和电流消耗之间具有良好平衡的高频开关。解决方案：高频开关电路包括第一高频开关晶体管710a和第二高频开关晶体管710b 。 第一高频开关晶体管710a的第二通道端子716a经由通道电阻器720耦合到电位节点730.第二高频开关晶体管710b的第二通道端子716b耦合到电位节点730。 高频开关电路被配置为选择性地将电位节点730保持在预定电位或浮置状态。

公开(公告)号：JP2011193449A

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：JP2011029008

申请日：2011-02-14

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H02M3/07 ,  H03K17/161 ,  H03K17/6871 ,  H03K2217/0018

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a cellular phone having a high-frequency switching circuit having good balance between intermodulation characteristics and current consumption. SOLUTION: The high-frequency switching circuit 100 includes a high-frequency switching transistor 110. In the high-frequency switching circuit, a high-frequency signal-path extends via a channel-path of the high-frequency switching transistor. The high-frequency switching circuit includes a control circuit 120. The control circuit 120 applies at least two different bias potentials to a substrate 130 of the high-frequency switching transistor, depending on a control signal 140 received by the control circuit. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有在互调特性和电流消耗之间具有良好平衡的高频开关电路的蜂窝电话。 解决方案：高频开关电路100包括高频开关晶体管110.在高频开关电路中，高频信号路径经由高频开关晶体管的沟道路径延伸。 高频开关电路包括控制电路120.根据由控制电路接收的控制信号140，控制电路120向高频开关晶体管的衬底130施加至少两个不同的偏置电位。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011193448A

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：JP2011029001

申请日：2011-02-14

Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アーゲー

Inventor： BAKALSKI WINFRIED ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H04B1/48

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-frequency switching circuit for obtaining highly accurate impedance matching over a wide range frequency band. SOLUTION: The high-frequency switching element 110 has a first channel terminal 120 and a second channel terminal 130, wherein a high-frequency signal 140 is switchably routed via a channel path 150 between the first channel terminal and the second channel terminal. The high-frequency switching circuit 100 further includes a power detection circuit 160. The power detection circuit is configured to obtain a first measurement signal 170 from the first channel terminal and a second measurement signal 180 from the second channel terminal, and to combine the first measurement signal and the second measurement signal to derive, on the basis of both the first measurement signal and the second measurement signal, a power signal 190 describing a power value of the high-frequency signal routed via the channel path of the high-frequency switching element. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于在宽范围频带上获得高精度阻抗匹配的高频开关电路。 解决方案：高频开关元件110具有第一通道端子120和第二通道端子130，其中高频信号140经由第一通道端子和第二通道端子之间的通道路径150可切换地路由 。 高频开关电路100还包括功率检测电路160.功率检测电路被配置为从第一通道端子获得第一测量信号170，并且从第二通道端子获得第二测量信号180，并且将第一测量信号 测量信号和第二测量信号，基于第一测量信号和第二测量信号，导出描述经由高频切换的信道路径路由的高频信号的功率值的功率信号190 元件。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102008052351B4

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：DE102008052351

申请日：2008-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H03K19/0185

Abstract: Pegelumsetzer (1; 200) zum Bereitstellen eines Ausgangssignals, das zwischen einem ersten Ausgangssignalpegel und einem zweiten Ausgangssignalpegel umschaltbar ist, an einem Schaltungsausgang (4; 202) basierend auf einem Eingangssignal, das einen ersten Eingangssignalzustand und einen zweiten Eingangssignalzustand aufweist, mit folgenden Merkmalen: einer Ausgangskoppelschaltung (9; 204), die ausgelegt ist, um an einem ersten Ausgangskoppelschaltungs-Eingang (9a; 204a) ein erstes Teilausgangssignal, das in Abhängigkeit von dem Zustand des Eingangssignals zwei unterschiedliche Signalpegel annimmt, und an einem zweiten Ausgangskoppelschaltungs-Eingang (9b; 204b) ein zweites Teilausgangssignal, das in Abhängigkeit von dem Zustand des Eingangssignals zwei unterschiedliche Signalpegel annimmt, zu empfangen, um das erste Teilausgangssignal zu dem Schaltungsausgang (4; 202) zu koppeln, wenn das erste Teilausgangssignal einen aktiven Zustand aufweist, und um das zweite Teilausgangssignal zu dem Schaltungsausgang zu koppeln, wenn das zweite Teilausgangssignal einen aktiven Zustand aufweist; und einer Treiberschaltung (6a; 210), die ausgelegt ist, um das zweite Teilausgangssignal so bereitzustellen, dass das zweite Teilausgangssignal in Abhängigkeit von dem Zustand des Eingangssignals zwischen zwei unterschiedlichen Signalpegeln umschaltbar ist, wobei ein Pegelbereich zwischen den zwei Signalpegeln des ersten Teilausgangssignals und ein Pegelbereich zwischen den zwei Signalpegeln des zweiten Teilausgangssignals gegeneinander verschoben sind, wobei ein Eingang (6c; 210a) der Treiberschaltung kapazitiv mit dem Eingang (3; 203) des Pegelumsetzers gekoppelt ist, um durch die kapazitive Kopplung eine Umschaltung zwischen den Signalpegeln des zweiten Teilausgangssignals ansprechend auf eine Veränderung des Zustandes des Eingangssignals zu ermöglichen, und wobei der Pegelumsetzer (1; 200) eine Halteeinrichtung (220, 6a) aufweist, die ausgelegt ist, um den Zustand des zweiten Teilausgangssignals bei konstantem Zustand des Eingangssignals konstant zu halten.

