公开(公告)号：WO2012131075A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/055894

申请日：2012-03-30

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

Inventor： SADAKA, Mariam ,  RADU, Ionut ,  LANDRU, Didier ,  DI CIOCCIO, Lea

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/034

Abstract: Methods of bonding together semiconductor structures include annealing a first metal feature on a first semiconductor structure, bonding the first metal feature to a second metal feature of a second semiconductor structure to form a bonded metal structure that comprises the first metal feature and the second metal feature, and annealing the bonded metal structure. Annealing the first metal feature may comprise subjecting the first metal feature to a pre-bonding thermal budget, and annealing the bonded metal structure may comprise subjecting the bonded metal structure to a post-bonding thermal budget that is less than the pre-bonding thermal budget. Bonded semiconductor structures are fabricated using such methods.

Abstract translation: 将半导体结构结合在一起的方法包括退火第一半导体结构上的第一金属特征，将第一金属特征结合到第二半导体结构的第二金属特征，以形成包含第一金属特征和第二金属特征 ，并对结合的金属结构进行退火。 退火第一金属特征可以包括使第一金属特征经受预结合热预算，并且对接合的金属结构进行退火可以包括使结合的金属结构经受低于预粘合热预算的后粘合热预算 。 使用这种方法制造粘合的半导体结构。

公开(公告)号：EP3189541A1

公开(公告)日：2017-07-12

申请号：EP15837255.7

申请日：2015-09-02

Applicant: Skorpios Technologies, Inc.

Inventor： LAMBERT, Damien ,  SPANN, John ,  KRASULICK, Stephen

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6835 ,  G02B6/4201 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/683 ,  H01L21/76254 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L2221/68313 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68354 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/75305 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15738

Abstract: A transfer substrate with a compliant resin is used to bond one or more chips to a target wafer. An implant region is formed in a transfer substrate. A portion of the transfer substrate is etched to form a riser. Compliant material is applied to the transfer substrate. A chip is secured to the compliant material, wherein the chip is secured to the compliant material above the riser. The chip is bonded to a target wafer while the chip is secured to the compliant material. The transfer substrate and compliant material are removed from the chip. The transfer substrate is opaque to UV light.

Abstract translation: 使用具有柔性树脂的转移基板来将一个或多个芯片结合到目标晶圆。 注入区域形成在转移基板中。 转移衬底的一部分被蚀刻以形成立管。 合格的材料被施加到转印基材上。 芯片被固定到柔性材料，其中芯片被固定到立管上方的柔性材料。 当芯片被固定到柔性材料上时，芯片被结合到目标晶圆。 转移衬底和柔性材料从芯片上移除。 转印基材对UV光不透明。

公开(公告)号：EP2847796A1

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：EP13721698.2

申请日：2013-05-06

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： HUET, Stéphanie ,  AIT-MANI, Abdenacer ,  DI CIOCCIO, Léa

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for producing at least one photosensitive infrared detector by assembling a first electronic component (100, 230) comprising a plurality of photodiodes (110) sensitive to infrared radiation and a second electronic component (400) comprising at least one electronic circuit for reading the plurality of photodiodes, the method being characterised in that it comprises: the production, on each of the first (100, 230) and second (400) components, of a connection surface (192, 492) formed at least partially by a layer (210, 405) containing silicon oxide (SiO2); and a step of adhering the first component (100, 230) and the second component (400) by means of the connection surfaces (192, 492) thereof, enabling the direct adhesion the two components (100, 230, 400). This method enables the simplification of the hybridisation of heterogeneous components for the production of an infrared detector. The invention also relates to an infrared detector and to an assembly for producing such a detector.

Abstract translation: 一种用于通过组装包括对红外线辐射敏感的多个光电二极管的第一电子部件和包括至少一个用于读取多个光电二极管的电子电路的第二电子部件来生产至少一个光敏红外检测器的方法，红外检测器和用于产生 这种检测器，该方法包括：在第一和第二部件中的每一个上，至少部分地由基于氧化硅（SiO 2）的层形成的连接面; 通过其连接面接合第一部件和第二部件，从而执行两个部件的直接接合。 该方法可以简化用于产生红外检测器的异质组分的杂交。

公开(公告)号：EP2637197A1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：EP13157688.6

申请日：2013-03-04

Applicant: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Inventor： Leduc, Patrick

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L21/0226 ,  H01L21/187 ,  H01L23/293 ,  H01L24/05 ,  H01L24/80 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953

Abstract: Procédé de collage direct entre un premier élément et un deuxième élément, comportant au moins les étapes de :
- dépôt d'au moins une première couche poreuse sur au moins une face du premier élément, la première couche poreuse étant compressible,
- réalisation d'au moins une première couche de collage sur la première couche poreuse,
- solidarisation par collage direct du deuxième élément avec la première couche de collage.

