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公开(公告)号：CN104348326A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410346693.X
申请日：2014-07-21
Applicant: 智动全球股份有限公司
CPC classification number: G02B7/08 , B81B3/00 , B81B3/0018 , B81B2201/02 , B81B2201/04 , B81B2201/042 , G02B7/18 , G02B7/182 , G02B26/0833 , G02B26/085 , G02B26/101 , H02K33/18 , H02K35/00 , H02K41/02
Abstract: 本发明提供一种微机电系统的可动载具结构，应用微机电系统技术于一硅基板形成的可动载具结构，包括框架部、可动承载部，及二组弹簧结构分别设于可动承载部直线移动方向的二侧用以连接可动承载部于框架部内；透过可动承载部上的导电线圈回路及组弹簧结构设计，通过线圈回路导入电流后与外界的铁磁性材料相互作用而产生的作用力使可动承载部直线移动。该可动载具结构具有体积微小化、系统整合性佳、高光轴精度、批量化制造能力等优点。
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公开(公告)号：CN108680703A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810313555.X
申请日：2018-04-10
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: G01N33/0027 , B81B7/0009 , B81B7/02 , B81B2201/02
Abstract: 本发明公开了一种用于微气体传感器的MEMS缓冲器结构。本发明是在传感器薄膜上沉积氧化硅等绝热性较好的隔离层，通过光刻胶工艺和干法刻蚀工艺得到多个分离的长方体结构的阻挡器。其中五个长方体阻挡器看作一个小整体，每个小整体以梯形结构排列，五个长方体阻挡器分别排列在梯形结构的四个顶点和下底线中心位置。对于每个长方体，其底面为正方形，高度与长方体底面边长相等。当外部气体经过传感器薄膜时会受到各阻挡器的阻挡，使得气体在传感器薄膜附近运动速度降低，从而减小气体流动导致的薄膜表面温度的降低，使传感器的灵敏度和稳定性提高，并降低了传感器检测时所需的能耗。
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公开(公告)号：CN108584865A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810512799.0
申请日：2018-05-25
Applicant: 湖北大学
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2201/02 , B81C1/00031
Abstract: 本发明涉及一种基于超长氧化钼纳米线阵列排列的操控方法及其离子检测器的制作方法，包括：超长氧化钼纳米线的制备、电极的制备、介电泳对超长纳米线的排列等步骤，离子检测器的制作还包括微通道的设计与制备以及器件组装的步骤。所述方法既解决了纳米线长短不一交乱排列在电极间的冗杂问题，也提高并优化了纳米线在微电极上组装的稳定性。同时结合微通道等新型芯片实验室来对不同离子进行一个敏感型探测。本发明既可应用在微通道中形成有效阵列检测不同离子浓度，也可用于在氢气敏感元件的制备之中，能够有效提高氢气传感的性能。
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公开(公告)号：CN104348326B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201410346693.X
申请日：2014-07-21
Applicant: 智动全球股份有限公司
CPC classification number: G02B7/08 , B81B3/00 , B81B3/0018 , B81B2201/02 , B81B2201/04 , B81B2201/042 , G02B7/18 , G02B7/182 , G02B26/0833 , G02B26/085 , G02B26/101 , H02K33/18 , H02K35/00 , H02K41/02
Abstract: 本发明提供一种微机电系统的可动载具结构，应用微机电系统技术于一硅基板形成的可动载具结构，包括框架部、可动承载部，及二组弹簧结构分别设于可动承载部直线移动方向的二侧用以连接可动承载部于框架部内；透过可动承载部上的导电线圈回路及组弹簧结构设计，通过线圈回路导入电流后与外界的铁磁性材料相互作用而产生的作用力使可动承载部直线移动。该可动载具结构具有体积微小化、系统整合性佳、高光轴精度、批量化制造能力等优点。
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公开(公告)号：CN107923081A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047825.6
申请日：2016-08-10
Applicant: 苹果公司
CPC classification number: H01L23/5387 , A41D27/205 , A41D2500/20 , B81B7/007 , B81B2201/02 , B81B2201/03 , D03D1/0088 , D03D11/02 , D03D2700/0166 , D10B2401/16 , D10B2401/18 , H01L23/5386 , H01L24/16 , H01L33/62 , H01L2224/16227 , H01L2924/12041 , H01L2924/1461
Abstract: 本发明公开了一种基于织物的物品，该基于织物的物品可包括织物，诸如具有绝缘纱线和导电纱线或其他材料股线的织造织物。该导电纱线可形成信号路径。电子部件可被嵌入在织物中的口袋内。每个电子部件可具有电子设备，例如被安装在内插器衬底上的半导体裸片。该电子设备可为发光二极管、传感器、致动器、或其他电子设备。该电子设备可具有被焊接到内插器上的触点的触点。该内插器可具有被焊接到信号路径的附加触点。该织物可具有形成与电子部件重叠的透明窗口或具有其他期望属性的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107512698A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710702647.2
