Infrarotlichtdetektor und Herstellung desselben

    公开(公告)号:DE102008053083A1

    公开(公告)日:2010-07-15

    申请号:DE102008053083

    申请日:2008-10-24

    Applicant: PYREOS LTD

    Inventor: GIEBELER CARSTEN

    Abstract: Ein Infrarotlichtdetektor weist ein erstes Substrat, das einen Sensorchip mit einer Bestrahlungsfläche aufweist, die mit Infrarotlicht bestrahlbar ist, das von dem Sensorchip in ein elektrisches Signal umwandelbar ist, und ein zweites Substrat auf, das ein Fenster aufweist, das unmittelbar benachbart zu der Bestrahlungsfläche angeordnet ist und eingereicht ist, Infrarotlicht von einer vorbestimmten Wellenlänge auszublenden, wobei die Abmaße des Fensters und dessen Abstand zur Bestrahlungsfläche derart dimensioniert sind, dass das von dem Fenster durchgelassene Infrarotlichtvollständig auf den Sensorchip trifft.

    Device having a sandwich structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device

    公开(公告)号:AU2008256414A1

    公开(公告)日:2008-12-04

    申请号:AU2008256414

    申请日:2008-05-28

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: In a device for the detection of thermal radiation and a method for production of such a device, a stack is formed with a detector support having a detector element for converting the thermal radiation into an electric signal, a circuit support with a read-out circuit for reading out the electrical signal and a cover to shield the detector element. The detector support and the cover are so arranged that a first stack cavity is formed between the detector element and the cover and a second stack cavity is formed between detector support and the circuit support. The first stack cavity and/or the second stack cavity is evacuated and hermetically sealed. In the manufacturing operation, functionalized silicon-substrates are stacked upon one another, firmly bonded together and subsequently sub-divided. Preferably, the detector elements are pyro-electric detector elements. The device finds application in motion detectors, presence reporters and thermal-image cameras.

    Schalterbetätigungseinrichtung, mobiles Gerät und Verfahren zum Betätigen eines Schalters durch eine nicht-taktile Geste

    公开(公告)号:DE102014017585A1

    公开(公告)日:2016-06-02

    申请号:DE102014017585

    申请日:2014-11-27

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben einer Schalterbetätigungseinrichtung (11) mit den Schritten: Ausgeben von den Pixeln der Signalausschläge (49, 79) hervorgerufen in der Annäherungsphase (3) und der Signalausschläge (50, 80) hervorgerufen in der Translationsphase an die Signalauswerteeinheit, indem die nicht-taktile Geste mit dem Wärme emittierenden Teil ausgeübt wird, wobei zwischen den Signalausschlägen während der Wartephase (4) vom Signal ein Warteniveau erreicht wird, das einen geringeren Betrag hat als die Beträge der Extremwerte der Signalausschläge; Überwachen des Signals und identifizieren des Auftretens einer Aufeinanderfolge der Signalausschläge und dem zeitlich dazwischen liegenden Warteniveau des Signals; Sobald die Aufeinanderfolge identifiziert wurde, Fortfahren mit dem nächsten Schritt; Überprüfen, ob die Signalausschläge hervorgerufen in der Annäherungsphase eine entgegengesetzte Richtung haben wie die Signalausschläge hervorgerufen in der Translationsphase; Ist die Überprüfung positiv, Fortfahren mit den nächsten Schritt; Überprüfen, ob der Zeitversatz der Signalausschläge hervorgerufen in der Annäherungsphase innerhalb einer ersten vorherbestimmten Zeitspanne liegt; Ist die Überprüfung positiv, Fortfahren mit dem nächsten Schritt; Überprüfen, ob der Zeitversatz des zeitlich ersten und des zeitlich letzten Signalausschlags hervorgerufen in der Translationsphase innerhalb zweier Schwellenwerte liegt, deren unterer Schwellenwert größer als Null ist.

