公开(公告)号：CN100440392C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410086126.1

申请日：2001-02-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。

公开(公告)号：CN101093749A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710137992.2

申请日：2007-06-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小岛畅 ,  M·柳田 ,  细野雅和 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物的制造方法，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分，所述钛酸钡组成式BamTiO2+m中的m为0.990＜m＜1.010；含有R氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种)的第4副成分；至少含有BaO的其它副成分。该方法具有使主成分原料和第4副成分的原料的至少一部分预先反应，准备反应过的原料的工序，并且当相对于主成分100摩尔，其它副成分中的BaO为n摩尔时，组成式Bam+n/100TiO2+m+n/100中的m和n满足0.994＜m+n/100＜1.014。根据本发明，可以提供在不使容量温度特性、IR、IR加速寿命等变差的条件下，能够提高相对介电常数的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

公开(公告)号：CN1307666C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN02802059.6

申请日：2002-04-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日比贵子 ,  中野幸惠 ,  由利俊一 ,  牛岛孝嘉 ,  佐藤阳 ,  高原弥 ,  吉井昌子

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/638 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

Abstract: 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。

公开(公告)号：CN1619727A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410103803.6

申请日：2004-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/64 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/63 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其具有主成分原料和副成分原料的烧结步骤，烧结前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035，比表面积为8～50m2/g。根据本发明，能提供一种由微细颗粒构成的、即使在电容器薄层化的情况下仍具有良好的电特性和温度特性的介电陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN1610026A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410095182.1

申请日：2004-10-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种多层陶瓷电容器，其具有内部电极层和介电体层，其特征在于，上述介电体层的厚度在2.0μm以下，通过用上述介电体层的厚度除以构成上述介电体层的介电体粒子的平均粒径来求得的介电体层的每一层的平均粒子数在3个以上、6个以下。

公开(公告)号：CN1506987A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200410001482.9

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’

公开(公告)号：CN1317458A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01119630.0

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  渡边康夫 ,  福井隆史 ,  高桥三喜夫

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性的诸如片状电容器的电子器件。

公开(公告)号：CN1257052A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99119110.2

申请日：1999-07-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  野村武史 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物,及使用该组合物的层叠陶瓷电容器等的电子部件。该组合物至少包括:作为主成分的BaTiO3,含选自MgO、CaO、BaO、SrO和Cr2O3中的至少一种的第一副成分,为(Ba,Ca)xSiO2+x(x=0.8～1.2)的第二副成分,含选自V2O5、MoO3、WO3中至少一种的第三副成分,含R1氧化物(R1是选自Sc、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第四副成分,以BaTiO3为100摩尔,各副成分的比例是,第一副成分0.1～3摩尔,第二副成分2～10摩尔,第三副成分0.01～0.5摩尔,第四副成分0.5～7摩尔(但第四副成分的摩尔数是R1单独的比例)。

公开(公告)号：CN116598045B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202211590424.9

申请日：2022-12-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木真一 ,  武藤和也 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  H01B3/02 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本发明提供一种具有由通式AMO3表示的钙钛矿结构的主成分颗粒的电介质陶瓷组合物，A位点包含Ba，M位点包含Ti，电介质陶瓷组合物含有第四A副成分，第四A副成分含有Fe和Mn，以金属元素换算计，Mn相对于Fe和Mn的合计的摩尔比为0.18～0.65。

公开(公告)号：CN1978382B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200510136399.7

申请日：2005-11-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 伊东和重 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/628 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/6281 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62897 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/785 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01L41/1871 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/2996

Abstract: 提供一种叠层陶瓷电容器，其确保高的介电常数和良好的温度特性，而且改善了IR温度依赖性。根据本发明，能够提供一种电介质陶瓷组合物，叠层陶瓷电容器1具有由电介质陶瓷组合物构成的电介质层2和内部电极层3交互地叠层而得到的电容器元件主体10，上述电介质陶瓷组合物是含有多个晶粒2a而构成的，在上述晶粒2a中，至少形成上述Ca从该晶粒的表面向内部扩散的Ca扩散区域25a，在以示出平均粒径D50值的晶粒2a作为对象的情况，上述Ca扩散区域25a的平均深度T控制在上述D50的10～30％的范围。