公开(公告)号：DE102008045615A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：DE102008045615

申请日：2008-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/603 ,  H01L23/053

Abstract: The module has electronic components (2) arranged on a surface of a substrate (1). A plastic body (3) is provided on the surface of the substrate to cover the electronic components, where the plastic body has a channel (3.1) that runs through the plastic body perpendicular to the surface. Contact elements are arranged in the channel, and are pressed on the surface of the substrate by an elastic spring to electrically contact the surface of the substrate. The contact elements exhibit larger length than length of the channel in a relaxed condition. An independent claim is also included for a method for producing a power semiconductor module.

公开(公告)号：DE10047127A1

公开(公告)日：2002-05-02

申请号：DE10047127

申请日：2000-09-22

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KANELIS KONSTANTIN ,  STOLZE THILO ,  AMANN HEINZ ,  JOERKE RALF

IPC: H05K1/14 ,  H05K7/12 ,  H05K7/02 ,  H01R33/74 ,  H05K1/18

Abstract: The fastener (10) comprises two mechanically-separate sections (11, 12). Their second ends (11b, 12b) engage to form a mechanical connection holding the electronic unit to the circuit board (4).

公开(公告)号：DE102011085282B4

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：DE102011085282

申请日：2011-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLOERKE RALF ,  STOLZE THILO

IPC: H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L23/24

Abstract: Leistungshalbleitermodul umfassend:ein elektrisch isolierendes Modulgehäuse (6) mit einer Oberseite (6t) und einer Unterseite (6b), die entgegengesetzte Seiten des Modulgehäuses (6) bilden und die in einer vertikalen Richtung (v) voneinander beabstandet sind;einen Leistungshalbleiterchip (8);ein Substrat (2), das den Leistungshalbleiterchip (8) trägt und das mittels eines Verbindungsmittels (8) mechanisch mit dem Modulgehäuse (6) verbunden ist;eine Vielzahl elektrischer Anschlüsse (91, 92, 93, 94), die sich vom Inneren des Modulgehäuses (6) zum Äußeren des Modulgehäuses (6) erstrecken, und die die Oberseite (6t) an Durchführungsstellen (65) durchdringen;einen ersten Dichtring (41), der auf der Oberseite (6t) des Modulgehäuses (6) angeordnet ist, so dass die Vielzahl elektrischer Anschlüsse (91, 92, 93, 94) in jeder zur vertikalen Richtung (v) senkrechten lateralen Richtung (r) innerhalb der lateralen Grenzen des ersten Dichtringes (41) angeordnet sind;ein Verbindungsmittel (7), mittels dem das Substrat (2) an die Unterseite (6b) des Modulgehäuses (6) geklebt ist; undeinen zweiten Dichtring (42), der auf der Unterseite (6b) des Modulgehäuses (6) angeordnet ist, wobeidas Verbindungsmittel (7) eine der Unterseite (6b) des Modulgehäuses (6) abgewandte Unterseite (7b) aufweist; undin jeder zur vertikalen Richtung (v) senkrechten lateralen Richtung (r) die äußeren lateralen Begrenzungen der Unterseite (7b) des Verbindungsmittels (7) innerhalb der inneren seitlichen Begrenzung (421) des zweiten Dichtringes (42) angeordnet sind.

公开(公告)号：DE102010000943B4

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102010000943

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BORGHOFF GEORG ,  STOLZE THILO

