公开(公告)号：CN106062241A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011616.1

申请日：2015-06-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 斋藤淳 ,  张守斌 ,  盐野一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C27/04 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  C22C38/12 ,  C23C14/08 ,  G02B1/113

Abstract: 本发明的溅射靶中，作为金属元素，将Mo及In中的任一种或两种以及Cu及Fe中的任一种或两种作为主成分，且含有5～80原子％的Mo及In中的任一种或两种以及20～95原子％的Cu及Fe中的任一种或两种，所述金属元素的一部分或全部以氧化物形式构成。

公开(公告)号：CN105637114A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201580002219.8

申请日：2015-04-16

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/02 ,  B22F2301/052 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/45 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62605 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C23C4/067 ,  C23C4/123 ,  C23C14/14 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

Abstract: 本申请发明的溅射靶是含有0.5～10at％的选自Ni及Al中的至少一种金属元素、及0.01～10000重量ppm的B或P，剩余部分由Si及不可避免的杂质构成的烧结体，所述烧结体的体积电阻为10Ω·cm以下，并且，理论密度比为85％～99％，抗折强度为65N/mm2以上。

公开(公告)号：CN103380229B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201280007565.1

申请日：2012-02-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有折射率低且良好阻气性的氧化锌系透明氧化物膜及其制造方法。本发明的透明氧化物膜具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有0.9～20.0at%的Al及25.5～68.0at%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成，并且为非晶质。该制造方法如下：在含氧的惰性气体气氛中及加热基板的状态的至少一种环境下，利用溅射靶进行DC溅射，其中，该溅射靶由氧化物烧结体构成，并且该烧结体组织中存在复合氧化物Zn2SiO4和ZnO，该氧化物烧结体具有如下成分组成：相对于总金属成分量含有0.3～4.0wt%的Al及6.0～14.5wt%的Si，且剩余部分由Zn及不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN105074047A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018190.8

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  张守斌 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  B22D13/02 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D11/004 ,  B22D11/006 ,  B22D13/02 ,  B22D13/023 ,  B22D21/025 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu-Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。

公开(公告)号：CN103534381B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201280021123.2

申请日：2012-04-24

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  太阳能先锋株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  H01L31/0445

CPC classification number: H01L31/18 ,  B22F3/15 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  B22F3/10 ,  B22F2201/01 ,  B22F2201/20 ,  B22F2201/10

Abstract: 提供了一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶可通过溅射法形成良好地添加了Na的、Ga添加浓度为1-40原子%的Cu-Ga膜。其作为溅射靶的除F、S、Se之外的金属成分，含有Ga：1-40at%、Na：0.05-2at%，剩余部分具有由Cu和不可避免的杂质组成的成分组成；Na以氟化钠、硫化钠、硒化钠中的至少一种的状态含有，含氧量为100-1000ppm。

公开(公告)号：CN104718308A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201380053585.7

申请日：2013-10-16

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F3/10 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F3/24 ,  B22F2003/247 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种机械加工性优异，并且为高密度且抗弯强度较高的Cu-Ga二元系溅射靶及其制造方法。该溅射靶具有含Ga：28～35原子％、余量由Cu及不可避免的杂质所构成的成分组成，还具有以Ga：28原子％以上的高Ga含量Cu-Ga二元系合金相包围含Ga：26原子％以下、余量由Cu所构成的低Ga含量Cu-Ga二元系合金相的共存组织。

公开(公告)号：CN102753721B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201180008507.6

申请日：2011-03-08

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  小路雅弘 ,  白井孝典

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/14 ,  B22F2003/145 ,  C22C1/10 ,  C22C9/00 ,  C22C32/0089 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种能够通过溅射法良好地形成添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：含有Ga：20～40at%，并含有Na：0.05～2at%及S：0.025～1.0at%，剩余部分包括Cu及不可避免的杂质。并且，该溅射靶的制作方法具有对Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末在真空或惰性气体气氛中进行热压的工序或以热等静压法进行烧结的工序。

公开(公告)号：CN102666910B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080052554.6

申请日：2010-12-14

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 张守斌 ,  陆田雄也 ,  山口刚 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  C23C14/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜、利用该透明导电膜的太阳能电池及用于形成透明导电膜的溅射靶以及其制造方法。本发明提供一种用于液晶显示装置、电致发光显示装置等、尤其适合用于太阳能电池的透明导电膜，并且提供一种利用该透明导电膜的太阳能电池以及适于形成该透明导电膜的溅射靶。本发明的透明导电膜，其由金属成分元素的含有比例以原子比计Al：0.7～7%、Mg：9.2～25%、Ga：0.015～0.085%、其余为Zn的Al-Mg-Ga-Zn系氧化物构成，且耐湿性优异。

公开(公告)号：CN103270191A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201280004316.7

申请日：2012-02-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 山口刚 ,  张守斌 ,  近藤佑一

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/16 ,  C04B35/453 ,  H01L31/04

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种能够对折射率低于AZO膜的ZnO-SiO2-Al2O3膜进行DC溅射的用于形成太阳能电池用透明膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体具有如下成分组成，即相对于总金属成分量含有Al：0.3～4.0wt%、Si：6.0～14.5wt%，剩余部分由Zn及不可避免的杂质组成，该烧结体的组织中存在复合氧化物Zn2SiO4与ZnO。该溅射靶的制造方法具有如下工序：将Al2O3粉末、SiO2粉末及ZnO粉末混合成Al2O3：0.5～5.0wt%、SiO2：10～22wt%、剩余部分：由ZnO及不可避免的杂质组成，以此来作为混合粉末；及将所述混合粉末在真空中以热压进行烧结。

公开(公告)号：CN106471150B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201580033520.5

申请日：2015-09-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 梅本启太 ,  张守斌 ,  浦山恒太郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C32/00

Abstract: 本发明的溅射靶由如下烧结体构成：所述烧结体具有含有30.0～67.0原子％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免杂质构成的成分组成，并且具备在Cu‑Ga合金的γ相基体中分散有Cu‑Ga合金的θ相的组织。