-
公开(公告)号：CN107249758A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076236.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 福莱森斯有限公司
Inventor： 金起范
IPC: B05D1/12
CPC classification number: G01N21/554 , B05D1/18 , B05D3/145 , B05D3/147 , B05D7/02 , B05D2201/00 , B82Y30/00
Abstract: 所公开的技术涉及使用表面等离子体共振技术检测分子的方法、装置和系统，更具体地涉及采用在基底上形成的金属纳米颗粒的表面等离子体共振技术。在一个方面，制备金属纳米颗粒层的方法包括提供包含粘合剂聚合物和溶剂的液体组合物，以及将包括聚合物表面的制品至少部分浸入到液体组合物中，其中所述聚合物表面包括聚合材料并且不包括无机玻璃或晶体材料。该方法另外包括向液体组合物施加气相等离子体，以促进粘合剂聚合物与所述聚合物表面的聚合材料之间的化学反应，从而在制品的聚合物表面上形成粘合剂层。该方法还包括将金属纳米颗粒施加到粘合剂层上，以在粘合剂层上形成金属纳米颗粒层。
-
公开(公告)号：CN103732669A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280040103.X
申请日：2012-08-13
Applicant: 3M创新有限公司
Inventor： 余大华 , 莫塞斯·M·大卫 , 道格拉斯·S·邓恩 , 塞思·M·柯克 , 布兰特·U·科尔布 , 威廉·布莱克·科尔布 , 马克·A·斯特罗贝尔 , 张俊颖
CPC classification number: G02B1/04 , B05D3/145 , B05D7/04 , B05D2601/22 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K9/04 , C08K9/08 , C09D5/006 , C09D7/67 , G02B2207/101 , Y10T428/24372
Abstract: 本发明提供了包含分散于聚合物基质中的亚微米粒子的材料。所述材料可用于例如用于各种应用的制品中，包括显示器应用（例如，液晶显示器（LCD）、发光二极管（LED）显示器、或等离子体显示器）；光提取；电磁干扰（EMI）屏蔽，眼科镜片；面部屏蔽镜片或膜；窗膜；用于建筑应用的抗反射；以及建筑应用或交通标志。
-
公开(公告)号：CN103635625A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280026287.4
申请日：2012-02-23
Applicant: IOIZ公司 , 托普纳米系统有限公司
IPC: D06M11/74 , D06M15/564 , D06M17/00
CPC classification number: D06M11/74 , B05D3/145 , B82Y30/00 , C08K3/04 , C08K5/13 , C08K5/41 , C09D175/04 , C09K5/14 , D06M11/47 , Y10S977/752 , Y10T428/249921 , Y10T442/2631 , C08K3/041
Abstract: 本发明涉及碳纳米管蓄热织物，其特征在于，通过在纤维织物的一面或双面涂敷含有碳纳米管的涂敷液的方法来制备。上述涂敷液包含碳纳米管（CNT）0.1～15重量％、分散剂0.01～5重量％、树脂粘结剂9.89～70重量％及溶剂10～90重量％。相对于100重量份的上述涂敷液，还可添加0.01～5重量份的添加剂。优选地，上述碳纳米管还经过表面改性工序，以提高与树脂粘结剂之间的粘附性和分散性。上述碳纳米管虽然可使用单壁碳纳米管（SWNT），但优选使用双壁碳纳米管（DWNT）、薄的多重壁碳纳米管（thin MWNT）及多重壁碳纳米管（MWNT）等多重壁碳纳米管。一边以规定速度在常温下或加热的腔室内移送所涂敷的蓄热织物一边使涂敷液固化。
-
公开(公告)号：CN103026471A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036295.2
申请日：2011-08-01
Applicant: 株式会社EUGENE科技
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: B05D3/145 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4554 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种可以具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：绝缘膜沉积步骤，其重复进行：通过将硅前体注入至装载了基底的腔室内部而将硅沉积在基底上的步骤；从腔室内部移除未反应的硅前体和反应副产物的第一清洗步骤；通过向腔室内部提供第一反应气体而将沉积的硅形成为含硅绝缘膜的反应步骤；和从腔室内部移除未反应的反应气体和反应副产物的第二清洗步骤；以及致密化步骤，其对通过向腔室内部提供等离子气氛来形成的含硅绝缘膜进行致密化。
-
公开(公告)号：CN102414345A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019798.4
申请日：2010-03-03
Applicant: 西安大略大学
CPC classification number: H05H3/02 , B05D3/007 , B05D3/068 , B05D3/145 , C01B3/00 , C01B3/02 , Y02E60/324
Abstract: 本发明公开了制备超高温分子氢的方法，以及将其用于选择性断裂C-H键或Si-H键而不断裂其它键的用途。维持氢等离子体，并使用电场抽取质子，以将它们加速至合适的动能。质子进入漂移区以与气相中的分子氢碰撞。连串碰撞产生高流量的超高温分子氢，其流量比从氢等离子体中抽取的质子流量高许多倍。通过漂移区中的氢气压力和通过漂移区的长度控制超高温分子氢相对于质子的标称流量比。由这些超高温分子分配质子的抽吸能，使得通过质子的抽吸能和标称流量比控制超高温分子氢的平均能量。由于超高温分子氢射弹不带有任何电荷，可将所述超高温氢流用以对电绝缘产品和导电产品进行工程表面改性。当将这样的产生高流量超高温分子氢的方法用于在基质上轰击具有所期待的化学官能团的有机前驱物分子(如硅酮或硅烷分子)时，由于来自超高温氢射弹对所述前驱物分子中氢原子的能量沉积的动力学选择性，C-H键或Si-H键由此优先断裂。所引起的交联反应产生稳定的分子膜，其具有可控的交联度，并保持前驱物分子的所期待的化学官能团。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1878888B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200580000427.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 应用微型构造公司
