광섬유 캔틸레버를 이용한 광학 스캔장치
    361.
    发明授权
    광섬유 캔틸레버를 이용한 광학 스캔장치 有权
    基于光纤扫描器的光学扫描装置

    公开(公告)号:KR101346351B1

    公开(公告)日:2013-12-31

    申请号:KR1020130008439

    申请日:2013-01-25

    Inventor: 문석배

    Abstract: The present invention relates to an optical scanning device using an optical fiber cantilever capable of obtaining high-quality images by improving effective-scanning amplitude by gradually reducing a mode field diameter to the end of an optical fiber. The optical scanning device according to the present invention comprises: the optical fiber cantilever formed at the end of the optical fiber composed of a core unit and a cladding unit; an actuator vibrating the optical fiber cantilever; and a scan lens unit converting an optical signal radiated from the end of the optical fiber and scans the optical signal emitted from the end of the optical fiber by vibrating the optical fiber cantilever using the actuator. The optical fiber comprises multiple optical fiber elements with different mode field diameters, and the mode field diameters of the optical fiber elements are gradually reduced to the end of the optical fiber.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用光纤悬臂的光学扫描装置,其能够通过逐渐减小光纤端部的模场直径来提高有效扫描振幅,从而获得高质量的图像。 根据本发明的光学扫描装置包括:形成在由芯单元和包层单元组成的光纤的端部处的光纤悬臂; 致动器振动光纤悬臂; 以及扫描透镜单元,其转换从光纤端部辐射的光信号,并且通过使用致动器振动光纤悬臂来扫描从光纤端部发射的光信号。 光纤包括具有不同模场直径的多个光纤元件,并且光纤元件的模场直径逐渐减小到光纤的端部。

    비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치
    363.
    发明授权
    비정질 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 밴드갭 내 상태밀도 추출 방법 및 그 장치 有权
    提取无定形氧化物半导体薄膜晶体管状态的子阱密度的方法及其设备

    公开(公告)号:KR101344754B1

    公开(公告)日:2013-12-24

    申请号:KR1020130027999

    申请日:2013-03-15

    CPC classification number: H01L22/12 H01L22/30 H01L29/78693

    Abstract: A method for extracting the density of state within an intrinsic band gap of an amorphous oxide semiconductor thin film transistor and a device thereof are disclosed. The method for extracting the density of state within the intrinsic band gap of the amorphous oxide semiconductor thin film transistor according to the present invention comprises; a step of measuring darkroom capacitance according to gate voltage of a thin film transistor; a step of measuring light reaction capacitance of the thin film transistor by irradiating the thin film transistor with a light source of a predetermined wavelength; a step of applying a first capacitance model and a second capacitance model to an area under flat-band voltage of the thin film transistor and an area over the flat-band voltage of the thin film transistor; and a step of extracting the density of state of an acceptor within the band gap and the density of state of a donor within the band gap based on the darkroom capacitance, the light reaction capacitance, and the applied first and second capacitance models. The present invention extracts the whole density of state within the band gap using experimental measurement data and rapidly simply extracts the whole density of state within the band gap by omitting a repetitive process and a complex calculation. [Reference numerals] (AA) START;(BB) END;(S210) Darkroom capacitance according to gate voltage is measured in a darkroom;(S220) Light reaction capacitance according to gate voltage is measured by irradiating a light source;(S230) Different capacitance model is applied to an area under or over flat voltage (V_FB);(S240) Density of state of a donor within a band gap and the density of state of anacceptor within the band gap are separately extracted based on measured darkroom capacitance, light reaction capacitance, and a capacitance model

    Abstract translation: 公开了一种用于提取非晶氧化物半导体薄膜晶体管的固有带隙内的状态密度的方法及其装置。 根据本发明的提取非晶氧化物半导体薄膜晶体管的本征带隙内的状态密度的方法包括: 根据薄膜晶体管的栅极电压测量暗室电容的步骤; 通过用预定波长的光源照射薄膜晶体管来测量薄膜晶体管的光反应电容的步骤; 将第一电容模型和第二电容模型应用于薄膜晶体管的平带电压下的区域和薄膜晶体管的平坦带电压上的面积的步骤; 以及基于暗室电容,光反应电容和所施加的第一和第二电容模型,提取带隙内的受体的状态密度和施加体在带隙内的状态密度的步骤。 本发明使用实验测量数据提取带隙内的整体状态密度,并且通过省略重复处理和复杂计算,快速简单地提取带隙内的整体状态密度。 (参考号)(AA)START;(BB)END;(S210)根据栅极电压的暗室电容在暗室中测量;(S220)通过照射光源测量根据栅极电压的光反应电容;(S230) 不同的电容模型应用于平坦电压(V_FB)以下的区域;(S240)基于测量的暗室电容,单独提取在带隙内的供体的状态密度和带隙内的受体的状态密度, 光反应电容和电容模型

