Générateur de nombres aléatoires
    22.
    发明公开
    Générateur de nombres aléatoires 有权
    随机数字发生器

    公开(公告)号:EP1424774A1

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:EP03300232.0

    申请日:2003-11-26

    CPC classification number: G06F7/588 H03K3/84

    Abstract: L'invention concerne un générateur de nombres aléatoires par une bascule dont une entrée de donnée (D) reçoit un premier signal à une première fréquence (HF) comprise dans une plage prédéterminée et dont la valeur instantanée est conditionnée par un signal perturbateur, et dont une entrée d'horloge (CLK) reçoit un deuxième signal à une deuxième fréquence prédéterminé (BF), inférieure à la première, ledit deuxième signal traversant un élément retardateur (6) lui apportant un retard supérieur ou égal à la période maximale du premier signal.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有锁存器的随机数发生器,其数据输入(D)以预定范围内的第一频率(HF)接收第一信号,并且其瞬时值由干扰信号调节,并且其 时钟输入(CLK)以小于第一个的第二预定频率(BF)接收第二信号,所述第二信号通过延迟元件(6),使其延迟大于或等于第一信号的最大周期 。

    Transmission en duplex dans un système de transpondeurs électromagnétiques
    25.
    发明公开
    Transmission en duplex dans un système de transpondeurs électromagnétiques 有权
    电子电报系统中的Duplexübertragung

    公开(公告)号:EP1043678A1

    公开(公告)日:2000-10-11

    申请号:EP00410031.9

    申请日:2000-04-06

    CPC classification number: G06K7/0008

    Abstract: L'invention concerne un procédé de transmission entre deux éléments choisis parmi une borne (40) et un transpondeur (10), chaque élément comprenant un circuit oscillant (L1-24, L2C2), un moyen de modulation et un moyen de démodulation, consistant à effectuer simultanément une transmission en modulation d'amplitude d'un signal émis d'un premier vers un deuxième élément et une transmission d'un signal (Rx) du deuxième vers le premier élément propre à subir une démodulation de phase dans ce dernier, et en ce que le taux de modulation (tm) d'amplitude est inférieur à 100 %.

    Abstract translation: 终端(40)和应答器(10)包含对应的振荡电路(Li,Ci,24,L2,C2)。 信号的AM传输向接收器发送边界标记,信号(Rx)在边界标记中进行相位解调。 幅度的深度o调制(tm)低于100%。 独立权利要求包括:(a)执行要求保护的方法的终端(b)应答器

    Cellules mémoire multi-niveaux à programmation unique
    30.
    发明公开
    Cellules mémoire multi-niveaux à programmation unique 审中-公开
    多位一次性可编程

    公开(公告)号:EP1416497A3

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:EP03300164.5

    申请日:2003-10-16

    CPC classification number: G11C17/165 G11C11/5692 G11C17/14

    Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire multi-niveaux, comportant : un élément de mémorisation constitué de plusieurs résistances (Rp1, Rp2, Rp3, Rp4, Rp5, Rp6) en silicium polycristallin associées en série entre deux bornes (11, 12) d'entrée-sortie ; et une charge (Rf) en série avec ledit élément résistif, le point milieu (12) de cette association en série constituant une borne de lecture de la cellule mémoire, et les points milieux (14, 15, 17, 18, 19) respectifs entre lesdites résistances de l'élément de mémorisation étant accessibles.

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