公开(公告)号：CN1878888A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200580000427.0

申请日：2005-05-24

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  杰弗里·D·晴恩 ,  罗马尔德·诺瓦客 ,  理查德·C·伊

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/0227 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B05D3/145 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/42 ,  C03C23/006 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。

公开(公告)号：CN1878888B

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200580000427.0

申请日：2005-05-24

Applicant: 应用微型构造公司

Inventor： 博里斯·科布兰 ,  杰弗里·D·晴恩 ,  罗马尔德·诺瓦客 ,  理查德·C·伊

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/0227 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/142 ,  B05D3/145 ,  B05D7/52 ,  B05D7/56 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/42 ,  C03C23/006 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12632 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31667

Abstract: 本发明描述了用于在衬底上施加多层膜/涂层的改进的气相沉积方法和装置。该方法用来沉积多层涂层，其中作为衬底的化学组成的函数来控制与衬底直接接触的基于氧化物的层的厚度，从而使随后沉积的层更好的键合到基于氧化物的层。该改进的方法用来沉积这样的多层涂层，在该多层涂层中，基于氧化物的层直接沉积在衬底上，而基于有机物的层直接沉积在基于氧化物的层上。一般来说，施加一连串基于氧化物的层和基于有机物的层的交错层。