公开(公告)号：DE102008052351A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：DE102008052351

申请日：2008-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H03K19/0185

Abstract: The shifter (1) has a latch (6a) designed to switch partial output signals between two different signal levels (2a, 2b) depending on a state of input signals. A latch-input (6c) is capactively connected with a main input terminal (3) of the shifter for switching between the signal levels of the partial output signals corresponding to changes of states of input signals. The latch is designed to constantly hold a state of the partial output signals in a constant state of the input signals. A main output terminal (4) exhibits input signal states based on input signals. Independent claims are also included for the following: (1) an electrical switch for shifting signal levels of main input signals (2) a method for shifting signal levels of main input signals (3) a method for providing output signals to a switch output.

公开(公告)号：DE102011003959A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：DE102011003959

申请日：2011-02-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAKALSKI WINFRIED DR ,  ILKOV NIKOLAY ,  KEBINGER HERBERT ,  TADDIKEN HANS DR

IPC: H04B1/40

Abstract: Eine Hochfrequenzschaltschaltung umfasst ein Hochfrequenzschaltelement. Das Hochfrequenzschaltelement umfasst einen ersten Kanalanschluss und einen zweiten Kanalanschluss, wobei das Hochfrequenzschaltelement konfiguriert ist, um ein Hochfrequenzsignal schaltbar über einen Kanalweg zwischen dem ersten Kanalanschluss und dem zweiten Kanalanschluss zu führen. Die Hochfrequenzschaltschaltung umfasst ferner eine Leistungserfassungsschaltung, wobei die Leistungserfassungsschaltung konfiguriert ist, um ein erstes Messsignal von der ersten Kanalanschluss und ein zweites Messsignal von dem zweiten Kanalanschluss zu erhalten und das erste Messsignal und das zweite Messsignal zu kombinieren, um in Abhängigkeit von sowohl dem ersten Messsignal als auch dem zweiten Messsignal ein Leistungssignal herzuleiten, das einen Leistungswert des Hochfrequenzsignals beschreibt, das über den Kanalweg des Hochfrequenzschaltelements geführt wird.

公开(公告)号：DE102007019811A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：DE102007019811

申请日：2007-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLAS ALEXANDER ,  HARTUNG WOLFGANG ,  SCHRENK MICHAEL ,  KLEIN WOLFGANG ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H03H7/01

Abstract: The circuit (100) has a contact (110) for electrically attaching a circuit, and a coil, which is arranged around the contact. An inner lying coil connection (122) of the coil (120) is arranged, and is electrically coupled with the contact. A circuit element is provided, where the coil is arranged around the circuit element, and a connection of the circuit element is electrically coupled with the contact. The connection forms the contact of the circuit element. An independent claim is also included for a chip integrated filter circuit.

公开(公告)号：DE102007019811B4

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：DE102007019811

申请日：2007-04-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLAS ALEXANDER ,  HARTUNG WOLFGANG DR ,  SCHRENK MICHAEL ,  KLEIN WOLFGANG DR RER NAT ,  KEBINGER HERBERT

IPC: H01L27/06 ,  H01F17/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/60 ,  H01L23/64 ,  H03H7/01

Abstract: Schaltung (100; 200) mit: einem Eingangskontakt (110; 210) und einem Ausgangskontakt (212) zum elektrischen Anschließen der Schaltung (100; 200); einem ersten Schaltungselement (130; D1; D11), wobei ein erster Anschluss (132) des ersten Schaltungselements (130; D1; D11) mit dem Eingangskontakt (110; 210) elektrisch gekoppelt ist; und einer ersten Spule (120; L1; L11), die um den Eingangskontakt (110; 210) und das erste Schaltungselement (130; D1; D11) herum angeordnet ist, wobei ein innen liegender Spulenanschluss (122; 322) der ersten Spule (120; L1; L11), der in der ersten Spule (120; L1; L11) angeordnet ist, mit dem Eingangskontakt (110) elektrisch gekoppelt ist, und ein außen liegender Spulenanschluss (124; 324) der ersten Spule (120; L1; L11), der außerhalb der ersten Spule (120; L1; L11) angeordnet ist, mit dem Ausgangskontakt (212) elektrisch gekoppelt ist, wobei das erste Schaltungselement (130; D1; D11) eine ESD-Diode zum Schutz der Schaltung (100; 200) vor elektrostatischer Entladung ist.

公开(公告)号：DE102008004860A1

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：DE102008004860

申请日：2008-01-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  KEBINGER HERBERT ,  KUEHN CHRISTIAN

IPC: H01L21/761 ,  H01L29/73 ,  H01L29/78

Abstract: The circuit (100) has a substrate (110) e.g. silicon substrate, doped with a p-type doping, and a switching element (250) i.e. high frequency transistor, provided in the substrate. A well (340) has an n-type doping complementary to a p-type doping, and another well (350) has the p-type doping. A source region (360) of a transistor (330) i.e. FET, has the n-type doping in the latter well. A drain region (380) has the n-type doping in the latter well spaced from the source region by a channel region (400). A gate electrode (420) is arranged adjacent to and insulated from the channel region.

公开(公告)号：DE102008004861A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：DE102008004861

申请日：2008-01-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： TADDIKEN HANS ,  KEBINGER HERBERT ,  GERLACH UDO

IPC: H03K17/687 ,  H03K17/693

Abstract: The arrangement has switching elements (S1, S2) i.e. FETs, electrically connected in rows between an input terminal (A) and an output terminal (B) and connected with each other by an intermediate region. A resistor element (R) e.g. ohmic or inductive resistor, is connected between a reference potential terminal (G) and the intermediate region, and is made of polycrystalline silicon. The switching elements have an auxiliary oxide layer, on which the resistor element is formed in a layered manner. An independent claim is also included for a combined switching arrangement for switching a high frequency signal between input and output terminals or between two output terminals.