Abstract:
L'invention concerne un générateur de nombres aléatoires par une bascule dont une entrée de donnée (D) reçoit un premier signal à une première fréquence (HF) comprise dans une plage prédéterminée et dont la valeur instantanée est conditionnée par un signal perturbateur, et dont une entrée d'horloge (CLK) reçoit un deuxième signal à une deuxième fréquence prédéterminé (BF), inférieure à la première, ledit deuxième signal traversant un élément retardateur (6) lui apportant un retard supérieur ou égal à la période maximale du premier signal.
Abstract:
L'invention concerne un procédé de différenciation de circuits intégrés reproduisant des fonctions identiques par stockage d'un code binaire dans un élément de mémorisation non volatil prévu dans chaque circuit, consistant à prévoir, pour chaque circuit d'un même réticule, une implantation sélective de dopants de son élément de mémorisation qui est différente des implantations sélectives des dopants des éléments de mémorisation des autres circuits.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif de production d'un champ électromagnétique au moyen d'un premier circuit oscillant (L1, C1) excité par un signal haute fréquence, comportant, à distance du premier circuit oscillant, un deuxième circuit oscillant passif, non chargé (L3, C3) et depourvu de noyau magnétique, formant un élément (20) concentrateur du flux magnétique destiné à être capté par un transpondeur (10) au moyen d'un troisième circuit oscillant (L2, C2).
Abstract:
L'invention concerne un procédé de transmission entre deux éléments choisis parmi une borne (40) et un transpondeur (10), chaque élément comprenant un circuit oscillant (L1-24, L2C2), un moyen de modulation et un moyen de démodulation, consistant à effectuer simultanément une transmission en modulation d'amplitude d'un signal émis d'un premier vers un deuxième élément et une transmission d'un signal (Rx) du deuxième vers le premier élément propre à subir une démodulation de phase dans ce dernier, et en ce que le taux de modulation (tm) d'amplitude est inférieur à 100 %.
Abstract:
L'invention concerne une cellule mémoire multi-niveaux, comportant : un élément de mémorisation constitué de plusieurs résistances (Rp1, Rp2, Rp3, Rp4, Rp5, Rp6) en silicium polycristallin associées en série entre deux bornes (11, 12) d'entrée-sortie ; et une charge (Rf) en série avec ledit élément résistif, le point milieu (12) de cette association en série constituant une borne de lecture de la cellule mémoire, et les points milieux (14, 15, 17, 18, 19) respectifs entre lesdites résistances de l'élément de mémorisation étant accessibles.