公开(公告)号：CN104517792B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410066971.6

申请日：2014-02-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 广地志有 ,  丰田一行 ,  盛满和广 ,  佐藤武敏 ,  山本哲夫

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置，向处理容器交替地供给第1处理气体和等离子化的第2处理气体来处理基板，该基板处理装置具有：供给上述第1处理气体的第1气体供给系统；供给上述第2处理气体的第2气体供给系统；配置在上述处理容器的上游且至少使上述第2处理气体等离子化的等离子体单元；和控制部，该控制部以交替地供给上述第1处理气体和上述第2处理气体的方式控制上述第1气体供给系统和上述第2气体供给系统，并且，以在开始供给上述第2处理气体之前执行上述第2处理气体的等离子化所需要的电力施加的方式控制上述等离子体单元。

公开(公告)号：CN104427736B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

Applicant: 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN106463393A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201680001490.4

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 村山贵英 ,  森川泰宏 ,  作石敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J17/04 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/38 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2468 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/469

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：腔室，其内部能够进行减压，在所述内部能够对被处理体进行等离子体处理；平板状的第一电极，配设于所述腔室内，载置所述被处理体；第一高频电源，对所述第一电极施加第一频率的偏置电压；螺旋状的第二电极，配置于所述腔室外，以隔着形成所述腔室的上盖的石英板而与所述第一电极对置的方式配置；以及气体导入单元，将含有氟的工艺气体从在所述上盖或其附近配置的气体导入口导入到所述腔室内，针对所述第二电极，电连接有施加第二频率的交流电压的第二高频电源和施加比所述第二频率高的第三频率的交流电压的第三高频电源，同时施加两种交流电压。

公开(公告)号：CN104125697B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410166079.5

申请日：2014-04-23

Applicant: PSK有限公司

Inventor： 蔡熙善 ,  赵政熙 ,  李锺植 ,  李韩生 ,  金贤峻

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3299

Abstract: 本发明提供了一种等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置。该等离子体产生装置包括：RF电源，其提供RF信号；等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；第一电磁电感器，其安装在等离子体腔室的一部分，并且在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第二电磁电感器，其安装在等离子体腔室的另一部分，并在施加RF信号时在等离子体腔室中感应电磁场；第一负载，其连接到第一电磁电感器；第二负载，其连接到第二电磁电感器；以及控制器，其通过调整第一负载和第二负载中的至少一个的阻抗，控制供应至第一电磁电感器和第二电磁电感器的电力。

公开(公告)号：CN106252190A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610408989.9

申请日：2016-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤亮 ,  佐佐木芳彦 ,  东条利洋

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供一种不必基于感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏的等离子体处理装置，其控制装置(100)接收衬底(G)的等离子体处理的处理方案的输入，基于按该处理方案反复执行等离子体处理而使窗部件(22)的温度成为平衡状态时的在窗部件(22)设定的多个温度预测点的预测到达温度之差，判断配置在处理空间(S)与电感耦合天线(50)之间的窗部件(22)的电介质是否发生损坏，在判断窗部件(22)发生损坏的情况下不将处理方案登记到存储部下将处理方案登记到存储部(102)，根据存储于存储部(102)的处理方案执行衬底(G)的等离子体处理。(102)，在判断窗部件(22)没有发生损坏的情况

公开(公告)号：CN103107055B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210396411.8

申请日：2012-10-18

Applicant: FEI ,  公司

Inventor： T.米勒 ,  S.张

IPC: H01J27/02 ,  H01J27/16 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/08 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32504 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/31749

Abstract: 本发明涉及用于聚焦射束系统的电感耦合等离子体离子源。一种用于聚焦带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括等离子体室内的导电屏蔽以便减少到等离子体的电容耦合。内部导电屏蔽被偏置电极或被等离子体被保持在与等离子体源基本上相同的电位。内部屏蔽允许等离子体室的外部上的更多种冷却方法。

公开(公告)号：CN106098548A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510446622.1

申请日：2015-07-27

Applicant: 吉恩株式会社

Inventor： 金奎东 ,  申雨坤 ,  安孝承 ,  崔致荣

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及一种用于气相蚀刻以及清洗的等离子体装置，包括：反应器主体，用于处理目标基板；直接产生等离子体区域，其为所述反应器主体内的直接产生等离子体区域，工艺气体流入所述反应器主体内，从而直接感应等离子体；等离子体感应组件，向所述直接产生等离子体区域感应等离子体；基板处理区域，其设在所述反应器主体内，通过混合从所述直接产生等离子体区域流入的等离子体和从所述反应器主体的外部流入的汽化气体来形成反应性物质，并通过所述反应性物质来处理所述目标基板；以及双配气挡板，配置在所述直接产生等离子体区域和所述基板处理区域之间，向所述基板处理区域分配等离子体，将汽化气体分配给所述基板处理区域的中心区域和周边区域。

公开(公告)号：CN104205319B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201380016084.1

申请日：2013-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾伦·里奇 ,  唐尼·扬 ,  伟·W·王 ,  阿南塔克里希纳·朱普迪 ,  清·X·源 ,  希兰库玛·萨万戴亚

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C14/50

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3411

Abstract: 本文提供用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种用于处理基板的设备包含基板支撑件，所述基板支撑件可包含具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件；设置在所述介电构件之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件相邻的面对介电构件的表面；及设置在所述一或更多个第一导电构件周围且接触所述一或更多个第一导电构件的第二导电构件，使得由射频源提供至所述基板的射频能量通过沿着所述一或更多个第一导电构件的所述面对介电构件的表面且在沿着面对介电层的表面行进之后沿着实质上平行于所述一或更多个第一导电构件的外围边缘表面设置的所述第二导电构件的第一表面从所述基板支撑件径向地向外行进而返回所述射频源。

公开(公告)号：CN104204288B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380015068.0

申请日：2013-03-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 南尚基 ,  拉金德尔·迪恩赛

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32183 ,  A23G3/26 ,  B05B12/00 ,  B05B13/0431 ,  B05B13/0452 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 公开了一种具有等离子体处理室的等离子体处理系统，该等离子体处理室包括室壁和室衬里中的至少一个。等离子体处理系统包括设置在室表面的周边附近的多个接地母线，该室表面是等离子体处理室的室壁和室衬里中的一个。等离子体处理系统还包括联接到多条接地母线中的至少第一接地母线的至少第一阻抗装置，其中多条接地母线的第二接地母线不具备与第一阻抗装置具有相同阻抗值的第二阻抗装置。

公开(公告)号：CN105986250A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510849955.9

申请日：2015-11-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山本哲夫 ,  丰田一行 ,  松井俊

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  C23C16/503 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。