Abstract translation: 该方法包括在第一元件（102）的表面上形成第一多孔层（104），在第一多孔层上形成第一结合层（106），以及通过将第二元件（202）与 第一粘结层。 第一多孔层包括≥10％的孔隙率，和/或由具有= 20GPa的杨氏模量的弹性变形材料和/或弹性极限= 350MPa的可弹性变形材料制成。 第一多孔层的孔的尺寸小于或等于第一多孔层的第十厚度。 该方法包括在第一元件（102）的表面上形成第一可压缩多孔层（104），在第一多孔层上形成第一粘合层（106），以及通过将第二元件（202）与 第一结合层。 第一多孔层包括≥10％的孔隙度和/或由具有= 20GPa的杨氏模量的弹性变形材料和/或弹性极限= 350MPa的可弹性变形材料制成。 第一多孔层的孔的尺寸小于或等于第一多孔层的第十厚度和/或小于在两个元件之间的接合处的界面处存在的颗粒的尺寸 通过直接焊接进行焊接。 第一元件和/或第二元件包括基板或电子芯片。 该方法还包括：在第二元件的表面上形成第二可压缩多孔层（204）; 在所述第二多孔层上形成第二结合层; 在第一接合层的形成步骤和第二元件与第一接合层的第一接合层的直接接合的步骤之间通过光刻在第一接合层上形成第一多孔层和第一元件的一部分， 粘合层; 将形成所述连接柱的导电材料沉积在所述位置; 在所述第一接合层上进行化学和机械平坦化; 以及在将所述导电材料沉积在所述导电材料然后沉积在所述阻挡材料层上的位置之前，沉积材料层以形成具有所述连接柱材料的扩散的阻挡层。 通过第一接合层与第二接合层的直接接触，获得第二构件与第一接合层的直接接合的焊接。 第二多孔层包括≥10％的孔隙率，和/或由具有= 20GPa的杨氏模量的弹性变形材料和/或具有= 350MPa的弹性极限的可弹性变形材料制成 。 第一多孔层的厚度高于第一接合层的厚度，和/或第二多孔层的厚度高于第二接合层的厚度。 第一多孔层的形成和/或第二多孔层的形成包括：施加通过多孔等离子体增强化学气相沉积沉积的碳掺杂的氧化硅; 沉积要雕刻的材料并用于形成第一多孔层和/或第二多孔层，然后通过化学雕刻和/或电化学材料沉积形成孔; 以及通过吹入添加到沉积材料中的成孔颗粒而沉积第一多孔层和/或第二多孔层的材料，以及在第一多孔层的材料中形成孔之后去除成孔颗粒和/或 第二多孔层。 第一接合层的形成和/或第二接合层的形成包括在第一多孔层上沉积第一接合层的材料和/或在第二多孔层上沉积第二接合层的材料，以及 使用等离子体或化学处理部分第一多孔层和/或第二多孔层，其中第一多孔层的处理部分形成第一粘合层和/或第二多孔层的处理部分形成第二粘合 层。 形成在第一元件中的连接柱通过使第二元件与第一粘合层直接接合而在焊接时通过与第二元件中的连接柱直接接合来附接。

公开(公告)号：WO2016096025A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：PCT/EP2014/078585

申请日：2014-12-18

Applicant: EV GROUP E. THALLNER GMBH

Inventor： FEHKÜHRER, Andreas

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L24/80 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/1841 ,  B32B38/1858 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/187 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0224 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75735 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80047 ,  H01L2224/80051 ,  H01L2224/80093 ,  H01L2224/80099 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80213 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2221/68304

