公开(公告)号：DE102009041512B4

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE102009041512

申请日：2009-09-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  SIPRAK DOMAGOJ ,  TIEBOUT MARC

IPC: H03K17/16

Abstract: Schaltkreis, umfassend: einen ersten Transistor (2702), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden; und einen zweiten Transistor (2704), welcher ausgestaltet ist, zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umgeschaltet zu werden, wobei mindestens einer der Gate-vorgespannten Zustände für jeden Transistor außerhalb eines Versorgungsspannungsbereiches liegt und wobei der erste Transistor (2702) und der zweite Transistor (2704) entweder paarweise NMOS Transistoren oder PMOS Transistoren umfassen, und – einen Steuerschaltkreis, welcher ausgestaltet ist, den ersten Transistor (2702) zwischen einem ersten Gate-vorgespannten Zustand und einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten und den zweiten Transistor (2704) zwischen einem zweiten Gate-vorgespannten Zustand und einem ersten Gate-vorgespannten Zustand umzuschalten, wobei der erste Transistor in dem ersten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht und der zweite Transistor in dem zweiten Gate-vorgespannten Zustand außerhalb des Versorgungsspannungsbereiches einen ausgeschalteten Zustand erreicht.

公开(公告)号：DE102012103024A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：DE102012103024

申请日：2012-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESS PHILIPP ,  SIPRAK DOMAGOJ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L23/58 ,  H01L29/872 ,  H01L29/93

Abstract: Bei einer Ausführungsform enthält ein Halbleiterbauelement (100) ein erstes dotiertes Gebiet (21), das in einem ersten Gebiet eines Substrats (10) angeordnet ist. Eine erste Metallelektrode (150), die einen ersten Abschnitt einer Metallschicht aufweist, ist über dem ersten dotierten Gebiet (21) angeordnet und kontaktiert es. Ein zweites dotiertes Gebiet (20) ist in einem zweiten Gebiet des Substrats (10) angeordnet. Eine Dielektrikumsschicht (120) ist auf dem zweiten dotierten Gebiet (20) angeordnet. Eine zweite Metallelektrode (230), die einen zweiten Abschnitt der Metallschicht aufweist, ist über der Dielektrikumsschicht (120) angeordnet. Die zweite Metallelektrode (230) ist kapazitiv an das zweite dotierte Gebiet (20) gekoppelt.

公开(公告)号：DE102009047639A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：DE102009047639

申请日：2009-12-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  SIPRAK DOMAGOJ

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06

Abstract: Einige Ausführungsbeispiele umfassen eine Mehrzahl von Fins, wobei zumindest ein erster Fin der Mehrzahl von Fins im Vergleich zu einer Finbreite eines anderen Fins der Mehrzahl von Fins eine unterschiedliche Finbreite aufweist. Zumindest ein zweiter Fin der Mehrzahl von Fins weist im Vergleich zu einem anderen Fin der Mehrzahl von Fins eine unterschiedliche Kristalloberflächenausrichtung auf.

公开(公告)号：DE102009025271A1

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：DE102009025271

申请日：2009-06-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUMGARTNER PETER ,  SIPRAK DOMAGOJ

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12

公开(公告)号：DE102007058676A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：DE102007058676

申请日：2007-12-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIPRAK DOMAGOJ

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

Abstract: An integrated circuit and method of making it, includes a semiconductor substrate and a support layer disposed on the semiconductor substrate. A gate insulator including a support layer doped using a noise-reducing dopant can be disposed on the semiconductor substrate. A gate stack can be disposed on the gate insulator.