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公开(公告)号：CN116457930A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180073886.0
申请日：2021-10-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种检查装置，其对构成为包含透光性的透明部且收纳晶圆的收纳容器进行检查，其特征在于，包含：平坦型照明部，其配置为向所述收纳容器的包含所述透明部的至少一部分的被检查部照射光；以及相机，其配置为将所述收纳容器的所述被检查部夹在中间而与所述平坦型照明部对置，并构成为拍摄所述被检查部从而检测所述收纳容器的所述被检查部的异物和/或缺陷。由此，能够提供一种检查装置以及检查方法，其能够比人员进行的目视检查更可靠地检查出在晶圆的收纳容器内部是否存在异物或缺陷。
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公开(公告)号：CN116325083A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067367.3
申请日：2021-09-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明是一种外延晶圆的清洗方法，用于清洗正面形成有外延膜的晶圆，包括：第1清洗工序，对所述晶圆的正面、背面及端面的所有面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；第2清洗工序，在所述第1清洗工序之后，对所述晶圆的背面及端面供给清洗液，通过辊型刷进行清洗；第3清洗工序，在所述第2清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有O3的清洗液而进行旋转清洗；以及第4清洗工序，在所述第3清洗工序之后，对所述晶圆的正面供给含有HF的清洗液而进行旋转清洗。由此，提供一种外延晶圆的清洗方法，其在形成外延膜后进行，且用于在半导体器件制造程序中制造从晶圆的背面及边缘部的微粒附着为最小限度的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN116249802A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180067920.3
申请日：2021-09-02
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆。由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN112154229B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201980032658.1
申请日：2019-04-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种阳极氧化装置，其用于在被处理基板上形成多孔层，所述阳极氧化装置的特征在于，具备：填充有电解质溶液的电解槽；配置于所述电解质溶液中的阳极和阴极；以及使所述电解质溶液中的所述阳极与所述阴极的电极间通电的电源，所述阳极为所述被处理基板，所述阴极通过在硅基板表面上形成氮化膜而成。由此，提供一种在利用HF溶液中的电化学反应而形成多孔硅的阳极氧化中，对HF溶液中的电化学反应具有耐受性且无金属污染等，并比以往更便宜的阴极材料。此外，以比以往更便宜的方式提供高质量的多孔硅。
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公开(公告)号：CN111954586B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201980025003.1
申请日：2019-04-10
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 上林佳一
IPC: B24B27/06 , B24B57/02 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种锭的切断方法，由在多个导线器之间呈螺旋状卷绕且在轴向上移动的金属线形成金属线列，一边从喷嘴向锭与所述金属线的接触部供给浆料，一边将所述锭抵靠至所述金属线列，从而将所述锭切断成晶圆状，其中，从所述喷嘴的、与所述金属线列的移动方向正交的两个以上区间分别供给通过两个以上系统的热交换器单独进行温度控制的浆料，而进行所述浆料的供给。由此，提供能够根据锭的切断部位而进行晶圆形状的单独控制的线锯及锭的切断方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546740B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201880026667.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/015
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度(Flatness)的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。
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公开(公告)号：CN109661720B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201780054775.9
申请日：2017-08-16
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 齐藤久之
Abstract: 本发明提供一种评价存在于硅晶片内的结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法，在所述硅晶片上形成与评价的结晶缺陷的尺寸相同的厚度的氧化膜并测定所述硅晶片的GOI特性，在所述GOI特性下降的区域视为存在与所述氧化膜的厚度同等的尺寸的结晶缺陷，并根据所述GOI特性的测定结果来求出所述硅晶片内的评价的结晶缺陷尺寸的结晶缺陷分布。由此，提供一种即使是10nm以下的结晶缺陷尺寸，也能够求出结晶缺陷的分布的结晶缺陷评价方法。
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公开(公告)号：CN109478506B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201780043825.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/30
Abstract: 本发明为一种研磨装置，包含黏贴有研磨晶圆的研磨布的平台及支承并同时得以旋转晶圆且得以在施加研磨载重至晶圆的同时将之推抵至研磨布的多个研磨头，在使研磨头旋转的同时将以研磨头所支承的晶圆推抵至研磨布而研磨，该研磨装置的特征在于，多个研磨头中的每个研磨头分别都具有控制该研磨头的研磨载重的压力控制机构以及控制该研磨头的转速的旋转控制机构。由此，提供一种研磨方法和研磨装置，其能够降低研磨头间的加工量分布及加工量的参差。
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公开(公告)号：CN115917764A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180042346.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 石崎顺也
Abstract: 本发明是一种接合型半导体受光元件(100)，其是将作为器件功能层(10)的外延层以及与该器件功能层(10)为不同材料的支撑基板(30)经由接合材料层(20)接合而成的接合型半导体受光元件(100)，其特征在于，在所述器件功能层(10)的接合面(10A)形成有凹凸图案(10B)。由此，提供一种可展现优异的机械强度的接合型半导体受光元件(100)，以及可制造机械强度较高的接合型半导体受光元件(100)的制造方法。
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公开(公告)号：CN115516608A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180032683.7
申请日：2021-04-14
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明是一种SOI晶圆的制造方法，其具有通过湿蚀刻进行SOI晶圆的SOI层的膜厚调整的工序，其特征在于，在进行SOI层的膜厚调整的工序中，组合以下两个步骤来进行：第1蚀刻步骤，使用SC1溶液进行SOI层的表面的蚀刻；以及第2蚀刻步骤，通过使所述SOI层接触臭氧水而在SOI层的表面形成氧化膜，再使所形成的氧化膜接触含HF水溶液以去除氧化膜，而进行SOI层的表面的蚀刻，以第1蚀刻步骤中的SOI层的加工余量比第2蚀刻步骤中的SOI层的加工余量少的方式，进行第1蚀刻步骤及第2蚀刻步骤的蚀刻。由此，能够提供一种SOI晶圆的制造方法，其在SOI膜厚调整中，能够兼顾控制蚀刻加工余量和实现SOI膜厚的优异的面内均匀性。
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