    폴리감마글루탐산을 함유하는 튀김제품의 도우 조성물
    364.
    发明授权
    폴리감마글루탐산을 함유하는 튀김제품의 도우 조성물 有权
    包含聚-γ-谷氨酸的油炸食品的面团成分

    公开(公告)号:KR101342642B1

    公开(公告)日:2013-12-20

    申请号:KR1020110123774

    申请日:2011-11-24

    Abstract: 본발명은폴리감마글루탐산을함유하는튀김제품의도우조성물에관한것으로, 보다상세하게는, 튀김제품의도우조성물에폴리감마글루탐산또는그의염을유효량으로첨가시킴으로써유탕처리시 흡유를저감시키고, 체내칼슘흡수를촉진시키며, 식감과맛을유지시킬수 있는폴리감마글루탐산을함유하는튀김제품의도우조성물에관한것이다. 본발명에따른폴리감마글루탐산을함유하는튀김제품의도우조성물은폴리감마글루탐산또는그의염을유효량으로배합하여제조함으로써기존제품과비교시 유탕처리중 튀김의흡유를감소시킬뿐만아니라, 체내칼슘흡수를촉진시킬수 있고, 맛과식감의저하를최소화할수 있는효과가있어튀김의지방함량이감소되고맛과식감이향상되어다양한튀김제품의생산을가능케함으로써국민건강증진및 관련식품외식산업에유용한효과가있다.

    가변안내표지판
    366.
    发明授权
    가변안내표지판 有权
    可变的指导标志

    公开(公告)号:KR101343022B1

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:KR1020120033142

    申请日:2012-03-30

    Abstract: 본발명은태양광발전을이용하는가변안내표지판에있어서, 조도에대응하는제1 휘도값을산출하는제1 휘도산출부; 미리결정된일정기간의일기예보정보에대응하는제2 휘도값을산출하는제2 휘도산출부; 및상기조도에대응하는제1 휘도값과상기일기예보정보에대응하는제2 휘도값을비교하여, 상기제1 휘도값이상기제2 휘도값보다크면상기제1 휘도값을감쇄보정하여표시메시지의휘도를제어하고, 상기제1 휘도값이상기제2 휘도값보다작으면상기제1 휘도값을적용하여표시메시지의휘도를제어하는휘도제어부를포함하는것을특징으로한다. 이를통해, 조도뿐만아니라미리결정된일정기간의일기예보정보를함께반영하여표시메시지의휘도를제어함으로써시인성과효율적인전력운영을도모할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用太阳能发电,第一亮度来计算对应于强度计算单元中的第一亮度值,以一个可变导向标志; 亮度计算部2计算与预先所确定的时间周期的天气预报信息的第二亮度值; 和所述第一亮度值和预测,所述第二通过比较亮度值,第一亮度值或多个碱基的第二亮度值大于对应于对应于该照明的信息的衰减校正所述第一亮度值显示的消息更大的 控制亮度,并且是小于比基座2的亮度值的特征在于,它包括通过将所述第一亮度值控制显示信息的亮度的亮度控制单元中的第一亮度值。 通过这样,照明可以通过控制显示信息的亮度与预先所确定的时间周期的天气预报信息,以反映来实现以及可见和高效的功率运行。

    파라-아미노벤조산의 제조방법
    367.
    发明授权
    파라-아미노벤조산의 제조방법 有权
    对氨基苯甲酸的制备方法

    公开(公告)号:KR101329242B1

    公开(公告)日:2013-11-28

    申请号:KR1020120015266

    申请日:2012-02-15

    Abstract: 본 발명은 염소가 용해가능한 유기용매 존재하에서, 메틸-4-포밀벤조에이트에 공기를 공급하면서 1 내지 3 당량(eq)의 염소 가스(Cl
    2 )를 투입하는 염소화 반응을 통해 메틸-4-클로로포밀벤조에이트를 합성하는 단계; 상기 메틸-4-클로로포밀벤조에이트를 아미드화 반응을 통해 메틸-4-카바모일벤조에이트를 합성하는 단계; 및 상기 메틸-4-카바모일벤조에이트를 수용액 조건에서 호프만 반응을 진행하는 단계를 포함하는 p-아미노벤조산의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 p-아미노벤조산의 제조방법은 기존에 알려진 공정의 제조단계를 감소시켜 목적화합물을 경제적이고 안정적으로 제조할 수 있다.

