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公开(公告)号:TW201820559A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:TW106134899
申请日:2017-10-12
Applicant: 德商EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 費區廷格爾 湯瑪士 , FEICHTINGER, THOMAS
Abstract: 說明一種具低故障率之電力模組。將由耗散能量產生的熱從功能結構經一個熱橋(熱滲透)傳導到載體基板的底面。功能元件裝在載體基板的一個凹槽中,以降低熱阻。
Abstract in simplified Chinese: 说明一种具低故障率之电力模块。将由耗散能量产生的热从功能结构经一个热桥(热渗透)传导到载体基板的底面。功能组件装在载体基板的一个凹槽中,以降低热阻。
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公开(公告)号:TW201801101A
公开(公告)日:2018-01-01
申请号:TW105141592
申请日:2016-12-15
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 葛努畢奇爾 何馬恩 , 史奇維葛爾 曼瑞德 , SCHWEINZGER, MANFRED , 瑞嫩爾 法蘭司 , RINNER, FRANZ
IPC: H01C7/04
CPC classification number: H01C7/045 , C04B35/016 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/5445 , C04B2235/77
Abstract: 本發明係關於一個NTC-陶瓷用於限制湧流電流的電子元件(10),NTC-陶瓷在溫度25℃和/或室溫時有一個mΩ-範圍的電阻。本發明進一步係關於一個電子元件(10),電子元件(10)的製程及具至少一個電子元件(10)的系統(200)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一个NTC-陶瓷用于限制涌流电流的电子组件(10),NTC-陶瓷在温度25℃和/或室温时有一个mΩ-范围的电阻。本发明进一步系关于一个电子组件(10),电子组件(10)的制程及具至少一个电子组件(10)的系统(200)。
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公开(公告)号:TW201644019A
公开(公告)日:2016-12-16
申请号:TW105108655
申请日:2016-03-21
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG , AT&S奧地利科技系統公司 , AT & S AUSTRIA TECHNOLOGIE & SYSTEMTECHNIK AG
Inventor: 費區廷格爾 湯瑪士 , FEICHTINGER, THOMAS , 得諾汎司克 奧利維 , DERNOVSEK, OLIVER , 瑞嫩爾 法蘭司 , RINNER, FRANZ , 哈肯伯格 克利斯全 , VOCKENBERGER, CHRISTIAN
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/075
CPC classification number: H05K1/0206 , H01L25/167 , H01L33/54 , H01L33/647 , H05K1/185 , H05K2201/0195 , H05K2201/10015 , H05K2201/10106 , H05K2201/10196 , H05K2201/10219
Abstract: 本發明涉及一種用於半導體元件(3)且具有被動冷卻功能的載體(2),包括基體(6)及至少一個電子元件(13,13a,13b),該基體具有頂側(7)和底側(8),而該至少一個電子元件嵌入該基體(6)內,其中,該載體(2)包括第一導熱孔(14),其從該基體(6)的該頂側(7)延伸至該至少一個電子元件(13,13a,13b),其中,該載體(2)包括第二導熱孔(15),其從該至少一個電子元件(13,13a,13b)延伸至該基體(6)的該底側(8),並且其中,該至少一個電子元件(13,13a,13b)經由該第一和該第二導熱孔(14,15)做電性接觸。
Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种用于半导体组件(3)且具有被动冷却功能的载体(2),包括基体(6)及至少一个电子组件(13,13a,13b),该基体具有顶侧(7)和底侧(8),而该至少一个电子组件嵌入该基体(6)内,其中,该载体(2)包括第一导热孔(14),其从该基体(6)的该顶侧(7)延伸至该至少一个电子组件(13,13a,13b),其中,该载体(2)包括第二导热孔(15),其从该至少一个电子组件(13,13a,13b)延伸至该基体(6)的该底侧(8),并且其中,该至少一个电子组件(13,13a,13b)经由该第一和该第二导热孔(14,15)做电性接触。
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公开(公告)号:TWI541841B
公开(公告)日:2016-07-11
申请号:TW100109832
申请日:2011-03-23
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 泰斯提諾 安德烈 , TESTINO, ANDREA
IPC: H01C17/065 , H01C17/10
CPC classification number: H05K3/125 , H01C7/1006 , H01C17/065 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K2201/10196
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公开(公告)号:TWI535201B
公开(公告)日:2016-05-21
申请号:TW100103016
