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    21.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602006000534D1

    公开(公告)日：2008-03-27

    申请号：DE602006000534

    申请日：2006-08-28

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： NAURA DAVID ,  KARI AHMED ,  MOREAUX CHRISTOPHE ,  RIZZO PIERRE

    IPC: G11C16/22

    Abstract: The circuit has a memory (MEM1) containing transaction data, with electrically erasable and programmable memory cells (C i, j) arranged in horizontal and vertical lines, and linked to word lines (WL i) and bit lines (BL j). A control unit (CTU) executes commands for reading or writing in the memory. The CTU is blocked when reference memory cells of one of the groups contain bits of equal value and if the value is different from a value expected for the one of the groups. The CTU controls a voltage generator (VGEN) which supplies a read voltage (Vread) and an erase-programming voltage (Vpp). An independent claim is also included for a method for protecting an integrated circuit against a global data erasure.

    PROCEDE ET DISPOSITIF DE VERIFICATION DE L'EXECUTION D'UNE COMMANDE D'ECRITURE DANS UNE MEMOIRE
    23.
    发明专利
    PROCEDE ET DISPOSITIF DE VERIFICATION DE L'EXECUTION D'UNE COMMANDE D'ECRITURE DANS UNE MEMOIRE 未知

    公开(公告)号：FR2894710A1

    公开(公告)日：2007-06-15

    申请号：FR0512631

    申请日：2005-12-14

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： KARI AHMED ,  MOREAUX CHRISTOPHE ,  NAURA DAVID ,  RIZZO PIERRE

    IPC: G11C29/52 ,  G11C7/24

    Abstract: L'invention concerne un procédé d'exécution d'une commande d'écriture d'un mot binaire dans une mémoire programmable, comprenant des étapes d'écriture de chacun des bits (RB) dans un état programmé d'un mot binaire à écrire (D) dans une cellule mémoire correspondante de la mémoire, de lecture de chaque bit (MB) du mot écrit dans la mémoire (MEM) correspondant à un bit (RB) à l'état programmé du mot à écrire, de comparaison de chaque bit (RB) à l'état programmé du mot à écrire à un bit correspondant (MB) lu dans la mémoire, et de génération d'un signal d'erreur (ER) si au moins un bit du mot à écrire à l'état programmé est différent du bit correspondant lu. Application de l'invention notamment aux circuits intégrés pour carte à puce.

    PROCEDE DE LECTURE DU PLAN MEMOIRE D'UNE ETIQUETTE SANS CONTACT
    27.
    发明专利
    PROCEDE DE LECTURE DU PLAN MEMOIRE D'UNE ETIQUETTE SANS CONTACT 未知

    公开(公告)号：FR2870619A1

    公开(公告)日：2005-11-25

    申请号：FR0405426

    申请日：2004-05-18

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： MOREAUX CHRISTOPHE ,  RIZZO PIERRE

    IPC: G06K7/00 ,  G06K19/077

    Abstract: Un Procédé de lecture d'un groupe de mots mémoires dans une mémoire en circuit intégré d'une étiquette sans contact, comprenant l'émission par une unité d'interrogation distante vers l'étiquette sans contact d'une commande spécifique de lecture du groupe de mots mémoires à partir d'une adresse de départ donnée, l'initialisation d'un compteur d'adresse de l'étiquette sans contact à la valeur de l'adresse de départ donnée, et l'émission par l'étiquette sans contact du mot mémoire à l'adresse de départ, ainsi qu'un processus itératif comportant successivement un première étape d'émission par l'unité d'interrogation distante vers l'étiquette sans contact d'un marqueur d'incrémentation reconnaissable par l'étiquette sans contact, une deuxième étape d'incrémentation du compteur d'adresse de l'étiquette sans contact en réponse au marqueur d'incrémentation, et, une troisième étape d'émission par l'étiquette sans contact vers l'unité d'interrogation distante d'une trame de données comprenant le mot mémoire stocké dans la mémoire à l'adresse pointée par la valeur courante du compteur d'adresse.

    30.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2835119B1

    公开(公告)日：2005-03-18

    申请号：FR0200899

    申请日：2002-01-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  GEMPLUS CARD INT

    Inventor： RIZZO PIERRE

    IPC: G06K19/07 ,  H03D1/18 ,  H03K5/08

    Abstract: The amplitude demodulator has a peak detection circuit (10) extracting a reference modulation signal and a translation circuit (12) to shift the reference signal to offset its direct component. A threshold is generated (14) to act as reference for modulation start and finish. A comparator (16) compares the shifted signal to the threshold signal to activate supply (20) to components on the chip.

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