    ATR-Infrarotspektrometer
    26.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102013114244B3

    公开(公告)日:2015-01-22

    申请号:DE102013114244

    申请日:2013-12-17

    Abstract: Ein ATR-Infrarotspektrometer (1) zur Analyse der chemischen Zusammensetzung einer Probe weist einen langgestreckten ATR-Kristall (2) und eine unmittelbar an einer am einen Längsende des ATR-Kristalls (2) angeordneten Eintrittsfläche (4) des ATR-Kristalls (2) angeordneten Infrarotlichtemitterzeile (8) sowie eine am anderen Längsende des ATR-Kristalls (2) angeordneten Infrarotlichtdetektorzeile (10) auf, wobei Infrarotlicht, das von der Infrarotlichtemitterzeile (8) emittiert ist, unmittelbar in den ATR-Kristall (2) via die Eintrittsfläche (4) eintritt und in dem ATR-Kristall (2) zur Infrarotlichtdetektorzeile (10) unter Totalreflektion und in Wechselwirkung mit der Probe, die zwischen der Infrarotlichtemitterzeile (8) und der Infrarotlichtdetektorzeile (10) benachbart zum ATR-Kristall (2) angeordnet ist, geführt ist, wobei die Gesamterstreckung (13) aller Infrarotlicht detektierenden Bereiche (18) der Infrarotlichtdetektorzeile (10) bezogen auf die Richtung senkrecht zur Längsachse (21) des ATR-Kristalls maximal der Breite (14) des ATR-Kristalls (2) entspricht und größer ist als die Gesamterstreckung (12) aller Infrarotlicht emittierenden Bereiche (17) der Infrarotlichtemitterzeile (8).

    27.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:BRPI0812098A2

    公开(公告)日:2014-11-25

    申请号:BRPI0812098

    申请日:2008-05-28

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: In a device for the detection of thermal radiation and a method for production of such a device, a stack is formed with a detector support having a detector element for converting the thermal radiation into an electric signal, a circuit support with a read-out circuit for reading out the electrical signal and a cover to shield the detector element. The detector support and the cover are so arranged that a first stack cavity is formed between the detector element and the cover and a second stack cavity is formed between detector support and the circuit support. The first stack cavity and/or the second stack cavity is evacuated and hermetically sealed. In the manufacturing operation, functionalized silicon-substrates are stacked upon one another, firmly bonded together and subsequently sub-divided. Preferably, the detector elements are pyro-electric detector elements. The device finds application in motion detectors, presence reporters and thermal-image cameras.

    Device having a membrane structure for detecting thermal radiation, method of production and use of the device

    公开(公告)号:AU2008256413B2

    公开(公告)日:2013-09-12

    申请号:AU2008256413

    申请日:2008-05-28

    Applicant: PYREOS LTD

    Abstract: The invention relates to a device for detecting thermal radiation, comprising at least one membrane on which at least one thermal detector element for converting the thermal radiation to an electrical signal is arranged, and at least one circuit carrier for carrying the membrane and for carrying at least one readout circuit for reading out the electrical signal, the detector element and the readout circuit being electrically interconnected through the membrane through an electrical via. The invention also relates to a method for producing said device by way of the following process steps: a) providing the membrane having the detector element and at least one electrical via and providing the circuit carrier, and b) uniting the membrane and the circuit carrier in such a manner that the detector element and the readout circuit are electrically interconnected through the membrane through an electrical via. The production is preferably carried out on the wafer level: Functionalized silicon substrates are stacked, firmly interconnected and then subdivided. The detector elements are preferably pyroelectric detector elements. The device according to the invention is used in motion detectors, presence detectors and thermal imaging cameras.

    Infrarotlichtsensorchip mit hoher Messgenauigkeit und Verfahren zum Herstellen des Infrarotlichtsensorchips

    公开(公告)号:DE102011056610A1

    公开(公告)日:2013-06-20

    申请号:DE102011056610

    申请日:2011-12-19

    Applicant: PYREOS LTD

    Inventor: GIEBELER CARSTEN

    Abstract: Ein Infrarotlichtsensorchip weist ein Substrat (2), einen Infrarotlichtsensor (9), der eine Basiselektrode (10) aufweist, die an einer Seite (8) des Substrats (2) unmittelbar anliegt und mittels der der Infrarotlichtsensor (9) an dem Substrat (2) befestigt ist, und ein Widerstandsthermometer (13) auf, das eine Widerstandsbahn (14) aufweist, die unmittelbar an der Seite (8) des Substrats (2) neben dem Infrarotlichtsensor (9) anliegt und für eine Messung der Temperatur des Substrats (2) durch das Widerstandsthermometer (13) eingerichtet ist, wobei die Widerstandsbahn (14) aus dem Material der Basiselektrode (10) hergestellt ist.

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