公开(公告)号：CN103198990B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310005725.5

申请日：2013-01-08

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： L.W.斯万森 ,  G.A.施温德 ,  S.克罗格 ,  刘坤

IPC: H01J9/44

CPC classification number: H01J37/00 ,  G01T1/29 ,  H01J37/02 ,  H01J37/073 ,  H01J2237/06316 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/065

Abstract: 本发明涉及来自场发射源的发射参数的确定。通过电流如何随引出电压而变的测量可以确定发射体的状态。由在不同条件下发射的带电粒子的一系列相对简单的测量结果来确定场形因数β函数。然后可以使用该场形因数来确定发射的导出特性，在现有技术中是难以在不将源从聚焦镜筒移除并将其安装在专用设备中的情况下确定它们的。该关系式是由源配置确定的且已经发现其独立于发射体形状，并且因此可以随着发射体形状随时间推移而变来确定发射特性，而不必确定发射体形状且不必重新定义场形因数与所述一系列相对简单测量结果之间的关系式以及场形因数与其他发射参数之间的关系。

公开(公告)号：CN101946300B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980104780.1

申请日：2009-02-11

Applicant: 普度研究基金会

Inventor： 欧阳证 ,  积逊·哈珀 ,  尼古拉斯·查理珀 ,  罗伯特·库克斯

IPC: H01J49/00

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J27/022 ,  H01J37/00 ,  H01J37/32348 ,  H01J49/02 ,  H01J49/105 ,  H01J49/142 ,  H01J2237/0044 ,  H05H1/24 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/2443 ,  H05H2240/10 ,  H05H2240/20 ,  Y10T436/145555 ,  Y10T436/147777 ,  Y10T436/173076 ,  Y10T436/203332 ,  Y10T436/24

Abstract: 本发明总体涉及用于解吸并电离样品材料中的至少一种分析物的低温等离子体探针及其使用方法。在一个实施方案中，本发明总体涉及一种低温等离子体探针，其包括：具有放电气体入口的外壳、探针针尖、两个电极、以及电介质阻挡层，其中所述两个电极被所述电介质阻挡层分隔开，并且其中由电源施加的电压形成低温等离子体，并且其中通过电场和/或放电气流将所述低温等离子体驱出放电区域。

公开(公告)号：CN104210304A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410198145.7

申请日：2014-05-09

Applicant: 金展科技有限公司

Inventor： 许冠中 ,  程浩 ,  江争

IPC: B44B7/00

CPC classification number: B01J19/081 ,  B41M3/14 ,  C30B29/04 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/34 ,  C30B33/04 ,  H01J37/00 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/31713 ,  H01J2237/31737 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供了一种在固态材料的经抛光小面的外表面上形成一个或一个以上突出部的方法，所述方法包含步骤：以使顶部表面材料突出的方式朝向固态材料的经抛光小面的外表面施加聚焦惰性气体离子束局部辐射；其中来自所述聚焦惰性气体离子束的所辐射聚焦惰性气体离子穿透所述固态材料的所述经抛光小面的所述外表面；以及其中所辐射聚焦惰性气体离子在一压力下造成所述固态材料在所述外表面下方的固态晶格内的膨胀应变以引起固态晶格的膨胀，且在所述固态材料的所述经抛光小面的所述外表面上形成突出部。

公开(公告)号：CN101523592B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200780036531.4

申请日：2007-09-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 英岩艾伯特·王 ,  罗伯特·谢彼

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/00 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834

Abstract: 一种用于钝化和/或剥除形成在半导体基片上的光刻胶层的真空室。该室包括内部室体，其形成腔体以围绕该基片并且具有贯穿延伸至该腔体的多个气体通道以及一个或多个加热器以加热该内部室体。该内部室体可滑动地安装在外部室体上，其围绕该内部室的侧面，其间具有间隙。该装置还包括：排气单元，其运转以从该腔体泵出气体；室顶部，安装在该内部室体上以覆盖该内部室体的顶部表面，其间具有间隙，该室顶部具有开口，其与该气体通道流体连通；以及等离子源，其运转以将该气体激发为等离子态并且连接至该开口以与该腔体流体连通。

公开(公告)号：CN107658243A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710619640.4

申请日：2017-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  金美贤 ,  朴永洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: C30B25/165 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01J37/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/68785

