公开(公告)号：CN101266909B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200810088429.5

申请日：2002-10-02

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 元井泰子 ,  上野理惠

IPC: G01N23/223 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/30 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  G01N23/225

CPC classification number: H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/2814 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明提供一种截面评估装置，其能够在样品温度被调节的状态下分析截面结构。本发明还公开了一种信息获取装置，其包括用于放置样品的平台、用于调节样品的温度的温度调节装置、用于使想要得到信息的样品的表面曝光的曝光装置、以及用于获取与由曝光装置曝光的表面有关的信息的信息获取装置。

公开(公告)号：CN101128908B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200680005616.1

申请日：2006-05-30

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 小西康雄

IPC: H01J37/20 ,  B23Q1/26 ,  B23Q1/58 ,  G12B5/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/20271

Abstract: 本发明提供一种平台机构，其可防止因平台机构的线性导轨的热膨胀而影响平稳驱动。本发明的平台机构(1)包括：至少一个台(4，5)；于直线方向上引导此台的一对台用线性导轨(11，12，21，22)；以及补偿因台的热膨胀导致位移的补偿用线性导轨(13，23)。一侧的台用线性导轨(11，12，21，22)固定于支持部与台，另一侧的台用线性导轨(11，21)通过补偿用线性导轨(13，14，15，23)在与上述直线方向正交的方向上自由移动。或者是，通过补偿用线性导轨(13，23)，对支持部使另一侧的台用线性导轨在与上述直线方向正交的方向上自由移动。

公开(公告)号：CN101681829A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880012237.4

申请日：2008-06-19

Applicant: 株式会社日本爱发科泰克能

Inventor： 小风丰 ,  远藤光广 ,  植田昌久 ,  邹红罡 ,  宫崎俊也 ,  中村敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23F4/00 ,  G11C11/22 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3266 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。

公开(公告)号：CN101605925A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004235.0

申请日：2008-01-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 乔则夫·布卡

IPC: C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/2001

Abstract: 本发明描述了一种用于将衬底暴露在各种工序中的处理系统。此外，提供了一种构造为连接并使用该处理系统以便于将处理材料分配到衬底上的气体分配系统。该处理系统包括处理室，连接到该处理室的基团产生系统，连接到基团产生系统并被构造为将活性基团分配到衬底上的气体分配系统，以及控制温度的基座，该基座连接到真空室并被构造为支撑衬底。气体分配系统被构造为有效地将基团传输到衬底上并且将所述基团分配在衬底上。

公开(公告)号：CN101548365A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000850.4

申请日：2008-01-30

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 宫原弘臣 ,  西宫立享

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/182 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种真空处理方法以及真空处理装置，该真空处理方法即使在增加制膜速度的情况下，SiH2/SiH比也不会增高，并能够通过防止膜质的恶化来获得较高的生产率。在该真空处理方法中，使设置于负压环境下的制膜室(6)内的基板(8)处于由均热板(加热机构)(5)加热了的状态，向与上述基板(8)对置配置的放电电极(3)供电，由此，向基板(8)实施制膜，其中，以将基板(8)和放电电极(3)的温度差设为在30℃以下的状态而制膜。进而，也可以将基板(8)和放电电极(3)之间设为7.5mm以下而制膜。

公开(公告)号：CN101383314A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200810146703.X

申请日：2008-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木康晴

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种被处理基板的温度控制性良好，没有在整个基板上拔热量在局部发生突变这样的异常点的基板载置台。在基板载置台的表面设置传热用气体的流入口和流出口，形成将基板载置台表面与基板之间的密闭空间作为流路的稳定的气流，在该流路中设置各种障碍物以调整气体的易流动性(流导)，在气体的流入口与流出口之间产生10Torr至40Torr的差压。由于气体的传热率与压力成正比，所以可利用该差压来调整被处理基板的温度分布。

公开(公告)号：CN100433249C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610084698.5

申请日：2006-05-30

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 富田泰光 ,  海野丰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种在供电部件发热时可以减轻周边部件损伤的基板处理装置。基板处理装置(100)具备：被施加电压的电阻发热体(22)和高频电极(21)、向这些电阻发热体(22)和高频电极(21)供给电力的电阻发热体用供电部件(16)和高频电极用供电部件(11)、在这些供电部件(11、16)附近配置的周边部件(14)以及配置在供电部件(11、16)和周边部件(14)之间并且对于比250℃高的温度具有耐热性的隔热材料(12)。

公开(公告)号：CN101192557A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710196055.4

申请日：2007-11-30

Applicant: 佳能安内华股份有限公司

Inventor： 三浦泰嗣 ,  关谷一成

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L21/6833 ,  C23C14/505 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68792 ,  Y10T279/23

Abstract: 一种电源设备包括从外部电源提供要被提供给静电吸盘的电功率的电源机构。该电源机构包括：固定于支柱的末端部分上并能够与支柱一同旋转的第一导电环形构件；固定于壳体上并与第一导电环形构件形成表面接触的第二导电环形构件；以及通过第二导电环形构件和第一导电环形构件将所提供的第一电压提供给静电吸盘的电极的第一电源构件。

公开(公告)号：CN101111934A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200580047289.1

申请日：2005-12-01

Applicant: 蓝姆研究公司

Inventor： 尼尔·本杰明 ,  罗伯特·J·斯蒂格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68714

Abstract: 一种用于等离子处理器的夹盘包含温度控制基底、热绝缘体、平面支撑件和加热器。在操作中将所述温度控制基底的温度控制为低于工件的所要温度。所述热绝缘体安置于所述温度控制基底的至少一部分上方。所述平面支撑件固持工件且安置于所述热绝缘体上方。加热器嵌入所述平面支撑件内部和/或安装于所述平面支撑件的底面上。所述加热器包括加热多个相应加热区的多个加热元件。每一加热元件的所供应功率和/或温度被独立地控制。所述加热器和平面支撑件具有至少每秒1℃的组合温度变化速率。

公开(公告)号：CN101016624A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610146366.5

申请日：2006-09-29

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 西村一仁 ,  笹冈秀纪

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/272 ,  C23C16/463 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3497 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/3321

Abstract: 本发明公开了一种等离子体化学气相沉积装置和一种等离子体表面处理方法。基片(1)安置在腔室(10)中的阳极(11a)的安置面上。在面对阳极(11a)的阴极(13)中形成流动通路(13a)，冷却水通过那里循环。在阳极(11a)和阴极(13)间施加电压，通过等离子体在基片(1)上形成碳纳米壁层，然后用冷却构件(12)冷却阳极(11a)，将基片(1)快速冷却到预定温度。