    박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
    368.
    发明公开
    박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
    薄膜晶体管,具有该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130116651A

    公开(公告)日:2013-10-24

    申请号:KR1020120039237

    申请日:2012-04-16

    CPC classification number: G02F1/1368 H01L29/41733 H01L29/7869 H01L27/1225

    Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a display device having the same, and a method for manufacturing the same are provided to reduce the negative shift phenomenon of a threshold voltage by preventing a light negative bias thermal stress (LNBTS). CONSTITUTION: A gate electrode (GE) is formed on a base substrate. A first insulating layer is formed on the gate electrode. A semiconductor layer (SM) is formed on the first insulating layer. A source electrode (SE) is formed on the semiconductor layer. A drain electrode (DE) is formed on the first insulating layer.

    Abstract translation: 目的:提供薄膜晶体管,具有该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法,以通过防止光负偏压热应力(LNBTS)来减小阈值电压的负偏移现象。 构成:在基底基板上形成栅电极(GE)。 在栅电极上形成第一绝缘层。 半导体层(SM)形成在第一绝缘层上。 在半导体层上形成源电极(SE)。 漏电极(DE)形成在第一绝缘层上。

    전기자동차의 배터리 교환 방법
    369.
    发明授权
    전기자동차의 배터리 교환 방법 有权
    电动汽车电池更换方法

    公开(公告)号:KR101313279B1

    公开(公告)日:2013-09-30

    申请号:KR1020110052913

    申请日:2011-06-01

    CPC classification number: B60S5/06 Y02T90/124 Y10T29/53135 Y10T29/53278

    Abstract: 본 발명은 전기자동차의 배터리 교환 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전기자동차의 배터리 교환 방법은, (a) 전기자동차가 상부에 설치된 배터리장착모듈의 보호덮개를 오픈하고 오픈신호를 배터리 충전스테이션에 송신하는 단계; (b) 상기 전기자동차가 기 장착된 배터리의 잠금장치를 풀고 언록킹 신호를 상기 배터리 충전스테이션에 송신하는 단계; (c) 상기 배터리 충전스테이션에서 이미지 센서를 이용하여 상기 배터리의 장착 위치를 판단하고 저장하는 단계; (d) 상기 배터리 충전스테이션에서 상기 배터리의 상기 언록킹 정보가 확인되면 상기 배터리 교체용 로봇의 이동 및 동작을 제어하여 기 장착된 상기 배터리를 상기 배터리장착모듈의 배터리 안착베이스에서 꺼내는 단계; (e) 상기 배터리 충전스테이션에서 상기 배터리 교체용 로봇의 이동 및 동작을 제어하여 준비 중인 완충 배터리를 상기 배터리장착모듈의 위치로 이동시켜 상기 배터리 안착베이스에 장착하는 단계; (f) 상기 배터리 충전스테이션에서 상기 전기자동차에 배터리 장착 완료 신호를 송신하는 단계; 및 (g) 상기 전기자동차에서 상기 배터리의 접속부 연결을 확인한 후 장착된 상기 완충 배터리를 록킹하는 단계를 포함한다.
    그리하여, 차량의 운행에 불편하지 않도록 배터리를 상부에서 교체하는 배터리 교환방법이 제공된다. 또한, 배터리 교체작업을 전기자동차와 충전스테이션 간의 통신을 통해 자동으로 이루어질 수 있도록 함으로써 효율적이고 편리하게 배터리를 교환할 수 있다.

    햅틱 변환기 시스템 및 그 방법
    370.
    发明授权
    햅틱 변환기 시스템 및 그 방법 有权
    触觉传感器系统及其方法

    公开(公告)号:KR101307419B1

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:KR1020110091091

    申请日:2011-09-08

    Inventor: 장병준 이승표

    Abstract: 본 발명은 햅틱 변환기 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 통신 단말기, PC등의 외부기기로부터 USB 포트, 키 스위치, 및 WiFi 수신부를 통해 구동 파형 정보가 제공되고 이로부터 다양한 햅틱 진동 파형과 열을 생성하여 제공하는 햅틱 변환기 시스템 및 그 방법을 요지로 한다. 본 발명은 이동통신 단말 및 PC로써 햅틱 변환기 시스템을 구동하는 파형들을 GUI(graphic user interface) 메뉴로 제공하여 사용자의 선택에 의해 구동 정보를 생성하고 전송하며, 사용자로부터의 구동 정보를 제공받아 구동되며, 전송되는 구동정보의 데이터에 따라 구동정보를 단일의 파형만을 선택하는 구동; 파형의 ID, 반복회수, 히터의 on/off 정보를 포함하는 단일 구동; 구동 데이터 테이블에 의한 구동이 가능한 햅틱 변환기 시스템 및 그 방법을 제공한다.

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