Procédé de gestion d’une alimentation de circuit intégré, et circuit intégré correspondant

    公开(公告)号:FR3110718B1

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:FR2005283

    申请日:2020-05-20

    Inventor: JOUANNEAU THOMAS

    Abstract: Le circuit intégré (CI) comporte un premier nœud (N1) destiné à être polarisé à une première tension (V1), un deuxième nœud (N2) destiné à être polarisé à une deuxième tension (V2) et présentant un couplage capacitif non-négligeable (Cp) avec le premier nœud (N1). Un dispositif de gestion d’alimentation (PWM) comprend un élévateur de tension (ELV) configuré pour élever une tension d’alimentation (ALM) et comprenant des étages élévateurs (STG1-STG5) configurés pour générer des tensions intermédiaires (V3, V4) sur des nœuds intermédiaires (N3, N4). Un circuit de détection de compatibilité (CMPTB) est configuré pour détecter une compatibilité entre la deuxième tension (V2) et l’une des tensions intermédiaires (V3, V4), et, si la deuxième tension (V2) est compatible avec une tension intermédiaire (V3), pour coupler (SW3) ledit au moins un deuxième nœud (N2) sur le nœud intermédiaire (N3) compatible. Figure de l’abrégé : figure 1

    Dispositif de génération de signaux radiofréquence en quadrature de phase, utilisable en particulier dans la technologie 5G

    公开(公告)号:FR3107796B1

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:FR2001936

    申请日:2020-02-27

    Abstract: Dispositif électronique intégré comprenant un module mélangeur (MXi) comportant un étage transconducteur tension/courant (ETT) comportant des premiers transistors (N5, N6) et connecté à un étage de mélange (ETM) comportant des deuxièmes transistors (N1-N4), dans lequel l’étage de mélange (ETM) comporte un circuit résistif de dégénérescence (R1-R4) connecté sur les sources des deuxièmes transistors et une entrée d’étalonnage (ECi) connectée aux grilles des deuxièmes transistors et destinée à recevoir une tension d’étalonnage ajustable (VGM), et les sources des premiers transistors (N5, N6) sont directement connectées à un point froid d’alimentation (GND). Figure pour l’abrégé : Fig 3

    Dispositif amplificateur d'erreur
    34.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3111756A1

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:FR2006326

    申请日:2020-06-17

    Inventor: LENZ KUNO

    Abstract: Dispositif amplificateur d'erreur La présente description concerne un dispositif (AMP) comprenant deux étages amplificateurs d'erreur (E1, E2) ayant leurs premières entrées (E_i1) connectées, leurs deuxièmes entrées (E_i2) connectées et leurs sorties (E_o) reliée à une sortie (AMP_o) du dispositif, chaque étage comprenant un amplificateur opérationnel (200) ; un circuit (202) de calibration de l'amplificateur ; un interrupteur (IT1) reliant une entrée (2001) de l'amplificateur à la première entrée (E_i1) ; un interrupteur (IT2) reliant une autre entrée (2002) de l'amplificateur à la deuxième entrée (E_i2) ; un interrupteur (IT3) reliant une sortie (2003) de l'amplificateur à la sortie (E_o) de l'étage ; un interrupteur (IT4) dont l'état fermé court-circuite les entrées de l'amplificateur ; et un interrupteur (IT5) reliant la sortie de l'amplificateur au circuit de calibration. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Mémoire et son procédé d'écriture

    公开(公告)号:FR3110983A1

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:FR2005719

    申请日:2020-05-29

    Abstract: Mémoire et son procédé d’écriture La présente description concerne un procédé d’écriture dans une mémoire programmable une seule fois (216) d’un circuit intégré (200), le procédé comprenant : - tenter, par un circuit de commande de mémoire (306) du circuit intégré (200), d’écrire des données dans au moins un premier registre de la mémoire programmable une seule fois (216) ; - vérifier, par le circuit de commande de mémoire (306), si les données ont été correctement écrites dans ledit au moins un premier registre ; et - dans le cas où les données n’ont pas été correctement écrites dans ledit au moins un premier registre, tenter, par le circuit de commande de mémoire (306), d’écrire les données dans au moins un deuxième registre de la mémoire programmable une seule fois (216). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

    Fonction à sens unique
    37.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3098949A1

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:FR1907911

    申请日:2019-07-15

    Abstract: Fonction à sens unique La présente description concerne un procédé de mise en oeuvre d'une première fonction à sens unique par un dispositif dans lequel : - une deuxième fonction (551) prend en compte des états de noeuds numériques (51) répartis dans des circuits (53) du dispositif mettant en oeuvre des troisièmes fonctions ; - lesdits états des noeuds (51) dépendent d'un résultat (R) précédent de la première fonction ; et - dans lequel la deuxième fonction (551) et/ou les troisième fonctions sont des fonctions à sens unique. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

    Centripetal bumping layout
    38.
    发明专利

    公开(公告)号:FR3095296A1

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:FR1904169

    申请日:2019-04-18

    Abstract: Centripetal bumping layout The present disclosure relates to a substrate comprising a contact surface having bumps formed thereon, each bump being rotationally asymmetric in the plane of the contact surface, the bumps for example being orientated on the contact surface in a centripetal arrangement, wherein the bumps in a first zone of the contact surface have a first pitch in a first axis and the bumps in a second zone of the contact surface have a second pitch in the first axis, the second pitch being different to the first pitch. Abstract figure : Fig. 7

Patent Agency Ranking