申请日:2011-01-27
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 費奇丁葛爾 湯馬士 , FEICHTINGER, THOMAS , 杜塔 帕史科爾 , DOTTA, PASCAL , 希克奇爾 哈妮絲 , SCHIECHL, HANNES
CPC classification number: H03H7/0107 , H01C7/10 , H01C7/12 , H01G4/40 , H03H2001/0085
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公开(公告)号:TWI512915B
公开(公告)日:2015-12-11
申请号:TW098116656
申请日:2009-05-20
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 恩葛爾 寬特 , ENGEL, GUNTER , 費奇丁葛爾 湯馬士 , FEICHTINGER, THOMAS , 潘西娜 艾克索爾 , PECINA, AXEL
CPC classification number: H01C1/084 , H01C7/10 , H01C7/12 , H01L2224/48091 , H05K1/0203 , H05K1/181 , H05K2201/10022 , H05K2201/10106 , H05K2201/10515 , H05K2201/1053 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:TWI427761B
公开(公告)日:2014-02-21
申请号:TW098116655
申请日:2009-05-20
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 恩葛爾 寬特 , ENGEL, GUNTER , 費奇丁葛爾 湯馬士 , FEICHTINGER, THOMAS , 潘西娜 艾克索爾 , PECINA, AXEL
CPC classification number: H01C7/12 , H01C7/10 , H01C7/102 , H01C7/105 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201308528A
公开(公告)日:2013-02-16
申请号:TW101126747
申请日:2012-07-25
Applicant: EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
Inventor: 費什汀格 托馬斯 , FEICHTINGER, THOMAS , 布倫納 塞巴斯帝安 , BRUNNER, SEBASTIAN
Abstract: 一種生產電子組件的方法,包括:準備一個陶瓷的半導電性基體(10),此基體(10)具有面(O10)及在與該面(O10)相反側之第一側面(S10a),且其中包含有金屬層(40);在將至少兩個另外的金屬層(210)相分離地配置在該基體的該側面(S10a)上之後,將此配置形成體予以燒結;在該至少兩個另外的金屬層(210)之間配置電氣絕緣層(30);以及藉由化學處理在各金屬層(210)上分別配置接墊層(220),其中,該化學處理亦從該基體(10)的該面(O10)將該基體(10)的材料去除到最多到達配置於該基體中之該金屬層(40)。
Abstract in simplified Chinese: 一种生产电子组件的方法,包括:准备一个陶瓷的半导电性基体(10),此基体(10)具有面(O10)及在与该面(O10)相反侧之第一侧面(S10a),且其中包含有金属层(40);在将至少两个另外的金属层(210)相分离地配置在该基体的该侧面(S10a)上之后,将此配置形成体予以烧结;在该至少两个另外的金属层(210)之间配置电气绝缘层(30);以及借由化学处理在各金属层(210)上分别配置接垫层(220),其中,该化学处理亦从该基体(10)的该面(O10)将该基体(10)的材料去除到最多到达配置于该基体中之该金属层(40)。
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公开(公告)号:JP2014236072A
公开(公告)日:2014-12-15
申请号:JP2013115818
申请日:2013-05-31
Applicant: エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag , Epcos Ag , エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
Inventor: KOSARA HISASHI , NIMATA YOSUKE , NIMIYA EMI
CPC classification number: H05K1/0306 , C03C12/00 , H05K1/0298 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/4617 , H05K3/4629 , H05K2201/0209 , H05K2201/0266
Abstract: 【課題】基板強度に優れ、IC等の各種電子部品の安定な実装が可能であり、各種モジュールの低背化に対応した薄型ガラスセラミック多層配線配線の提供。【解決手段】外側絶縁層に含まれる外装用フィラーの扁平・球形度を示す第1アスペクト比が、前記内側絶縁層に含まれる内装用フィラーの扁平・球形度を示す第2アスペクト比に比較して大きく、前記外側絶縁層の熱膨張係数が前記内側絶縁層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板。【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种板强度优异的薄型玻璃陶瓷多层线路板,能够稳定地安装诸如IC的各种电子部件,并且对应于各种模块的下部轮廓。解决方案:玻璃 陶瓷多层布线板的特征在于,表示包含在外绝缘层中的用于外部的填料的扁平度/球形度的第一纵横比大于表示内绝缘层中包括的内部填料的第二纵横比, 外绝缘层的热膨胀系数小于内绝缘层的热膨胀系数。
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