IPC: H01L23/04

Abstract: Leistungshalbleitermodul, welches ein Gehäuse mit einem erstem Gehäuseteil (1) und einem zweiten Gehäuseteil (2) umfasst, wobei- der erste Gehäuseteil (1) aus Kunststoff gebildet ist und auf seiner dem zweiten Gehäuseteil (2) zugewandten Seite ein Verankerungselement (3) aufweist, das mit einer ersten Einbuchtung (4) versehen ist;- der erste Gehäuseteil (1) als Gehäuseseitenwand oder als Gehäusedeckel oder als Teil einer Gehäuseseitenwand oder als Teil eines Gehäusedeckels ausgebildet ist;- der zweite Gehäuseteil (2) eine mit einer Hinterschneidung (51) versehene zweite Einbuchtung (5) aufweist, in der das Verankerungselement (3) angeordnet ist;- das Verankerungselement (3) in die Hinterschneidung (51) eingreift und dadurch eine formschlüssige Verbindung zwischen dem ersten Gehäuseteil (1) und dem zweiten Gehäuseteil (2) ausbildet;- ein Einsteckelement (6) in die erste Einbuchtung (4) und in die zweite Einbuchtung (5) eingesteckt ist, das ein Ausrücken des Verankerungselements (3) aus der Hinterschneidung (51) verhindert und dadurch die formschlüssige Verbindung sichert.

公开(公告)号：DE102008045615B4

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE102008045615

申请日：2008-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/603 ,  H01L23/053 ,  H01L23/28 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul umfassend ein Substrat (1), elektronische Bauelemente (2), die auf einer ersten Oberfläche des Substrates (1) angeordnet sind, und einen Kunststoffkörper (3), der auf der ersten Oberfläche des Substrates (1) anliegt und die Bauelemente (2) umhüllt, wobei der Kunststoffkörper (3) mindestens einen Kanal (3.1) aufweist, welcher senkrecht zur ersten Oberfläche durch den Kunststoffkörper hindurch verläuft, mindestens ein Kontaktelement (7, 8, 9, 10), das in dem Kanal (3.1) angeordnet und zur elektrischen Kontaktierung einer Leiterplatte (12) mit der ersten Oberfläche des Substrates (1) an diese durch die Wirkung einer elastischen Feder angedrückt ist.

公开(公告)号：DE102012215055A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102012215055

申请日：2012-08-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung wird ein dielektrischer Isolationsträger (20) mit einer Oberseite (20t) und einer auf der Oberseite (20t) angeordneten oberen Metallisierungsschicht (21) bereitgestellt. Ebenso bereitgestellt werden ein Halbleiterchip (1) und wenigstens ein elektrisch leitender Kontaktpin (3), wobei jeder Kontaktpin (3) ein erstes Ende (31) und ein dem ersten Ende (31) entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist. Der Halbleiterchip (1) wird durch Sintern oder Diffusionslöten mit der oberen Metallisierungsschicht (21) verbunden. Zwischen dem ersten Ende (31) und der oberen Metallisierungsschicht (21) Material des Kontaktpins (3) in direkten physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (31) gebracht wird.

公开(公告)号：DE102009002993B4

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：DE102009002993

申请日：2009-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF ,  KANSCHAT PETER

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/02 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04 ,  H02M1/00 ,  H05K7/20

Abstract: Leistungshalbleitermodul mit – einer Modulunterseite (102); – einem Gehäuse (104); – wenigstens zwei voneinander beabstandeten Schaltungsträgern (T1, T2, T3), von denen jeder eine dem Inneren des Gehäuses (104) zugewandte Oberseite (51) aufweist, sowie eine dem Inneren des Gehäuses (104) abgewandte Unterseite (52); – einer Anzahl elektrischer Anschlüsse (110), die im Inneren des Gehäuses (104) elektrisch leitend mit zumindest einem der Schaltungsträger (T1, T2, T3) verbunden sind, und die an der Oberseite (101) des Gehäuses (104) aus diesem heraus ragen; wobei – die elektrischen Anschlüsse (110) als Federkontakte zur Druckkontaktierung oder als Einpresskontakte ausgebildet sind; – die Unterseite (52) eines jeden der Schaltungsträger (T1, T2, T3) zumindest einen Abschnitt aufweist, der zugleich einen Abschnitt der Modulunterseite (102) bildet; und – zumindest eine zwischen zwei benachbarten Schaltungsträgern (T1, T2; T2, T3) angeordnete Montageeinrichtung (53), die eine Befestigung des Leistungshalbleitermoduls (100) an einem Kühlkörper...

