-
公开(公告)号：CN104903478B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201380067853.0
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B32B15/01 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22F1/08 , C23C2/08 , C23C30/00 , C23C30/005 , H01B5/02 , Y10T428/12 , Y10T428/12431 , Y10T428/12438 , Y10T428/12715 , Y10T428/12882 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12917 , Y10T428/12924
Abstract: 本发明涉及一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子，本发明的电子电气设备用铜合金含有超过2.0质量％且15.0质量％以下的Zn、0.10质量％以上且0.90质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.00质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.100质量％的Fe、0.005质量％以上且0.100质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.500、3.0＜(Ni+Fe)/P＜100.0、0.10＜Sn/(Ni+Fe)＜5.00，且由沿平行于轧制方向的方向进行拉伸试验时的强度TS与0.2％屈服强度YS所算出的屈服比YS/TS超过90％。
-
公开(公告)号：CN104870672B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380067756.1
申请日：2013-06-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有超过2质量％且小于23质量％的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.05质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.10质量％的Fe、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜(Ni+Fe)/P＜15、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜5，且一表面中的来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}为0.8以下。
-
公开(公告)号：CN103502489B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380001177.7
申请日：2013-01-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用铜合金的制造方法、电子电气设备用导电元件以及端子，在所述铜合金中，以质量%计，含有超过2.0%且36.5%以下的Zn、0.1%以上且0.9%以下的Sn、0.05%以上且不到1.0%的Ni、0.001%以上且不到0.10%的Fe以及0.005%以上且0.10%以下的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，并且，作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜（Ni+Fe）/P＜15、0.3＜Sn/（Ni+Fe）＜5，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均粒径为0.1～50μm，且包括含有Fe和/或Ni以及P的析出物。
-
公开(公告)号：CN104379782A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201280074006.2
申请日：2012-07-31
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱电线工业株式会社
Abstract: 本发明的铜合金线由含有Co、P及Sn的析出强化型铜合金构成，通过观察刚实施时效热处理之后的剖面组织所观察到的析出物的平均粒径为15nm以上，且粒径为5nm以上的析出物的个数为所观察到的所有析出物的80％以上，在该时效热处理之后，实施冷加工。
-
公开(公告)号：CN103733329A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280037162.1
申请日：2012-08-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H05K3/103 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/0238 , B23K35/262 , B23K35/3006 , C04B35/645 , C04B37/021 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/064 , C04B2237/121 , C04B2237/124 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/343 , C04B2237/366 , C04B2237/402 , C04B2237/407 , C04B2237/54 , C04B2237/60 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/86 , C22C9/00 , C22C13/00 , C22C21/00 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/83455 , H01L2924/01322 , H05K1/0204 , H05K1/0306 , H05K1/09 , H05K3/0061 , H05K3/38 , Y10T29/49155 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN115735013B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202180045904.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
-
公开(公告)号：CN115768910B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202180045199.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
-
公开(公告)号：CN114761589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202080082235.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，平均晶体粒径在10μm以上且100μm以下的范围内，导电率为90％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为50％以上。
-
公开(公告)号：CN115768910A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180045199.8
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C22C9/00
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.041 seconds)
