公开(公告)号：WO2011162950A2

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/US2011/039564

申请日：2011-06-08

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINE CORPORATION ,  HERRIN, Russell, T. ,  JAHNES, Christopher, V. ,  STAMPER, Anthony, K. ,  WHITE, Eric, J.

Inventor： HERRIN, Russell, T. ,  JAHNES, Christopher, V. ,  STAMPER, Anthony, K. ,  WHITE, Eric, J.

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming at least one Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) cavity (60b) includes forming a first sacrificial cavity layer (18) over a wiring layer (14) and substrate (10). The method further includes forming an insulator layer (40) over the first sacrificial cavity layer. The method further includes performing a reverse damascene etchback process on the insulator layer. The method further includes planarizing the insulator layer and the first sacrificial cavity layer. The method further includes venting or stripping of the first sacrificial cavity layer to a planar surface for a first cavity (60b) of the MEMS.

Abstract translation: 形成至少一个微机电系统（MEMS）腔（60b）的方法包括在布线层（14）和衬底（10）上形成第一牺牲腔层（18）。 该方法还包括在第一牺牲腔层上形成绝缘体层（40）。 该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀工艺。 该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔层。 该方法还包括将第一牺牲腔层排出或剥离到用于MEMS的第一腔（60b）的平坦表面。

公开(公告)号：WO2011160985A2

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：PCT/EP2011/059880

申请日：2011-06-15

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  STAMPER, Anthony ,  JAHNES, Christopher, Vincent

Inventor： STAMPER, Anthony ,  JAHNES, Christopher, Vincent

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of forming a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) includes forming a lower electrode on a first insulator layer within a cavity of the MEMS. The method further includes forming an upper electrode over another insulator material on top of the lower electrode which is at least partially in contact with the lower electrode. The forming of the lower electrode and the upper electrode includes adjusting a metal volume of the lower electrode and the upper electrode to modify beam bending.

Abstract translation: 形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的空腔内的第一绝缘体层上形成下电极。 该方法还包括在下部电极的顶部上形成上部电极，该上部电极至少部分地与下部电极接触。 下电极和上电极的形成包括调节下电极和上电极的金属体积以改变光束弯曲。

公开(公告)号：WO2011058140A2

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/EP2010/067390

申请日：2010-11-12

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  FOUILLET, Yves ,  BALERAS, François ,  COCHET, Martine ,  MAUBERT, Sandrine

Inventor： FOUILLET, Yves ,  BALERAS, François ,  COCHET, Martine ,  MAUBERT, Sandrine

IPC: F04B43/04 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  F04D33/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  A61M5/14586 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/02 ,  F04B43/043 ,  F05C2203/02 ,  F05C2203/06 ,  Y10T29/494

Abstract: The invention relates to a method for producing at least one deformable membrane micropump comprising a first substrate (10) and a second substrate (20) assembled together, the first substrate (10) comprising at least one cavity (12-2) and the second substrate (20) comprising at least one deformable membrane (22-2) arranged facing said cavity (12-2). Said method comprises the following steps: said cavity (12-2) is produced in the first substrate (10), then - the first (10) and second (20) substrates are assembled together, then - said deformable membrane (22-2) is produced in the second substrate (10).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生产至少一个可变形膜微型泵的方法，该微型泵包括组装在一起的第一基板（10）和第二基板（20），所述第一基板（10）包括至少一个空腔（12-2） 衬底（20）包括面向所述空腔（12-2）布置的至少一个可变形膜（22-2）。 所述方法包括以下步骤：在第一衬底（10）中产生所述空腔（12-2），然后将第一（10）和第二（20）衬底组装在一起，然后将所述可变形膜（22-2 ）在第二基板（10）中产生。

公开(公告)号：WO2011001293A2

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：PCT/IB2010001950

申请日：2010-06-15

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  PERRUCHOT FRANCOIS ,  LIU LIANJUN ,  PACHECO SERGIO ,  DEFAY EMMANUEL ,  REY PATRICE

Inventor： PERRUCHOT FRANCOIS ,  LIU LIANJUN ,  PACHECO SERGIO ,  DEFAY EMMANUEL ,  REY PATRICE

IPC: H02N1/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/0169

Abstract: A method of forming an electromechanical transducer device (200) comprises forming (500) on a fixed structure (210) a movable structure (203) and an actuating structure of the electromechanical transducer device, wherein the movable structure (203) is arranged in operation of the electromechanical transducer device (200) to be movable in relation to the fixed structure in response to actuation of the actuating structure. The method further comprises providing (504) a stress trimming layer (216) on at least part of the movable structure (203), after providing the stress trimming layer (216), releasing (506) the movable structure (203) from the fixed structure (210) to provide a released electromechanical transducer device (200), and after releasing the movable structure (203), changing (508) stress in the stress trimming layer of the released electromechanical transducer device such that the movable structure (203) is deflected a predetermined amount relative to the fixed structure (210) when the electromechanical transducer device (200) is in an off state.