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines ersten Substrats (4) mit einem zweiten Substrat (4'), wobei das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') vor dem Bonden gedünnt ist/wird. Die Substrate (4, 4') können Wafer, Halbleitersubstrate, metallische Substrate, mineralische Substrate, insbesondere Saphirsubstrate, Glassubstrate oder Polymersubstrate sein. Das erste Substrat (4) und/oder das zweite Substrat (4') werden zum Dünnen und/oder Bonden auf einem auf einer Trägeroberfläche (3o, 3o') eines, insbesondere einen ringförmigen Rahmen (2) aufweisenden, Trägers (3, 3') fixiert. Das erste Substrat (4) und das zweite Substrat (4') werden vor dem Bonden an Hand von korrespondierenden Ausrichtungsmarkierungen der Substrate (4, 4') zueinander ausgerichtet und anschließend, insbesondere magnetisch, vorfixiert. Substratfixierungen weisen jeweils eine Substratfixierfläche (9) zur Fixierung jeweils eines Substrats (4, 4') und jeweils eine die Substratfixierfläche (9) umgebende Trägerfixierfläche (8) oder Trägerfixierbereich zur gegenseitigen Fixierung der Substratfixierungen auf, wobei insbesondere die Trägerfixierfläche (8) oder der Trägerfixierbereich magnetisiert oder magnetisierbar ist, oder alternativ die Substratfixierungen mittels eines Klebers, über Klemmen, über ein Stecksystem oder elektrostatisch miteinander fixierbar sind.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于与第二衬底（4“），其中，所述第一基板（4）和/或所述第二衬底（4”）在接合之前薄化接合第一基底（4）/是。 基板（4，4“）的晶片，半导体衬底，金属基材，矿物基底，特别是蓝宝石基板，玻璃基板或聚合物基板可以是。 在第一基板（4）和/或第二基底（4“）是在支撑表面上的研磨和/或键合（10-30，10-30的”）的，特别是环形框架（2），其具有，载流子（3,3 “）固定。 在第一基板（4）和第二衬底（4“）（相当于基板4的对准标记的，4）在粘接之前手”彼此，然后，特别是磁性，预置对准。 基板注视各自具有Substratfixierfläche（9），用于在每种情况下固定在一个基板（4,4“），每一个所述Substratfixierfläche（9）周围Trägerfixierfläche（8）或Trägerfixierbereich用于基板注视相互固定，其中特别地Trägerfixierfläche（8）或 Trägerfixierbereich磁化或可磁化，或者可替换地，衬底注视通过粘合剂的方式固定在一起，通过端子，连接器系统或静电。

公开(公告)号：WO2013161891A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：PCT/JP2013/062100

申请日：2013-04-24

Applicant: 須賀 唯知 ,  ボンドテック株式会社

Inventor： 須賀　唯知 ,  山内　朗

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

CPC classification number: H01L25/0652 ,  B23K31/02 ,  B23K37/00 ,  B23K37/0408 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/6836 ,  H01L22/10 ,  H01L23/10 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/09 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/73 ,  H01L24/74 ,  H01L24/742 ,  H01L24/743 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/95 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/0615 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09181 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14134 ,  H01L2224/1415 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27009 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27823 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/7531 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/75842 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80143 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/8022 ,  H01L2224/8023 ,  H01L2224/80447 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2224/83355 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】接合界面に樹脂などの望ましくない残存物を残さないようにして、チップとウエハとの間又は積層された複数のチップ間の電気的接続を確立し機械的強度を上げる、ウエハ上にチップを効率よく接合する技術を提供すること。 【解決手段】金属領域を有するチップ側接合面を有する複数のチップを、複数の接合部を有する基板に接合する方法が、チップ側接合面の金属領域を、表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ１）と、基板の接合部を表面活性化処理し、かつ親水化処理するステップ（Ｓ２）と、表面活性化処理されかつ親水化処理された複数のチップを、それぞれ、チップの金属領域が基板の接合部に接触するように、表面活性化処理されかつ親水化処理された基板の対応する接合部上に取り付けるステップ（Ｓ３）と、基板と基板上に取り付けられた複数のチップとを含む構造体を加熱するステップ（Ｓ４）とを備える。

Abstract translation: [问题]提供一种用于将晶片高效地接合到晶片而不在接合界面上留下不需要的残留物（例如树脂）的技术，建立芯片和晶片之间或多个分层芯片之间的电连接并增加机械强度。 [解决方案]本发明的用于将包含金属区域的芯片侧接合表面的多个芯片接合到包括多个接合部分的基板的本发明的方法具有以下步骤：（S1）其中芯片的金属区域 接合表面进行表面活化处理和亲水化处理; 步骤（S2），其中对所述基板的接合部进行表面活化处理和亲水化处理; 已经进行表面活化处理和亲水化处理的多个芯片中的每一个被附着到已进行了表面活化处理和亲水化处理的基板上的相应接合部分的步骤（S3） 处理，使得芯片的金属区域与基板的接合部分接触; 以及步骤（S4），其中包括基板和附接到基板的多个芯片的结构被加热。

公开(公告)号：WO2012007655A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/FR2011/000395

申请日：2011-07-05

Applicant: COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  BRUN, Jean

Inventor： BRUN, Jean

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/046 ,  H01L23/13 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80007 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/038 ,  H05K1/189 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0108 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: Un substrat muni d'un fil (3) électriquement conducteur enrobé par un matériau électriquement isolant est imprégné par un matériau polymérisable (4). Une zone d'accueil (5) pour une puce (2) est formée sur une surface du substrat (1), par rigidification du matériau polymérisable (4) dans une première zone du substrat. La puce (2) est disposée dans la zone d'accueil (5) et une zone (8) de connexion électrique de la puce (2) est connectée électriquement au fil (3) électriquement conducteur du substrat (1).

