公开(公告)号：CN102007559B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980113529.1

申请日：2009-04-17

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 古川有纪子 ,  克罗斯·赖曼 ,  克里斯蒂娜·安德利娜·瑞德斯 ,  彼得·G·斯蒂内肯 ,  莱斯伯·范彼得森 ,  刘瑾 ,  弗里斯科·J·耶德玛

IPC: H01G5/18 ,  H01L21/00 ,  H01H59/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  H01H1/0094

Abstract: 本发明涉及一种MEMS，例如开发MEMS用于移动通信应用，例如开关、可调谐电容器、可调谐滤波器、移相器、多路复用器、电压控制振荡器以及可调谐匹配网络。相变层的体积变化用于MEMS器件的双稳态致动。MEMS器件包括至少可弯曲悬臂、相变层和电极。给出了一种实现该器件的工艺和一种使用方法。

公开(公告)号：CN102295265A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN1502545A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN03127731.4

申请日：2003-08-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约瑟夫·T·科西斯 ,  詹姆斯·托尼洛 ,  凯文·皮特拉卡 ,  理查德·沃兰特 ,  塞沙德里·萨班纳

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/014 ,  B81C2201/0167 ,  H01F2007/068 ,  H01H50/005

Abstract: 本发明公开一种被包封微电子－机械系统(MEMS)及其制造方法，该方法包括：形成介电层；对介电层的上表面构图以形成沟槽；在沟槽内形成牺牲材料；对牺牲材料的上表面构图以形成另一沟槽；在另一沟槽内形成包括侧壁的第一包封层；在第一包封层内形成芯层；以及在芯层的上方形成第二包封层，其中第二包封层与第一包封层的侧壁相连接。替代地，该方法包括用光学掩模工艺制成多层MEMS结构，从而形成第一金属层、包括介电层和第二金属层的第二层、以及第三金属层。芯层和包封层由具有互补电学特性、机械特性和/或磁性的材料制成。

公开(公告)号：CN107032295A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611113123.1

申请日：2016-12-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·布莱特林 ,  F·赖兴巴赫 ,  J·莱茵穆特 ,  J·阿姆托尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0051 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2203/0145 ,  B81C1/00293 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明提出用于制造微机械结构元件的方法，微机械结构元件具有基底和与基底连接并与基底包围一第一空腔的盖，其中，在第一空腔中，第一压力占主导并且包括具有第一化学成分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在基底中或者在盖中构造使第一空腔与微机械结构元件的周围环境连接的进口孔，其中，在第二方法步骤中，调节第一空腔中的第一压力和/或第一化学成分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热导入到基底或盖的吸收部分中来封闭进口孔，其中，在第四方法步骤中，在基底的或盖的表面上在进口孔的区域中沉积或生长一个层，用于产生第二机械应力，所述第二机械应力反作用于在进口孔被封闭的情况下产生的第一机械应力。

公开(公告)号：CN102782324B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080051330.3

申请日：2010-11-12

Applicant: 法国原子能与替代能委员会

Inventor： 伊夫·法布里斯 ,  弗朗索瓦·贝厄罗斯 ,  马丁·切特 ,  桑德琳·毛贝特

IPC: F04B43/04 ,  B81B1/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  A61M5/14586 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/02 ,  F04B43/043 ,  F05C2203/02 ,  F05C2203/06 ,  Y10T29/494

Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。

公开(公告)号：CN102906871B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

公开(公告)号：CN102295265B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN102295264B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110174027.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迪恩.当 ,  泰.多恩 ,  杰弗里.C.马林 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。

公开(公告)号：CN103842885A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280043548.3

申请日：2012-08-30

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 蒲川 ,  陶诣 ,  钱德拉·S·图佩利 ,  科斯塔丁·D·乔尔杰夫 ,  钟帆 ,  何日晖 ,  张文钺

IPC: G02B26/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/019 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017

Abstract: 本发明提供用于控制可移动层的系统、方法及装置。在一个方面，机电系统装置包含衬底及定位于所述衬底上方以界定间隙的可移动层。所述可移动层可在所述间隙中在致动位置与松弛位置之间移动，且包含镜面层、罩盖层及安置在所述镜面层与所述罩盖层之间的电介质层。所述可移动层经配置以在所述可移动层处于所述松弛位置中时具有远离所述衬底的方向上的曲率。在一些实施方案中，所述可移动层可经形成以具有朝向所述衬底的正应力梯度，所述正应力梯度可在移除牺牲层时引导所述可移动层的所述曲率向上。

公开(公告)号：CN103429525A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280010116.2

申请日：2012-02-24

Applicant: 哈廷股份两合公司

Inventor： H-H·加岑 ,  T·格里斯巴赫

IPC: B81C1/00 ,  G11B5/31

CPC classification number: H05K1/0271 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/11 ,  B81C2201/0167 ,  H05K3/303 ,  Y10T29/49133

Abstract: 本发明涉及一种节省空间的微构件及纳米构件及其制造方法。所述构件的特征在于，所述构件不具有刚性、具有较大厚度的基体。这里在构件内部导致变形和/或拱曲的机械应力通过机械应力补偿结构和/或通过利用沉积适当的应力补偿层实现的主动的机械应力补偿得到补偿，从而没有设置较厚的基体的需要。由此减小的构件的总厚度并且改进了其在技术系统中的可集成性。附加地扩展了这种构件的使用领域。