公开(公告)号：CN1878888A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580000427.0

申请日：2005-05-24

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  杰弗里·D·晴恩 ,  罗马尔德·诺瓦客 ,  理查德·C·伊

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/0227 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B05D3/145 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/42 ,  C03C23/006 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。

公开(公告)号：CN102443784A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110397255.2

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  罗穆亚尔德·诺瓦克 ,  理查德·C·伊 ,  杰弗里·D·钦

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B82Y40/00 ,  C09D4/00 ,  C23C16/4485 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明涉及用于受控涂敷反应蒸气来制造薄膜和涂层的装置和方法。公开了一种气相沉积方法和装置，用于在衬底上涂敷薄的层和涂层。该方法和装置在制造电子器件、微机电系统(MEMS)、BiO-MEMS器件、微纳米印刷光刻术和微射流器件中是有用的。用于执行该方法的装置提供了在涂层形成过程的单个反应步骤中对所要消耗的各反应物的精确量的添加。该装置在单个步骤中或者当在涂层形成过程中存在许多不同的单个步骤时，提供反应物的不同组合的量的精确添加。蒸气形式的各反应物的精确添加在指定温度下被按剂量供入预定的设定体积中至指定压力，以提供高精确量的反应物。

公开(公告)号：CN1878888B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580000427.0

申请日：2005-05-24

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  杰弗里·D·晴恩 ,  罗马尔德·诺瓦客 ,  理查德·C·伊

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/0227 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B05D3/145 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/42 ,  C03C23/006 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。

公开(公告)号：CN1735708A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480000841.7

申请日：2004-06-10

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  罗穆亚尔德·诺瓦克 ,  理查德·C·伊 ,  杰弗里·D·钦

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 公开了一种气相沉积方法和装置，用于在衬底上涂敷薄的层和涂层。该方法和装置在制造电子器件、微机电系统(MEMS)、Bio－MEMS器件、微纳米印刷光刻术和微射流器件中是有用的。用于执行该方法的装置提供了在涂层形成过程的单个反应步骤中对所要消耗的各反应物的精确量的添加。该装置在单个步骤中或者当在涂层形成过程中存在许多不同的单个步骤时，提供反应物的不同组合的量的精确添加。蒸气形式的各反应物的精确添加在指定温度下被按剂量供入预定的设定体积中至指定压力，以提供高精确量的反应物。