公开(公告)号：FR3069377B1

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：FR1756935

申请日：2017-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

Abstract: Circuit intégré comportant au moins un transistor MOS (T1) situé dans et sur un substrat semi-conducteur (SB) et ayant une région de drain (11), une région de source (13) et une région de grille (14), la région de grille comportant une première région (16) isolée de et située au-dessus du substrat et une deuxième région (18) isolée de et située au-dessus de la première région, la première région (16) ayant une première longueur (L16) comptée dans la direction drain source et la deuxième région (18) ayant une deuxième longueur (L18) comptée dans la direction drain source, la première longueur (L16) étant plus grande que la deuxième longueur (L18), la première région (16) débordant longitudinalement dans la direction drain source au moins d'un côté de la deuxième région (18) au-dessus d'au moins l'une des régions de source et de drain.

公开(公告)号：FR3069374B1

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：FR1756937

申请日：2017-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  BOUTON GUILHEM ,  FORNARA PASCAL ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/331

Abstract: Circuit intégré (CI) comprenant au moins un transistor MOS (T3) réalisé sur et dans une zone active (ZA) comportant une région de source (13), une région de drain (11), la zone active (ZA) étant entourée d'une région isolante (10), le transistor ayant une région de grille (14) comprenant deux flancs (FLA, FLB) s'étendant transversalement à la direction source-drain, chevauchant deux bords opposés (BD1, BD2) de la zone active, et possédant au niveau de chaque zone de chevauchement au moins une languette (17) saillant au pied d'au moins un flanc de la région de grille (14) et recouvrant une partie de la zone active et une partie de la région isolante.

公开(公告)号：FR3069369B1

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：FR1756938

申请日：2017-07-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DELALLEAU JULIEN ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/8232 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur (SB) et une partie d'interconnexion (10), au moins une zone de substrat (13) située dans le substrat et délimitée par une zone isolante (11), et une région de polysilicium (20) comportant au moins une partie située sur ladite zone isolante (11), ladite au moins une partie de la région de polysilicium (20) comportant à son pied une languette (21) s'étendant au dessus de la zone isolante (11) en direction de ladite au moins une zone de substrat, une région isolante (30) située entre le substrat et ladite partie d'interconnexion et recouvrant ladite au moins une zone de substrat (16) et ladite région de polysilicium (20), et un plot (Ep) électriquement conducteur traversant ladite région isolante (30) et possédant une première extrémité (Exp1) en contact électrique avec une portion de la languette (21) et avec une partie de ladite au moins une zone (16) de substrat et une deuxième extrémité (Exp2) en contact électrique avec ladite partie d'interconnexion (10).

公开(公告)号：FR3038774B1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1556470

申请日：2015-07-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： DELALLEAU JULIEN ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR3012672A1

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：FR1360742

申请日：2013-10-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire (C31) comprenant une grille de sélection verticale (SG) s'étendant dans une tranchée (10) pratiquée dans un substrat, une grille flottante (FG) s'étendant au-dessus du substrat, et une grille de contrôle horizontale (CG) s'étendant au-dessus de la grille flottante (FG), dans laquelle la grille flottante (FG) s'étend également au-dessus d'une partie de la grille de sélection verticale (SCG) sur une distance de recouvrement (Dov) non nulle. Application notamment à la réalisation d'une cellule mémoire à grille divisée programmable par injection d'électrons chauds.

公开(公告)号：FR2946458A1

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：FR0953702

申请日：2009-06-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV AIX MARSEILLE 1 PROVENCE

Inventor： SCHWARZ CHRISTIAN ,  MONSERIE CHRISTOPHE ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L27/20

Abstract: Circuit intégré, comprenant au moins un espace clos tridimensionnel (CG) ménagé au sein dudit circuit intégré (CI) et contenant au moins un élément piézo-électrique (EPZ1), au moins un objet (BL) logé de façon libre dans l'espace clos ou chaque espace clos tridimensionnel, et des moyens de sortie électriquement conducteurs (MSE), couplés au ou aux éléments piézo-électriques, et configurés pour délivrer une énergie électrique résultant d'au moins un choc entre l'objet ou l'un au moins des objets et l'élément piézo-électrique ou l'un au moins des éléments piézo-électriques lors d'un mouvement relatif du ou des objets et de l'espace clos ou des espace clos correspondants.