公开(公告)号：DE102009002191B4

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：DE102009002191

申请日：2009-04-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAYERER REINHOLD ,  STOLZE THILO ,  HOHLFELD OLAF

IPC: H01L23/40 ,  H01L21/50 ,  H01L23/18 ,  H01L23/32 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07

Abstract: Leistungshalbleitermodul, das auf einem Kühlkörper (200) montierbar ist und das folgende Merkmale aufweist: – einen Leistungshalbleiterchip (1), der auf einem Substrat (2) angeordnet ist und der eine dem Substrat (2) zugewandte Unterseite (1b) aufweist, sowie eine Oberseite (1a), die sich auf der dem Substrat (2) abgewandten Seite des Leistungshalbleiterchips (1) befindet, und der außerdem eine auf der Oberseite (1a) angeordnete erste elektrische Kontaktfläche (11a) aufweist; – einen Bonddraht (3), der zumindest an einer ersten Bondstelle (31) und an einer zweiten Bondstelle (32) an die erste elektrische Kontaktfläche (11a) gebondet ist, und der zwischen der ersten Bondstelle (31) und der zweiten Bondstelle (32) einen ersten Bonddrahtabschnitt (312) aufweist, der durch den gesamten zwischen der ersten Bondstelle (31) und der zweiten Bondstelle (32) befindlichen Abschnitt des Bonddrahtes (3) gegeben ist, in dem der Bonddraht (3) von der ersten elektrischen Kontaktfläche (11a) beabstandet ist; – ein Anpresselement (4), das dazu...

公开(公告)号：DE102010038727A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：DE102010038727

申请日：2010-07-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KIRSCH OLAF ,  STOLZE THILO ,  ROEHRIG ANDRE ,  KANSCHAT PETER DR

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/049

Abstract: Die Erfindung betrifft Leistungshalbleitermodule mit einem Gehäuseelement (40), in das Anschlusslaschen (3) eingesteckt sind. Die Anschlusslaschen (3) weisen Fußbereiche (31) auf, auf deren Oberseiten 31t Bondverbindungen herstellt werden sollen. Um die Fußbereiche (31) zu fixieren, sind Anpresselemente (42) vorgesehen, die gegen das Ende (35) der Anschlusslasche (3) pressen.

公开(公告)号：DE102010000943A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010000943

申请日：2010-01-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BORGHOFF GEORG ,  STOLZE THILO

IPC: H01L23/04

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul, welches ein Gehäuse mit einem erstem Gehäuseteil (1) und einem zweiten Gehäuseteil (2) umfasst. Der erste Gehäuseteil (1) weist auf seiner dem zweiten Gehäuseteil (2) zugewandten Seite ein Verankerungselement (3) auf, das mit einer ersten Einbuchtung (4) versehen ist. Der zweite Gehäuseteil (2) umfasst eine mit einer Hinterschneidung (51) versehene zweite Einbuchtung (5), in der das Verankerungselement (3) angeordnet ist. Zur Realisierung einer mechanisch festen Verbindung zwischen dem ersten Gehäuseteil (1) und dem zweiten Gehäuseteil (2) wird in die erste Einbuchtung (4) und in die zweite Einbuchtung (5) ein Einsteckelement (6) eingesteckt, wodurch das Verankerungselement (3) quer zur Einsteckrichtung (z) verdrängt wird und dadurch in die Hinterschneidung (51) eingreift, so dass eine formschlüssige Verbindung zwischen dem ersten Gehäuseteil (1) und dem zweiten Gehäuseteil (2) entsteht. Die Einsteckvorrichtung (6) verhindert ein Ausrückendes Verankerungselements (3) aus der Hinterschneidung (51).