公开(公告)号：CN111788332B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980015784.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 井尾谦介 ,  加藤慎司

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C9/06 ,  C22C19/03 ,  B22F1/00 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。

公开(公告)号：CN105074047B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201480018190.8

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  张守斌 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  B22D13/02 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D11/004 ,  B22D11/006 ,  B22D13/02 ,  B22D13/023 ,  B22D21/025 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu‑Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。

公开(公告)号：CN111936660A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980022696.9

申请日：2019-04-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  井尾谦介

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/06 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  C22C1/04 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且其余部分由Cu和不可避免的杂质组成，其中，当将在相邻的晶粒之间的取向差在5°以上且180°以下的范围内的晶粒之间所形成的晶界的长度设为总晶界长度L，并将使面心立方晶格的(111)面及(110)面作为旋转轴旋转的情况下分别确认到3个晶格点的取向差的晶界的长度设为孪晶晶界长度LT时，由LT/L×100定义的孪晶比率在35％以上且65％以下的范围内。

公开(公告)号：CN112292474A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201980038057.1

申请日：2019-07-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 冈野晋 ,  加藤慎司

IPC: C23C14/34 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶具备呈圆筒形状的溅射靶材和经由焊接层接合于该溅射靶材的内周侧的衬管，所述圆筒型溅射靶的特征在于，所述焊接层由In系焊接材料构成，氧含量为100质量ppm以下。

公开(公告)号：CN111788332A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980015784.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 井尾谦介 ,  加藤慎司

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/04 ,  C22C1/05 ,  C22C9/06 ,  C22C19/03 ,  B22F1/00 ,  B22F9/08

Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ni合金溅射靶，其包含Ni，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成，所述Cu‑Ni合金溅射靶的特征在于，在由Cu和Ni的固溶体组成的母相的晶界中存在Ni氧化物相，这些Ni氧化物相的面积率被设在0.1％以上且5.0％以下的范围内。

公开(公告)号：CN110337507A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880012802.0

申请日：2018-04-03

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 三岛昭史 ,  加藤慎司

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种圆筒型溅射靶及其制造方法，本发明的圆筒型溅射靶的制造方法包括：基底处理工序，在作为圆筒型靶(2)的接合面的内周面和作为圆筒型衬管(3)的接合面的外周面中的至少一方涂布基底处理接合材料以形成基底处理层(11)；及接合工序，在基底处理工序之后，将填充用接合材料填充到圆筒型靶(2)与插入到该圆筒型靶内的衬管(3)之间的间隙并进行固化，基底处理接合材料的熔点或固相线温度超过填充用接合材料的熔点或固相线温度。

公开(公告)号：CN119110983A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202380029070.7

申请日：2023-03-30

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  松田洋修

IPC: H01L21/3065

Abstract: 该硅部件(10)具备由含Si材料构成的多个板状部件(11，12)，板状部件(11，12)在厚度方向上接合，在板状部件(11，12)彼此之间形成有接合层(20)，接合层(20)中的Si相的面积率为12％以下。优选接合层(20)中的Si相的纵横比为3.0以下。

公开(公告)号：CN110402300A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017587.3

申请日：2018-03-15

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 冈野晋 ,  长濑敏之 ,  加藤慎司

IPC: C23C14/34 ,  B23K1/20

Abstract: 本发明的圆筒型溅射靶的制造方法包括：焊接材涂布工序，在溅射靶材的内周面及衬管的外周面形成焊料基底层；冷却工序，在焊接材涂布工序之后冷却溅射靶材及衬管；氧化物去除工序，去除在焊料基底层表面生成的氧化物；及焊料接合工序，对溅射靶材与衬管进行焊料接合。

公开(公告)号：CN108699676A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780008119.5

申请日：2017-04-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  除補正则 ,  三岛昭史 ,  大户路晓

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC classification number: C22C9/06 ,  B21C1/24 ,  B21C23/002 ,  B21C23/085 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22F1/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的铜合金制衬管由以下组成的铜合金构成：含有Co：0.10质量％以上且0.30质量％以下、P：0.030质量％以上且0.10质量％以下、Sn：0.01质量％以上且0.50质量％以下、Ni：0.02质量％以上且0.10质量％以下及Zn：0.01质量％以上且0.10质量％以下，Co的含量与P的含量的质量比〔Co〕/〔P〕在3.0以上且6.0以下的范围内，且剩余部分为铜及不可避免的杂质，所述铜合金制衬管的导热率为250W/m·K以上，在250℃下保持1小时的条件下进行加热处理之后的显微维氏硬度为100Hv以上，并且从加热处理前的硬度的降低率为5％以下。

公开(公告)号：CN105074047A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018190.8

申请日：2014-03-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 加藤慎司 ,  张守斌 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  B22D13/02 ,  C22C9/00

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22D11/004 ,  B22D11/006 ,  B22D13/02 ,  B22D13/023 ,  B22D21/025 ,  C22C9/00 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 该圆筒型溅射靶为Cu-Ga合金圆筒型溅射靶，其由含有15～35原子％的Ga的Cu合金所构成，所述Cu合金具有粒状结晶组织。