Abstract translation: 根据本发明，设置有涂覆有电绝缘材料的导电线（3）的基底用可聚合材料（4）浸渍。 通过变形在基板（1）的表面上形成用于芯片（2）的接收区域（5）。 接收区域（5）使用可聚合材料（4）加强。 芯片（2）设置在接收区域（5）中，并且芯片（2）的电连接区域（8）电连接到基板（1）的导电线。

公开(公告)号：JP2018010924A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2016137635

申请日：2016-07-12

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 松永 正隆 ,  増永 隆宏 ,  相馬 康孝 ,  古賀 隆司 ,  原 壮吾 ,  海付 将彰 ,  石丸 和俊 ,  坂田 文雄

IPC: B23K20/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B37/025 ,  B32B41/00 ,  B32B2457/14 ,  H01L24/74 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75724 ,  H01L2224/75725 ,  H01L2224/75743 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/80009 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/8002 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/83031 ,  H01L2224/83122 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012

Abstract: 【課題】第1、第2基板を接合装置へ搬送する処理時間を短縮することのできる接合システムを提供する。 【解決手段】実施形態の一態様に係る接合システムは、第1基板と第2基板とを接合する接合装置に対して第1基板および第2基板を搬送する基板搬送装置を備える。また、接合システムは、第1基板を上面側から保持する第1保持プレートと、第1保持プレートの下方に設けられるとともに、第2基板を第1基板に対向させて下面側から保持する第2保持プレートとを備える。基板搬送装置は、第1基板を上面側から保持可能な第1保持部と、第1保持部の下方に設けられ、第2基板を第1基板に対向させて下面側から保持可能な第2保持部とを備える。第1、第2保持部は、第1、第2保持プレートによって保持された第1、第2基板を、同じタイミングで第1、第2保持プレートから受け取って保持する。 【選択図】図8E

公开(公告)号：JP2016103536A

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：JP2014240240

申请日：2014-11-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 菅川 賢治 ,  三村 勇之 ,  松本 宗兵 ,  増永 隆宏 ,  月嶋 慎

IPC: B23K20/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681 ,  H01L22/20 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L21/8221 ,  H01L22/12 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75601 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75823 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/94 ,  H01L24/08

Abstract: 【課題】接合される基板同士の水平方向位置を適切に検査して調節し、当該基板同士の接合処理を適切に行う。 【解決手段】上ウェハを上チャックの下面で保持する(工程S5)。温度調節部によって下ウェハの温度を上ウェハの温度より高く調節する(工程S9)。下ウェハを下チャックの上面で保持する(工程S10)。下チャックに保持された下ウェハの複数の基準点を撮像部によって撮像し、当該複数の基準点の位置を測定した後、測定結果と所定の許容範囲とを比較して、下ウェハの状態を検査する(工程S12)。押動部材によって上ウェハの中心部を押圧し(工程S16)、当該上ウェハの中心部と第2の基板の中心部を当接させた状態で、上ウェハの中心部から外周部に向けて、上ウェハと下ウェハを順次接合する(工程S17)。 【選択図】図10

Abstract translation: 要解决的问题：通过适当地检查和调整要接合的基板的水平位置来适当地执行用于将基板接合的处理。解决方案：接合方法执行以下步骤：通过下表面 上部卡盘（步骤S5）; 通过温度调节部将下晶片的温度调节到比上晶片的温度高的温度（步骤S9）; 通过下卡盘的上表面保持下晶片（步骤S10）; 通过成像部分对由下卡盘保持的下晶片的多个参考点进行成像，测量多个参考点的位置，然后将测量结果与预定的允许电平进行比较，以检查下晶片的状态（ 步骤S12）; 通过按压部件按压上部晶片的中心部分（步骤S16）; 并从上晶片的中心部分朝向上晶片的外周部分顺序地接合上晶片，同时使上晶片的中心部分与第二基片的中心部分接触（步骤S17）。选择图： 图10

公开(公告)号：JP6271404B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014240240

申请日：2014-11-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 菅川 賢治 ,  三村 勇之 ,  松本 宗兵 ,  増永 隆宏 ,  月嶋 慎

IPC: B23K20/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/681 ,  H01L21/8221 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L24/08 ,  H01L24/75 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75601 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75704 ,  H01L2224/75705 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75802 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75823 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/75981 ,  H01L2224/80003 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80048 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80908 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014