公开(公告)号：DE102023210805A1

公开(公告)日：2025-04-30

申请号：DE102023210805

申请日：2023-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHOLZ MIRKO ,  SCHUMANN STEFFEN ,  LANGGUTH GERNOT ,  ILLE ADRIEN BENOIT

IPC: H01L23/60 ,  H02H9/04

Abstract: Vorrichtungen sind bereitgestellt, die eine erste Versorgungsschiene, eine zweite Versorgungsschiene und einen Eingangs-/Ausgangsanschluss beinhalten. Eine elektrostatische Entladungsschutzvorrichtung ist zwischen dem Eingangs-/Ausgangsanschluss und mindestens einer von der ersten Versorgungsschiene und der zweiten Versorgungsschiene gekoppelt. Eine Triggerschaltung ist mit der ersten Versorgungsschiene und der zweiten Versorgungsschiene gekoppelt und ist konfiguriert, um ein elektrostatisches Entladungsereignis an dem Eingangs-/Ausgangsanschluss basierend auf mindestens einer von einer Spannung an der ersten Versorgungsschiene und einer Spannung an der zweiten Versorgungsschiene zu detektieren. Als Reaktion auf das Detektieren des elektrostatischen Entladungsereignisses wird die elektrostatische Entladungsschutzvorrichtung eingeschaltet.

公开(公告)号：DE102011051432B4

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE102011051432

申请日：2011-06-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GOSSNER HARALD ,  LANGGUTH GERNOT ,  RUSS CHRISTIAN CORNELIUS ,  SOLDNER WOLFGANG

IPC: H01L23/60 ,  H02H9/04 ,  H03K17/0812

Abstract: ESD-Schutzeinrichtung (300; 600) zum Schützen eines Halbleiterelements (304; 604) vor elektrostatischen Entladungen, wobei die ESD-Schutzeinrichtung (300; 600) umfasst:ein Triggerelement (314; 612) zum Überwachen einer Spannung und/oder eines Stroms an einem ersten Schaltungsknoten (310; 608) und zum Bereitstellen eines Triggersignals, welches angibt, ob die überwachte Spannung und/oder der überwachte Strom einen eingehenden ESD-Puls anzeigt,einen zwischen den ersten Schaltungsknoten (310; 608) und einen zweiten Schaltungsknoten (312; 610) gekoppelten variablen Widerstand (308; 606), welcher eingerichtet ist, selektiv Leistung des eingehenden ESD-Pulses, soweit vorhanden, von dem ersten Schaltungsknoten (310; 608) zu dem zweiten Schaltungsknoten (312; 610) und weg von dem Halbleiterelement (304; 604) abzuleiten,eine Gatetreiberschaltung (316; 614) zum Bereitstellen einer Gatespannung, welche auf dem Triggersignal und einem Steuersignal basiert, an einen Steueranschluss des variablen Widerstandes (308; 606), um das selektive Ableiten von Leistung zu ermöglichen,wobei ein Reglerelement (318; 616) das Steuersignal an die Gatetreiberschaltung (316; 614) bereitstellt, um die über den variablen Widerstand (308; 606) abgeleitete Leistung selektiv einzustellen,wobei das Reglerelement (318; 616) das Steuersignal in einer Weise bereitstellt, welche bewirkt, dass die Gatetreiberschaltung (316; 614) die Gatespannung verändert, um den durch den variablen Widerstand (308; 606) abgeleiteten Strom zu begrenzen, wenn das Triggersignal einen eingehenden ESD-Puls anzeigt, unddie tatsächlich gelieferte Spannung überwacht und das Steuersignal bereitstellt, um zu verhindern, dass die tatsächlich gelieferte Spannung zu weit absinkt, sodass das Halbleiterelement auch im ESD-Fall mit seiner erwarteten Versorgungsspannung versorgt wird.

公开(公告)号：DE102019102695A1

公开(公告)日：2019-08-08

申请号：DE102019102695

申请日：2019-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANGGUTH GERNOT

IPC: H01L23/60

Abstract: In manchen Beispielen umfasst eine Vorrichtung einen ersten Leistungsversorgungsknoten, einen Eingangs/Ausgangsknoten und einen zweiten Leistungsversorgungsknoten, der zwischen dem ersten Leistungsversorgungsknoten und dem Eingangs/Ausgangsknoten angeordnet ist. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Schutzelement, das konfiguriert ist, um einen parasitären Strom von Trägern zwischen dem ersten Leistungsversorgungsknoten und dem Eingangs/Ausgangsknoten zu blockieren, wobei der parasitäre Strom von Trägern auf einem Spannungspegel des zweiten Leistungsversorgungsknotens basiert.

公开(公告)号：DE102004063997B4

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：DE102004063997

申请日：2004-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANGGUTH GERNOT ,  WILLE HOLGER ,  MUELLER KARLHEINZ

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L27/146 ,  H01L31/105

Abstract: An integrated circuit arrangement includes a pin photodiode and a highly doped connection region of a bipolar transistor. A production method produces an intermediate region of the pin diode with a large depth and without auto-doping in a central region.

公开(公告)号：DE102004031606A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：DE102004031606

申请日：2004-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANGGUTH GERNOT ,  WILLE HOLGER ,  MUELLER KARLHEINZ

IPC: H01L21/8222 ,  H01L27/06 ,  H01L27/082 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/105

Abstract: An integrated circuit arrangement includes a pin photodiode and a highly doped connection region of a bipolar transistor. A production method produces an intermediate region of the pin diode with a large depth and without auto-doping in a central region.

公开(公告)号：DE10350643A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：DE10350643

申请日：2003-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLE HOLGER ,  LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARL-HEINZ

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18