Abstract: 本申请提供了一种用于制造衬底的设备，包括：沉积室壳体，其容纳生长衬底；供给喷嘴，其将用于在生长衬底上形成目标大尺寸衬底的沉积气体供应至沉积室壳体中；基座，其支撑生长衬底并且将生长衬底的后表面暴露于蚀刻气体；以及内衬，其连接至基座。内衬将蚀刻气体与沉积气体隔离，并且将蚀刻气体引向生长衬底的后表面。基座包括暴露生长衬底的后表面的中心孔以及支撑生长衬底的支撑突出物，支撑突出物从基座的限定了中心孔的内侧壁朝向中心孔的中心突出。

公开(公告)号：CN104584181B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201380040935.6

申请日：2013-06-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 大南佑介 ,  伊东佑博

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/00 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/2605

Abstract: 本发明提供一种试样观察方法，其在试样上照射一次带电粒子线，检测由上述照射得到的二次带电粒子信号，并观察上述试样，该试样观察方法的特征在于，使在保持为真空状态的带电粒子光学镜筒内产生的上述一次带电粒子线透过或通过隔膜，该隔膜以使载置上述试样的空间与上述带电粒子光学镜筒隔离的方式配置，检测通过向置于大气压或比大气压稍低的负压状态的规定的气体环境的上述试样照射上述一次带电粒子线而得到的透过带电粒子线。

公开(公告)号：CN104299889B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201410335866.8

申请日：2014-07-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 安德列亚斯·费希尔 ,  约翰·霍兰

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32385 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01L2221/00

Abstract: 本发明涉及混合特征蚀刻和倒角蚀刻的系统，具体提供了具有用于执行衬底的等离子体处理以及利用至少第一处理状态和第二处理状态的至少等离子体处理室的等离子体处理系统。等离子体在第一处理状态期间存在于衬底的中心区域上方以在第一处理状态期间执行至少所述中心区域的等离子体处理。等离子体在第二处理状态期间不存在于衬底的中心区域上方但存在于倒角边缘区域附近以在第二处理状态期间至少执行倒角边缘区域的等离子体处理。在第二处理状态期间，上电极处于RF浮动状态且衬底被置于下电极表面上。

公开(公告)号：CN106057621A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510658912.2

申请日：2015-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  庄瑞萍 ,  吕祯祥 ,  古绍延

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01J37/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67733 ,  H01L21/67736 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H05F3/04 ,  H05F3/06 ,  H01J37/3288

Abstract: 本发明提供了用于处理半导体晶圆的方法。该方法包括在封闭的放电室中对半导体晶圆实施放电工艺。该方法还包括在放电工艺之后通过使用第一处理模块处理半导体晶圆。在放电工艺期间，基于半导体晶圆的表面的特性来调节施加在半导体晶圆上的带电粒子。本发明的实施例还涉及在半导体制造中控制晶圆表面上的表面电荷的方法。

公开(公告)号：CN104584181A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380040935.6

申请日：2013-06-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 大南佑介 ,  伊东佑博

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/00 ,  H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/24455 ,  H01J2237/2605

Abstract: 本发明提供一种试样观察方法，其在试样上照射一次带电粒子线，检测由上述照射得到的二次带电粒子信号，并观察上述试样，该试样观察方法的特征在于，使在保持为真空状态的带电粒子光学镜筒内产生的上述一次带电粒子线透过或通过隔膜，该隔膜以使载置上述试样的空间与上述带电粒子光学镜筒隔离的方式配置，检测通过向置于大气压或比大气压稍低的负压状态的规定的气体环境的上述试样照射上述一次带电粒子线而得到的透过带电粒子线。

公开(公告)号：CN104299889A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410335866.8

申请日：2014-07-15

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 安德列亚斯·费希尔 ,  约翰·霍兰

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32385 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01L2221/00

Abstract: 本发明涉及混合特征蚀刻和倒角蚀刻的系统，具体提供了具有用于执行衬底的等离子体处理以及利用至少第一处理状态和第二处理状态的至少等离子体处理室的等离子体处理系统。等离子体在第一处理状态期间存在于衬底的中心区域上方以在第一处理状态期间执行至少所述中心区域的等离子体处理。等离子体在第二处理状态期间不存在于衬底的中心区域上方但存在于倒角边缘区域附近以在第二处理状态期间至少执行倒角边缘区域的等离子体处理。在第二处理状态期间，上电极处于RF浮动状态且衬底被置于下电极表面上。