公开(公告)号：CN102027591B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200980117207.4

申请日：2009-03-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  井上恭典 ,  中里真弓 ,  伊藤克实

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法及便携式设备，在CSP型半导体模块的制造方法中，提高半导体模块的生产效率。该半导体模块的制造方法包含如下工序：将形成有多个半导体元件(10)的半导体晶片(1)粘接在具有伸展性的第一绝缘树脂层(20)上的工序，其中所述半导体元件(10)具有元件电极(12)；切割半导体晶片(1)的工序；拉伸第一绝缘树脂层(20)以扩大半导体元件(10)的间隔的工序；隔着第二绝缘树脂层将设置有电极的金属板和扩大了间隔的状态的多个半导体元件(10)压接，使电极与元件电极(12)电连接的压接工序；选择性地除去金属板以形成与各半导体元件(10)对应的配线层，并形成通过第一绝缘树脂层(20)和第二绝缘树脂层连结的多个半导体模块的工序；切断第一绝缘树脂层(20)及第二绝缘树脂层以实现半导体模块的单个化的工序。

公开(公告)号：CN102254874A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110189450.6

申请日：2008-01-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  冈山芳央 ,  柴田清司 ,  井上恭典 ,  水原秀树 ,  臼井良辅 ,  山本哲也 ,  吉井益良男

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明提供一种半导体模块、半导体模块的制造方法以及便携式设备，其目的在于提高半导体模块的电极部的连接可靠性。该种半导体模块，包括：在主表面具有与内部的半导体元件电连接的第一电极的基板，在所述基板上设置的绝缘层，在所述绝缘层上设置的布线层，与所述布线层一体地设置并且贯通所述绝缘层而与所述第一电极连接的第一导体部，以及从所述布线层向所述绝缘层内突出的第二导体部。

公开(公告)号：CN101419949B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200810212821.6

申请日：2005-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/538 ,  H01L27/01 ,  H01L21/48 ,  H01L21/84 ,  H05K1/18 ,  H05K1/05 ,  H05K3/46 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/2413 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种电路装置及其制造方法，通过在表面粗糙度Ra为0.3～10μm的金属性基体部件上设置埋入绝缘树脂膜中的多个半导体元件及无源元件等电路元件，在基体部件和绝缘树脂膜之间作用锚固效应，提高基体部件和绝缘树脂膜的附着性。

公开(公告)号：CN1702863B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510074687.4

申请日：2005-05-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/12 ,  H05K1/05 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种电路装置，可抑制绝缘层从衬底剥离的现象。该电路装置包括：衬底，其以含有第一金属层、第二金属层、第三金属层的金属为主体，其中，第一金属层具有第一热膨胀系数，第二金属层形成于第一金属层上且具有第二热膨胀系数，第三金属层形成于第二金属层上且具有第三热膨胀系数；绝缘层，其形成于衬底上；导电层，其形成于绝缘层上；电路元件，其和导电层电连接。

公开(公告)号：CN100578762C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200510074718.6

申请日：2005-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上恭典 ,  臼井良辅 ,  小原泰浩 ,  高草木宣久 ,  中村岳史

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L23/40 ,  H05K1/05

CPC classification number: H01L23/3735 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/056 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/284 ,  H05K3/421 ,  H05K3/423 ,  H05K3/4647 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/09772 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2203/0369 ,  H05K2203/0554 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电路装置，提高了散热性。本发明混合集成电路装置(10)的制造方法中，在第一配线层(18A)上设有仿真图案(D1)。另外，在第二配线层(18B)上设有第二仿真图案(D2)。而且，第一仿真图案D1和第二仿真图案D2通过贯通绝缘层17的连接部25连接。因此，可主动地介由仿真图案散热。另外，即使在构成多层配线时，也可以确保散热性。

公开(公告)号：CN101393871A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810145511.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  中村岳史

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/244 ,  H05K3/305 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/381 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/095 ,  Y10S438/906 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种层积半导体芯片的半导体装置及其制造方法。其在电极膜表面形成粘合膜，再在其上形成覆盖膜。粘合膜的构成材料使用镍、铬、钼、钨、铝及这些金属的合金等。覆盖膜的材料使用金、银、白金及这些金属的合金等。

公开(公告)号：CN101331604A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680045139.1

申请日：2006-11-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柴田清司 ,  臼井良辅 ,  井上恭典

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置及电路装置的制造方法，以把突起结构埋入绝缘树脂的方式来层叠配线层、绝缘树脂和电路元件，提高突起结构与电路元件的电极的连接可靠性。电路装置(10)具备把配线层(20)、绝缘树脂层(30)和电路元件(40)按该顺序压接层叠的结构。配线层(20)在与电路元件(40)的各元件电极(42)对应的位置处设置有突起电极(22)。绝缘树脂层(30)由加压时引起塑性流动的材料形成。突起电极(22)贯通绝缘树脂层(30)而与对应的元件电极(42)电连接。

公开(公告)号：CN100419993C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02140933.1

申请日：2002-07-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 市桥由成 ,  池田典弘 ,  后藤隆 ,  臼井良辅 ,  藤岛达也

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN100399551C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510077882.2

申请日：2005-06-13

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  水原秀树 ,  井上恭典 ,  五十岚优助 ,  中村岳史

IPC: H01L23/14 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K3/4688 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4655 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种元件搭载基板，用于搭载元件，其包括基材和设于基材一侧的面的绝缘树脂膜。基材和绝缘树脂膜含有含浸环氧系树脂的玻璃纤维。绝缘树脂膜中含有的玻璃纤维比基材中含有的玻璃纤维的环氧系树脂的含浸比率高。

公开(公告)号：CN100394599C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510076155.4

申请日：2005-06-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  西田笃弘

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/185 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体模块及其制造方法，将绝缘树脂膜热压接并埋入半导体元件及无源元件中，形成配线后，压接具有元件间绝缘膜的凹部或具有贯通部的层积膜，在凹部内部埋入元件构成部件的材料，由此形成高电阻部件和高介电系数部件，形成电阻器和电容器。进而，形成上层绝缘树脂膜之后，形成具有卡尔多型聚合物的光致抗焊剂层，进行配线形成、焊锡电极形成。