IPC: C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/0227 , B05D1/185 , B05D1/60 , B05D3/142 , B05D3/145 , B05D7/52 , B05D7/56 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C17/42 , C03C23/006 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/448 , C23C16/4485 , C23C16/455 , C23C16/45557 , C23C16/56 , Y10T428/12618 , Y10T428/12632 , Y10T428/24 , Y10T428/24355 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/261 , Y10T428/265 , Y10T428/31663 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。
-
公开(公告)号：CN100478381C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200480013260.7
申请日：2004-05-10
Applicant: 帝斯曼知识产权资产管理有限公司
Inventor： 沙哈比·雅罗米
CPC classification number: C08J7/065 , B05D1/60 , B05D3/044 , B05D3/0446 , B05D3/046 , B05D3/062 , B05D3/063 , B05D3/067 , B05D3/068 , B05D3/142 , B05D3/144 , B05D3/145 , B05D2201/02 , C23C14/022 , C23C14/12 , Y10T428/31504 , Y10T428/31605 , Y10T428/31667 , Y10T428/31678 , Y10T428/31938
Abstract: 本发明涉及制备复合材料的方法，所述复合材料包括基材和该基材上的层，所述方法包括气相沉积步骤，其中在低于1000Pa的压力下，将包含三嗪化合物的化合物沉积在该基材上，从而形成该层，在气相沉积步骤期间，基材的温度介于-15℃与+125℃之间。本发明还涉及通过本文公开的方法得到的复合材料。
-
公开(公告)号：CN1745487A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200380109431.1
申请日：2003-12-12
Applicant: 造型逻辑有限公司
CPC classification number: B05D5/12 , B05D1/322 , B05D3/145 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L51/0016 , H01L51/0017 , H01L51/0021 , H01L51/0022 , H01L51/0023 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/052 , H01L51/0525 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/057 , H01L51/105 , H01L2251/105 , Y10S977/887
Abstract: 一种用于在多层结构中形成电子器件的方法，包括以下步骤：在横向延伸的第一层中限定表面形状分布；在所述第一层上沉积至少一个非平面化层，以使所述或每个非平面化层的表面的所述表面形状分布与所述横向延伸的第一层的表面形状分布一致；以及在所述最上非平面化层上沉积至少一个附加层的图案，从而通过所述非平面化层的所述表面形状分布的形状限定所述附加层的横向位置，并由此所述附加层与在所述第一层中的所述表面形状分布横向对准。
-
公开(公告)号：CN106255555A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580011232.X
申请日：2015-02-24
Applicant: P2I有限公司
CPC classification number: B05D7/22 , B05D1/62 , B05D3/0493 , B05D3/145 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D7/24 , B05D2502/00 , B05D2401/40
Abstract: 本发明公开了一种将涂层施加到设备的方法，设备包括设有一个或多个收容于壳体中的零件。将液体涂层前体施加在至少部分壳体的内表面和/或至少部分壳体内的一个或多个零件上。对封闭的壳体施加低压条件，使得液体涂层前体蒸发并引发液体涂层前体，使得在设备的至少部分内表面上形成涂层。
-
公开(公告)号：CN103026471B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180036295.2
申请日：2011-08-01
Applicant: 株式会社EUGENE科技
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: B05D3/145 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4554 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种可以具有优异的膜性能和阶梯覆盖的环状薄膜的沉积方法。本发明一个实施例的环状薄膜的沉积方法包括：绝缘膜沉积步骤，其重复进行：通过将硅前体注入至装载了基底的腔室内部而将硅沉积在基底上的步骤；从腔室内部移除未反应的硅前体和反应副产物的第一清洗步骤；通过向腔室内部提供第一反应气体而将沉积的硅形成为含硅绝缘膜的反应步骤；和从腔室内部移除未反应的反应气体和反应副产物的第二清洗步骤；以及致密化步骤，其对通过向腔室内部提供等离子气氛来形成的含硅绝缘膜进行致密化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
437
records
(took 0.022 seconds)