申请日：2017-08-16
Applicant: 北方电子研究院安徽有限公司
Inventor： 凤瑞
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00325
Abstract: 本发明公开了中心支撑准悬浮式MEMS芯片封装结构的制作方法，采用高温氧化的方法在芯片硅结构表面上形成一层二氧化硅保护层，然后对芯片底部的二氧化硅保护层进行图形化，形成刻蚀掩膜。采用各向异性刻蚀工艺在MEMS芯片的衬底上刻蚀出一个面积较大的中心支撑结构和若干个面积较小的辅助支撑结构，然后将MEMS芯片粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体内进行金属引线键合，将含MEMS芯片的陶瓷管壳整体放入刻蚀腔体内，再采用各向同性刻蚀气体进行刻蚀,将辅助支撑结构完全刻蚀去除，保留一部分的中心支撑结构不被刻蚀去除。通过在硅衬底上加工出中心支撑结构，将MEMS芯片支撑近似悬浮于封装管壳内，大幅减小MEMS芯片上的封装应力，实现MEMS芯片的低应力封装。该方法具有封装工艺简单、不显著增加封装成本，易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN107188108A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710368321.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 深迪半导体(上海)有限公司
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/02 , B81C1/00198
Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件及其防吸附方法，包括可动结构、不可动结构和振荡器；所述可动结构包括可动质量块和固定在所述可动质量块上的可动梳齿；所述不可动结构包括不可动基底以及固定在所述不可动基底上的至少两个固定梳齿；所述振荡器用于在所述固定梳齿与所述可动梳齿发生吸附时，向所述可动梳齿和未与所述可动梳齿发生吸附的所述固定梳齿输出振荡信号，以使所述可动梳齿和未与所述可动梳齿发生吸附的所述固定梳齿之间产生静电吸力，使发生吸附的所述固定梳齿和所述可动梳齿分开，从而解决了由于可动梳齿与固定梳齿吸附而影响MEMS器件正常运行的问题。
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公开(公告)号：CN106744651A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710016949.4
申请日：2017-01-11
Applicant: 河海大学常州校区
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/02 , B81B2201/0264 , B81C1/00015 , B81C1/00047 , B81C1/00349
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅外延封腔工艺的电容式微电子气压传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的电容式气压传感器，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的电容式气压传感器电容值主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度及压力影响。基于介电伸缩效应原理，电容介电材料介电常数值随所受压力的变化而变化，并且呈现明显的单调性，该特性可以实现压力或者气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该电容式气压传感器体积小，功耗低，响应时间短。
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公开(公告)号：CN103569956B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310287464.0
申请日：2013-07-10
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B7/0077 , B81B2201/02 , B81C1/0023 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种传感器封装（20）及其形成方法（70），包括提供具有形成于被接合周界（36）划定的区域（34）内的侧面（26）上的传感器（30）的传感器晶片（74），以及提供在侧面（38）具有控制电路（42）和在相反侧面（40）具有接合周界（46）的控制器晶片（82）。控制器晶片（82）的所述接合周界（46）被接合到所述传感器晶片（74）的相应的接合周界（36）以形成在其中控制电路（42）朝外的堆叠晶片结构（48）。控制器晶片（82）被锯开以显露位于所述传感器晶片（74）上的接合焊盘（32），所述传感器晶片被引线接合到与控制电路（42）一样形成于晶片（82）的相同侧面（38）。所述结构（48）被包封在封装材料（62）中并且被切单以产生传感器封装（20）。
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公开(公告)号：CN106379858A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201611052329.8
申请日：2016-11-25
Applicant: 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81B2201/0278
Abstract: 本发明涉及一种微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构，该微机电器件的制造方法包括如下步骤：S1：提供微机电器件基底结构，该微机电器件基底结构包括具有上表面和下表面的衬底，设置在所述衬底的上表面的至少一层停止层及设置在最上层的停止层上的器件层，其中，所述衬底与最靠近所述衬底的一层的停止层为不同材料；S2：首先干法刻蚀衬底，然后湿法腐蚀停止层。由于微机电器件的制造方法在干法刻蚀衬底时，先停留在停止层上，然后，再采用湿法腐蚀工艺腐蚀停止层，从而可在干法刻蚀时，通过停止层增强器件层的强度，避免器件层破损，进而提高成品率，同时又能够满足小尺寸器件制造。
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