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    Method of manufacturing integrated circuit structure having pin diode
    1.
    发明专利
    Method of manufacturing integrated circuit structure having pin diode 有权
    制造具有二极管的集成电路结构的方法

    公开(公告)号：JP2011018920A

    公开(公告)日：2011-01-27

    申请号：JP2010193888

    申请日：2010-08-31

    Applicant: Infineon Technologies Ag ,  インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

    Inventor： LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WILLE HOLGER

    IPC: H01L31/10 ,  H01L27/06 ,  H01L27/146 ,  H01L31/105

    CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/14681

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit structure having a pin diode which has a simple design and high sensitivity and is suitable for use at radio frequencies.SOLUTION: A method of manufacturing the integrated circuit structure includes a process of forming a shape, including at least one step which is adjoined by a material 82 to be protected; a process of forming a protective layer which covers the step, a process of forming a spacer element layer after the protective layer is formed; a process of anisotropically etching the spacer element layer; a process of forming at least one spacer element at the step; a process of thinning or completely removing the protective layer in regions which are not covered by the spacer element with at least one remaining region 150 of the protective layer being left along the material 82 to be protected; a process of forming an effective layer, after the protective layer is thinned or removed; a process of patterning the effective layer, while removing the spacer element so as to protect the material 82 to be protected with the remaining region 150.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有pin二极管的集成电路结构，其具有简单的设计和高灵敏度并且适用于射频。解决方案：一种制造集成电路结构的方法包括形成形状的过程， 包括由待保护的材料82邻接的至少一个台阶; 形成覆盖该台阶的保护层的工序，在形成保护层之后形成间隔元件层的工序; 对间隔元件层进行各向异性蚀刻的工序; 在该步骤形成至少一个间隔元件的工艺; 在保护层的至少一个剩余区域150沿待保护的材料82留下的情况下，在未被间隔元件覆盖的区域中使保护层变薄或完全去除的过程; 在保护层变薄或去除之后形成有效层的过程; 图案化有效层的过程，同时移除间隔元件，以保护被剩余区域150保护的材料82。

    METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN ANTI-REFLECTING SURFACE ON OPTICAL INTEGRATED CIRCUITS
    2.
    发明申请
    METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN ANTI-REFLECTING SURFACE ON OPTICAL INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
    用于在光集成电路上产生抗反射表面的方法

    公开(公告)号：WO2005045941A2

    公开(公告)日：2005-05-19

    申请号：PCT/DE2004002340

    申请日：2004-10-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WILLE HOLGER

    Inventor： LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WILLE HOLGER

    IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: The invention relates to a method for the production of an anti-reflecting surface on optical integrated circuits in order to improve light absorption in photodetectors. The aim of the invention is to create a method which can be produced with minimum input and in an economical manner, for the production of an anti-reflecting surface on optical integrated circuits, said method being compatible with IC technology systems and single device technology systems. Said aim is achieved by virtue of the fact that a controlled hard mask grid is produced in a photolithographic manner on the surface of the photodetector; a structure corroding step is then carried out until a predetermined depth in the silicon is reached, such that inverse pyramids which are arranged in an evenly distributed manner are produced and that an interrupted anode or a cathode of the photodetector is reproduced by another implantation step during corrosion.

    Abstract translation: 本发明涉及在光学集成电路上制造抗反射表面的方法，用于改善光电探测器中光的吸收。 本发明的目的是提供一种用于在光集成电路上制造抗反射表面的低成本方法，其与IC和单个器件技术兼容。 这是这样实现的一个常规硬掩模光栅形成在光电检测器光刻的表面上，在随后一个Strukturätzschritt执行到在硅的预定深度，从而形成规则排列的分布逆金字塔以及在蚀刻期间 通过进一步的植入步骤恢复光电探测器的破碎的阳极或阴极。

    METHOD FOR THE EPITAXIAL DEPOSITION OF LAYERS
    4.
    发明申请
    METHOD FOR THE EPITAXIAL DEPOSITION OF LAYERS 审中-公开
    方法外延沉积分层损伤

    公开(公告)号：WO2004064131A3

    公开(公告)日：2004-10-07

    申请号：PCT/DE0304244

    申请日：2003-12-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WILBERTZ CHRISTOPH ,  WILLE HOLGER

    Inventor： LANGGUTH GERNOT ,  MUELLER KARLHEINZ ,  WILBERTZ CHRISTOPH ,  WILLE HOLGER

    IPC: H01L21/20 ,  H01L21/22

    CPC classification number: H01L21/2205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639

    Abstract: Disclosed is a method for the epitaxial deposition of layers, according to which a low-doped epitaxial layer is applied to highly doped areas that are incorporated into a silicon substrate. The aim of the invention is to ensure functionality of the components that are to be produced while effectively preventing autodoping. Said aim is achieved by applying a high-resistance silicon layer to the highly doped areas before the epitaxial layer is applied, the other areas being covered or the high-resistance layer being locally removed from the other areas. The epitaxial layer is then deposited onto the high-resistance silicon layer located above the highly doped areas and onto the silicon layer located outside the highly doped areas. Autodoping of the epitaxial layer is effectively prevented by the high-resistance silicon layer.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于其中在高掺杂区域，其在硅衬底掺入的低掺杂外延层，被施加的目的是保证所制造的组件的可操作性，并有效地抑制汽车掺杂层的外延沉积的方法 ， 这是这样实现的高电阻硅层上的高掺杂区域上沉积外延层之前施加，与其他区域要么覆盖或在其它区域高电阻层局部除去。 随后，将外延层沉积在高掺杂区域的高电阻硅层和硅衬底的高掺杂区的外侧。 由高电阻硅层可以有效地抑制在外延层的自动掺杂。