Abstract translation: 一种形成机电换能器装置（200）的方法包括在固定结构（210）上形成（500）可移动结构（203）和机电换能器装置的致动结构，其中可移动结构（203）布置在操作中 所述机电换能器装置（200）响应于所述致动结构的致动而相对于所述固定结构可移动。 该方法还包括在提供应力修剪层（216）之后，在可移动结构（203）的至少一部分上提供（504）应力修剪层（216），将可移动结构（203）从固定 结构（210）以提供释放的机电换能器装置（200），并且在释放可移动结构（203）之后，改变（508）释放的机电换能器装置的应力修剪层中的应力，使得可移动结构（203） 当机电换能器装置（200）处于关闭状态时相对于固定结构（210）偏转预定量。

公开(公告)号：WO2008005109A1

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：PCT/US2007/011812

申请日：2007-05-16

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED ,  TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

Inventor： TUNG, Ming-Hau ,  KOGUT, Lior

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0167

Abstract: Methods and apparatus are provided for controlling a depth of a cavity between two layers of a light modulating device. A method of making a light modulating device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer over at least a portion of the substrate, forming a reflective layer over at least a portion of the sacrificial layer, and forming one or more flexure controllers over the substrate, the flexure controllers configured so as to operably support the reflective layer and to form cavities, upon removal of the sacrificial layer, of a depth measurably different than the thickness of the sacrificial layer, wherein the depth is measured perpendicular to the substrate.

Abstract translation: 提供了用于控制光调制装置的两层之间的腔的深度的方法和装置。 一种制造光调制装置的方法包括提供衬底，在衬底的至少一部分上形成牺牲层，在牺牲层的至少一部分上形成反射层，以及在衬底上形成一个或多个弯曲控制器 所述弯曲控制器被配置成可操作地支撑所述反射层并且在去除所述牺牲层时形成可能与所述牺牲层的厚度可测量的深度的空腔，其中所述深度垂直于所述衬底测量。

公开(公告)号：WO2007079340A1

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：PCT/US2006/062082

申请日：2006-12-14

Applicant: MEDTRONIC, INC. ,  SCHUGT, Michael A. ,  MOTHILAL, Kamal Deep ,  LARSON, Lary R. ,  MATTES, Michael F. ,  RUBEN, David A.

Inventor： SCHUGT, Michael A. ,  MOTHILAL, Kamal Deep ,  LARSON, Lary R. ,  MATTES, Michael F. ,  RUBEN, David A.

IPC: A61B5/0215 ,  A61N1/05

CPC classification number: A61N1/056 ,  A61B5/0215 ,  B81B3/0072 ,  B81C2201/0167 ,  H01L21/4857 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4092

Abstract: Media-exposed interconnects for transducer modules are disclosed. The transducers may be sensing transducers, actuating transducers, IC-only transducers, or combinations thereof, or other suitable transducers. The transducers may be used in connection with implantable medical devices and may be exposed to various media, such as body fluids. The media-exposed interconnects for transducer modules may allow transducers to communicate electrically with other components, such as implantable medical devices.

Abstract translation: 公开了用于传感器模块的介质曝光互连。 换能器可以是感测换能器，致动换能器，仅IC元件的换能器，或其组合，或其他合适的换能器。 换能器可以与可植入医疗装置结合使用，并且可以暴露于各种介质，例如体液。 用于换能器模块的介质暴露互连可以允许换能器与诸如可植入医疗装置的其它部件电气通信。

公开(公告)号：WO2006058516A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：PCT/DE2005/002107

申请日：2005-11-23

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT CHEMNITZ ,  BERTZ, Andreas ,  BUSCHNAKOWSKI, Stefan ,  BILLEP, Detlef ,  GESSNER, Thomas ,  REUTER, Danny

Inventor： BERTZ, Andreas ,  BUSCHNAKOWSKI, Stefan ,  BILLEP, Detlef ,  GESSNER, Thomas ,  REUTER, Danny

IPC: B81B3/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0167

Abstract: Einrichtung zur Spalteinstellung zwischen zwei Elementen jeiner relativ planaren, mirkromechanischen Struktur Aufgabe der Erfindung ist es, eine Einrichtung zur Spalteinstellung zwischen zwei Elementen einer relativ planaren, mirkromechanischen Struktur zu entwickeln, bei der kein elektrisches Feld notwendig ist, um das bewegliche Element gegen ein anderes Element vorzuspannen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass das eine Element (1 ,8,11 ,12) gegen, das andere Element (2,9,13) mittels mindestens einer Feder (3) zugestellt wird, wobei die Feder an mindestens einer Einspannstelle (6) befestigt ist sowie über eine innere Vorspannung verfügt, die aus einer Beschichtung des Grundmaterials der Feder (3) resultiert und in eine Längenänderung zwecks Spalteinstellung freigesetzt wird.

