公开(公告)号：CN102947014A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030571.4

申请日：2011-06-21

Applicant: 国际壳牌研究有限公司

Inventor： G·J·哈顿 ,  A·P·梅塔 ,  C·K·蔡

IPC: B05D7/22

CPC classification number: B65D25/14 ,  B05D1/62 ,  B05D5/08 ,  B05D5/083 ,  B05D7/222 ,  E21B17/01 ,  E21B43/01 ,  F16L9/00 ,  F16L55/24 ,  F16L58/04

Abstract: 一种非粘性设备，所述设备包括：包含第一材料的流体-固体物流贮存或输送设施；包含第二材料的在所述设施内表面上的涂层；其中所述第二材料对蜡沉积物的粘附力降低至小于第一材料对蜡沉积物的粘附力的30%。

公开(公告)号：CN102899637A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210369589.3

申请日：2008-09-25

Applicant: P2I有限公司

Inventor： 马尔科姆·伍德科克

IPC: C23C16/44 ,  B05D7/24

CPC classification number: C23C16/4485 ,  B05D1/60 ,  B05D1/62 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/86187

Abstract: 一种传输系统（10），用于将物质传输至处理室（14）以将所期望的表面性质赋予一个或多个诸如鞋子的大物品，该系统包含：第一容器（16），其用于填充液体物质；第二容器（18），其用于接收来自第一容器（16）的液体物质；第一流量控制装置（20），其用于控制允许从第一容器流向第二容器（18）的液体物质的量；蒸发装置（30），其用于蒸发第二容器中的液体物质；和第二流量控制装置（38），其用于控制从第二容器（18）流向处理室（14）的蒸发物质的流量。

公开(公告)号：CN102883826A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180010947.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 门户医疗有限公司

Inventor： 达伦·布罗姆利-达文波特 ,  保罗·斯蒂文森

IPC: B05D7/24 ,  A61M15/00

CPC classification number: B05D1/62 ,  A61M15/009 ,  A61M2205/0222 ,  A61M2205/0238 ,  A61M2207/00 ,  B05D5/083 ,  B05D7/14 ,  B05D7/22 ,  B05D7/227 ,  B65D83/386 ,  B65D83/54 ,  Y10T29/49885

Abstract: 根据本发明，提供了一种处理药剂分配器装置的部件的方法，所述部件具有一个或多个在所述装置的存放或使用期间与所述药剂接触的表面，所述方法包括以下步骤：提供所述部件；以及通过等离子体沉积涂布所述表面中的至少一个，以由此抑制所述药剂的表面沉积或降解，其中所述等离子体沉积的至少一部分在DC偏压控制下进行。

公开(公告)号：CN101222983B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200680024873.X

申请日：2006-07-07

Applicant: 康邦权

Inventor： 康邦权

IPC: B05D3/14

CPC classification number: C23C16/50 ,  B05D1/62 ,  B05D5/083 ,  B05D2201/04 ,  B05D2202/00 ,  B05D2203/35 ,  C23C16/22 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明涉及一种使用常压等离子体在工件表面涂覆碳氟化合物或烃的方法。更特别的，本发明涉及一种使用在常压产生的等离子体在工件表面涂覆烃或碳氟化合物从而使得该工件可以具有疏水性或超疏水性表面的方法。根据本发明采用碳氟化合物将工件表面涂覆成疏水的或超疏水的的方法包括步骤，通过将一种反应气体供入一个形成在第一电极和第二电极之间的放电空间，产生第一常压辉光等离子体，该反应气体包括氢气、碳氟化合物气体和惰性气体，第一和第二电极被连接到一个常压等离子体发生器的RF电源；将该工件靠近流过该放电空间的反应气体下游的第一电极，由此，在该放电空间产生的等离子体被传递到第一电极和该工件之间的空间，以在其中产生第二常压辉光等离子体，借此，一种碳氟化合物涂层可被形成在该工件的表面上。

公开(公告)号：CN101528975B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780039001.5

申请日：2007-10-18

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 莫塞斯·M·大卫 ,  史蒂文·J·马丁 ,  鲁道夫·达姆斯 ,  韦恩·W·凡

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  B05D7/24 ,  C23C28/04

CPC classification number: B05D5/083 ,  B05D1/62 ,  B05D7/14 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  C23C28/00 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31544 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开一种形成易于清洁的金属或金属化基底的方法，所述方法包括通过等离子沉积在所述基底的至少一部分表面上形成包括硅、氧和氢的层；以及将包括至少一个硅烷基团的至少部分氟化的组合物施加到包括硅、氧和氢的所述层的至少一部分表面上；以及通过所述方法制备的易于清洁的制品。

公开(公告)号：CN101450995B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810182570.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 郑东根 ,  李晟宇 ,  禹知亨

IPC: C08G77/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数等离子聚合薄膜，其使用直链有机/无机前驱体的低介电常数等离子聚合薄膜和通过等离子增强化学气相沉积和使用RTA装置退火来制造。该低介电常数等离子聚合薄膜由于具有非常高的热稳定性、低的介电常数和优良的机械性能，可有效用于具有该薄膜结构的多层金属薄膜的制备。

公开(公告)号：CN102387921A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015944.6

申请日：2010-03-24

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 星慎一 ,  近藤健 ,  上村和惠 ,  铃木悠太

IPC: B32B27/00 ,  C08J7/00 ,  C23C14/48

CPC classification number: C23C14/48 ,  B05D1/62 ,  B05D3/148 ,  B05D2252/02 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将烃化合物的离子注入到含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。本发明也公开了：所述成形物的制备方法，所述方法包括将烃化合物的离子注入成形体的含聚有机硅氧烷化合物的层的表面部分的步骤，所述成形体在表面具有含聚有机硅氧烷化合物的层；一种由所述成形物组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、透明度、弯曲性质、抗静电性质和表面平滑性的成形体；所述成形物的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件和提供有所述电子装置元件的电子装置。

公开(公告)号：CN101175868B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200680016061.0

申请日：2006-05-10

Applicant: 陶氏康宁爱尔兰有限公司

Inventor： S·利德利 ,  N·谢泼尔 ,  L·奥尼尔 ,  F·古贝尔斯

IPC: C23C16/02

CPC classification number: C09J5/02 ,  B05D1/62 ,  C23C4/02 ,  C23C4/18 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31515 ,  Y10T428/31551 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种粘结胶粘体到基底上的方法，其中通过等离子体沉积施加底漆到基底上，和将胶粘体粘结到基底的底漆处理过的表面上，和底漆含有可与胶粘体内的官能团化学键合的官能团。

公开(公告)号：CN1961093B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200480041262.7

申请日：2004-11-23

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： C·沙尔东 ,  M·法兰 ,  M·克鲁格 ,  N·希勒 ,  S·施特拉赫

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  B05D7/24

CPC classification number: C23C14/10 ,  B05D1/62 ,  C23C14/081 ,  C23C16/401

Abstract: 本发明涉及通过用叠层真空涂覆基材以制备超阻挡层体系的方法，该叠层由修整层和透明陶瓷层以交替层体系形成，但在由溅射涂覆的两层透明陶瓷层之间至少具有一层修整层，在淀积修整层时，将单体引入运行有磁控管等离子体的抽真空的涂覆室中。

公开(公告)号：CN101842874A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880114346.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 分子间公司

Inventor： 里克·恩多 ,  库尔特·魏纳 ,  因德拉尼尔·德 ,  詹姆士·宗 ,  赵茂生

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  B05B14/30 ,  B05B16/80 ,  B05D1/10 ,  B05D1/62 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/50 ,  Y10S438/942

Abstract: 本发明的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。