    Sensoranordnung, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoranordnung
    5.
    发明专利
    Sensoranordnung, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102015100991A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：DE102015100991

    申请日：2015-01-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JOST FRANZ ,  WILLE HOLGER ,  GRUBER MARTIN

    IPC: G01R15/20 ,  G01R19/00 ,  G01R33/09

    Abstract: Eine Sensoranordnung ist geschaffen. Die Sensoranordnung kann wenigstens ein Sensorelement, das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist und zum Abfühlen eines Magnetfelds konfiguriert ist; und eine elektrisch leitfähige Leitung enthalten, wobei ein erster Abschnitt des elektrisch leitfähigen Leitung auf der ersten Seite des wenigstens einen Sensorelements angeordnet sein kann und ein zweiter Abschnitt der elektrisch leitfähigen Leitung auf der zweiten Seite des wenigstens einen Sensorelements auf eine Weise angeordnet sein kann, dass, falls ein Strom durch die elektrisch leitfähige Leitung fließt, der Strom in dem ersten Abschnitt eine erste Richtung und in dem zweiten Abschnitt eine zweite Richtung entgegengesetzt der ersten Richtung aufweist, so dass sich ein erstes Magnetfeld, das durch den Strom in dem ersten Abschnitt erzeugt wird, und ein zweites Magnetfeld, das durch den Strom in dem zweiten Abschnitt erzeugt wird, wenigstens teilweise an einem Abfühlabschnitt des wenigstens einen Sensorelements konstruktiv addieren können.

    Sensoranordnung, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoranordnung
    7.
    发明专利
    Sensoranordnung, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Sensoranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102015100991B4

    公开(公告)日：2019-08-14

    申请号：DE102015100991

    申请日：2015-01-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： JOST FRANZ ,  WILLE HOLGER ,  GRUBER MARTIN

    IPC: G01R15/20 ,  G01R19/00 ,  G01R33/09

    Abstract: Sensoranordnung (314), die Folgendes umfasst:wenigstens ein Sensorelement (104), das eine erste Seite und eine zweite Seite gegenüber der ersten Seite aufweist und zum Abfühlen eines Magnetfelds konfiguriert ist; undeine elektrisch leitfähige Leitung (106);wobei ein erster Abschnitt (1061) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) auf der ersten Seite des wenigstens einen Sensorelements (104) angeordnet ist und ein zweiter Abschnitt (1062) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) auf der zweiten Seite des wenigstens einen Sensorelements (104) auf eine Weise angeordnet ist, dass, falls ein Strom (108) durch die elektrisch leitfähige Leitung (106) fließt, der Strom (108) in dem ersten Abschnitt (1061) eine erste Richtung (1081) und in dem zweiten Abschnitt (1062) eine zweite Richtung (1082) entgegengesetzt der ersten Richtung (1081) aufweist, so dass sich ein erstes Magnetfeld (1101), das durch den Strom (108) in dem ersten Abschnitt (1061) erzeugt wird, und ein zweites Magnetfeld (1102), das durch den Strom (108) in dem zweiten Abschnitt (1062) erzeugt wird, wenigstens teilweise an einem Abfühlabschnitt (104s) des wenigstens einen Sensorelements (104) konstruktiv addieren,wobei das wenigstens eine Sensorelement (104) in einen Sensorkörper eingebettet ist, der erste Abschnitt (1061) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) über einer ersten Seite des Sensorkörpers gebildet ist und der zweite Abschnitt (1062) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) über einer zweiten Seite des Sensorkörpers entgegengesetzt der ersten Seite des Sensorkörpers gebildet ist, undwobei der erste Abschnitt (1061) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) Teil einer elektrisch leitfähigen Schicht ist und/oder der zweite Abschnitt (1062) der elektrisch leitfähigen Leitung (106) Teil einer elektrisch leitfähigen Schicht ist.

    Verfahren und Werkzeug zum Magnetisieren von zu magnetisierenden Strukturen
    9.
    发明专利
    Verfahren und Werkzeug zum Magnetisieren von zu magnetisierenden Strukturen 未知

    公开(公告)号：DE102016002591A1

    公开(公告)日：2017-09-07

    申请号：DE102016002591

    申请日：2016-03-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WILLE HOLGER

    IPC: H01F13/00 ,  H01L43/12

    Abstract: Ein Verfahren zum Magnetisieren einer zu magnetisierenden Struktur umfasst ein Positionieren einer Platte mit einer hartmagnetischen Struktur relativ zu der zu magnetisierenden Struktur, wobei die hartmagnetische Struktur eine in die Platte magnetisch eingeprägte Magnetisierung aufweist mit zumindest einem ersten Magnetisierungsbereich mit einer ersten Magnetisierung und einem zweiten Magnetisierungsbereich mit einer zweiten Magnetisierung, wobei die erste Magnetisierung und die zweite Magnetisierung unterschiedliche Magnetisierungsrichtungen aufweisen. Ein Erzeugen einer Magnetisierung in der zu magnetisierenden Struktur wird entsprechend zu den Magnetisierungsrichtungen der ersten und zweiten Magnetisierung durchgeführt.

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