Abstract translation: 装置，用于两个元件之间的间隙的调整jeiner相对平面的，本发明的结构mirkromechanischen目的是开发在没有电场需要对可动元件对另一元件的相对平面的，mirkromechanischen结构的两个元件之间，用于间隙调整装置 预紧力。 根据本发明，该目的得以实现，所述一个元件（1，8,11，12）相对于另一元件（2,9,13）由至少一个弹簧（3），其中所述弹簧（至少一个夹紧输送 6）是固定的并且具有内部的预应力从弹簧（3）的基体材料的涂层的结果和在间隙设置的目的在长度的变化被释放。

公开(公告)号：WO2004081263A1

公开(公告)日：2004-09-23

申请号：PCT/AU2004/000280

申请日：2004-03-08

Applicant: MICRO RELAY HOLDINGS PTY LTD ,  SEXTON, Brett ,  DAVIS, Thimothy, J.

Inventor： SEXTON, Brett ,  DAVIS, Thimothy, J.

IPC: C25D005/12

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0167 ,  C25D5/12 ,  H01H2059/0081 ,  H05K3/4092 ,  H05K2201/0311 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0397 ,  H05K2203/0726

Abstract: Curved out of plane metal components are formed on PCB substrates (11) by electroplating two layers (13, 14) of the same metal such that each layer has a different internal stress. This produces as curvature of the layer (13, 14) which enables coils, curved cantilever beams and springs to be fabricated. The amplitude and direction of curvature can be controlled by controlling the stress and thickness of each layer. The stress is controlled by controlling the composition of the electroplating bath.

Abstract translation: 通过对相同金属的两层（13,14）进行电镀，使得每个层具有不同的内部应力，在PCB基板（11）上形成平面金属部件的弯曲。 这产生了能够制造线圈，弯曲悬臂梁和弹簧的层（13,14）的曲率。 可以通过控制各层的应力和厚度来控制曲率的振幅和方向。 通过控制电镀浴的组成来控制应力。

公开(公告)号：WO2004064090A2

公开(公告)日：2004-07-29

申请号：PCT/US2004/000021

申请日：2004-01-05

Applicant: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.

Inventor： HORNING, Robert, D. ,  SCULLARD, Timothy, Louis ,  MCDONALD, Robinson

IPC: H01G

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  Y10T74/12

Abstract: A method for controlling bow in wafers (50) which utilize doped layers is described. The method includes depositing a silicon-germanium layer (52) onto a substrate (14), depositing an undoped buffer layer (56) onto the silicon-germanium layer, and depositing a silicon-boron layer (58) onto the undoped layer.

Abstract translation: 描述了利用掺杂层的晶片（50）中的用于控制弓形的方法。 该方法包括将硅 - 锗层（52）沉积到衬底（14）上，将未掺杂的缓冲层（56）沉积到硅 - 锗层上，以及在未掺杂的层上沉积硅 - 硼层（58）。

公开(公告)号：WO2003045836A1

公开(公告)日：2003-06-05

申请号：PCT/AU2002/000537

申请日：2002-05-02

Applicant: SILVERBROOK RESEARCH PTY. LTD. ,  SILVERBROOK, Kia

Inventor： SILVERBROOK, Kia

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C30B23/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/605

Abstract: A crystalline thin film structure formed by the deposition of a predominant first crystalline material in two or more layers interleaved by layers of a second crystalline material having a lattice constant that differs from the lattice constant of the predominant first crystalline material in order to disrupt the growth of columnar crystals in the predominant first crystalline material in order to reduce the differential stress profile through the thickness of the film structure relative to the differential stress profile of a crystalline thin film structure formed solely from the predominant first crystalline material.

Abstract translation: 通过沉积具有不同于主要的第一结晶材料的晶格常数的晶格常数的第二晶体材料的层交织的两层或更多层中的主要第一晶体材料的沉积形成的晶体薄膜结构，以便破坏生长 的主要第一结晶材料中的柱状晶体，以便相对于仅由主要的第一结晶材料形成的结晶薄膜结构的微分应力分布来减小通过膜结构的厚度的差分应力分布。