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公开(公告)号：CN102674235A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210061957.8
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 斋藤友博
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/018 , B81B2201/0221 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0126
Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。
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公开(公告)号：CN102007559B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200980113529.1
申请日：2009-04-17
Applicant: NXP股份有限公司
Inventor： 古川有纪子 , 克罗斯·赖曼 , 克里斯蒂娜·安德利娜·瑞德斯 , 彼得·G·斯蒂内肯 , 莱斯伯·范彼得森 , 刘瑾 , 弗里斯科·J·耶德玛
CPC classification number: H01G5/18 , B81B3/0072 , B81B2201/0221 , B81B2203/0118 , B81C2201/0167 , H01H1/0094
Abstract: 本发明涉及一种MEMS，例如开发MEMS用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于MEMS器件的双稳态致动。MEMS器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和电极。给出了一种实现该器件的工艺和一种使用方法。
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公开(公告)号：CN102003972A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010264988.4
申请日：2010-08-26
Applicant: 罗伯特.博世有限公司
IPC: G01D5/24 , G01P15/125 , G01B7/14
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0094 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2201/033 , G01D5/2412 , H02N1/008
Abstract: 本发明涉及容性传感器和执行器，其具有至少一个可偏移地固定在基底上的振荡质量。在此，如此在该振荡质量上固定了带有梳齿(2)的梳状电极(1)并且在该基底上固定了带有梳齿(2′)的梳状电极(1′)，以使得梳齿(2)和(2′)被布置成平行于该振荡质量的偏移方向(3)并且梳状地啮入彼此之中。通过优化至少一个梳状电极(1，1′)的几何形状尤其至少一个梳齿(2，2′)的几何形状来调节传感器的特征曲线或执行器的特征曲线。
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公开(公告)号：CN104103425B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410145645.4
申请日：2014-04-11
Applicant: 罗德施瓦兹两合股份有限公司
Inventor： 格哈德·卡门
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0078 , B81B7/00 , B81B2201/0221
Abstract: 本发明涉及变容二极管及变容二极管系统。所述变容二极管具有致动器，其中所述致动器的第一致动器表面（2a）呈现在基板（1）上，并且第二致动器表面（2b）呈现在第一可移动膜（3a）上。在该上下文中，所述第一可移动膜（3a）被布置在基板（1）的上侧面（1a）的上方。第二可移动膜（2b）被布置在基板（1）的与该上侧面（1a）相对的下侧面（1b）的下方。本发明进一步涉及由两个这种变容二极管制成的变容二极管系统。
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公开(公告)号：CN107867673A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710890273.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·布罗克迈尔 , R·拉普 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0027 , B81B3/0097 , B81B2203/0118 , B81C1/00349 , B81B3/0021 , B81B2201/0221
Abstract: 根据各种实施例，加工单晶衬底(102)的方法可以包括：沿着主处理侧将衬底(102)分割(100b)成至少两个单晶衬底子块(102a，102b)；以及形成(100c)包括所述至少两个衬底子块(102a，102b)的单晶衬底子块的微机械结构(106)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104798154B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201380060719.8
申请日：2013-09-20
Applicant: 维斯普瑞公司
IPC: H01G5/16
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0008 , B81B3/0016 , B81B3/0051 , B81B2201/0221 , B81C1/00166 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H01G5/18 , H01G7/00
Abstract: 用于微机电系统(MEMS)可调电容器的系统，设备和方法，所述电容器包括附着到基底的固定驱动电极，附着到所述基底的固定电容电极；以及定位在所述基底上方并相对于所述固定驱动电极和所述固定电容电极移动的活动部件。所述活动部件包括：定位在所述固定驱动电极上方的可动驱动电极和定位在所述固定电容电极上方的可动电容电极。所述可动电容电极的至少一部分以第一间隙与所述固定电容电极间隔开，以及所述可动驱动电极以大于所述第一间隙的第二间隙与所述固定驱动电极间隔开。
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公开(公告)号：CN105371878A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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公开(公告)号：CN102336392B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110253951.6
申请日：2009-02-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00476
Abstract: 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。
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公开(公告)号：CN104981425A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201380071982.7
申请日：2013-01-31
IPC: B81B7/00 , G01P1/02 , G01P15/125 , G01C19/5769
CPC classification number: G01P15/125 , B81B7/0029 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , G01C19/5769 , G01P1/023 , G01P15/0802 , Y10T29/417
Abstract: 描述了一种具有微粒屏障的传感器。在一示例中，传感器包括：分别被设置在平坦的支承表面上和检测质量块上的第一电极组和第二电极组，所述检测质量块能沿着大体平行于所述平坦的支承表面的第一轴线顺从地移位；和第一屏障，该第一屏障被设置在所述平坦的支承上围绕所述第一电极组，并且具有的高度小于所述平坦的支承与所述检测质量块之间的间隙，以减轻向所述第一电极组或所述第二电极组中的微粒迁移。
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公开(公告)号：CN103011054B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210344319.7
申请日：2012-09-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B06B1/0292 , B81B3/0075 , B81B2201/0221 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0392 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种机电换能器的制造方法。提供一种由绝缘层的平坦性的变化导致的击穿强度的变化更小的机电换能器的制造方法。在机电换能器的制造方法中，在第一基板上形成第一绝缘层，并且，通过去除第一绝缘层的一部分来形成隔离壁，并且，在去除了第一绝缘层的一部分之后的第一基板的区域上形成第二绝缘层。然后，通过在隔离壁上接合第二基板来形成间隙，并且，由第二基板形成隔着间隙与第二绝缘层相对的振动膜。在形成隔离壁时，沿与第一基板垂直的方向的间隙侧的高度变得比中心部分的高度低。
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