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公开(公告)号：CN114762091B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202180006822.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
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公开(公告)号：CN117133620A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310566924.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供在更换基片处理装置内的环部件时，能够高精度地对环部件进行对位的基片处理装置和环部件的对位方法。基片处理装置包括：等离子体处理腔室；被收纳在等离子体处理腔室内的支承台；设置在基片的周围的内侧边缘环；设置在内侧边缘环的周围的外侧边缘环，其具有第一对位部，在俯视时内侧边缘环的外周部与外侧边缘环的内周部重叠；外侧边缘环用的静电卡盘，其配置在支承台的与外侧边缘环相对的位置；和升降器，其能够使内侧边缘环和/或外侧边缘环上下移动，基片处理装置能够在驱动外侧边缘环用的静电卡盘吸附了外侧边缘环的状态下，利用第一对位部将内侧边缘环与外侧边缘环进行对位。
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公开(公告)号：CN115247260A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210418291.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/503 , C23C16/52 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本公开提供了基板处理方法、基板处理设备和基板处理系统。基板处理方法用于处理基板，该基板包括具有彼此不同的成分的第一区域和第二区域。该基板处理方法包括：(a)通过基板处理设备，在第一区域上优先形成第一沉积层；(b)在(a)之后，在第二区域上形成第二沉积层，该第二沉积层包含氟，并且该第二沉积层与第一沉积层不同；以及(c)在(b)之后，去除第二区域的至少一部分以及第二沉积层。在不满足停止条件的情况下，按顺序重复步骤(a)至(c)。
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公开(公告)号：CN114762091A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202180006822.9
申请日：2021-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113643975A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110420414.X
申请日：2021-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板的处理方法和基板处理装置，能够抑制掩模图案的偏差并且改善生产率。包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R1)被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R2)被控制为R2
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公开(公告)号：CN113496888A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110253407.5
申请日：2021-03-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够进行比气体切换方式高速且高选择比的蚀刻的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有：步骤a，向配置有载置台的处理容器中供给包含碳氟化合物和稀有气体的处理气体，其中，在载置台载置有包含由氧化硅构成的第一区域的被处理体；步骤b，用在第一等离子体生成条件下生成的处理气体的第一等离子体，对被处理体进行等离子体处理；步骤c，用在与第一等离子体生成条件不同的第二等离子体生成条件下生成的处理气体的第二等离子体，对被处理体上产生了偏置电位的该被处理体进行等离子体处理；和步骤d，反复进行步骤b和步骤c。
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公开(公告)号：CN112420507A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010794270.X
申请日：2020-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开一种处理基板的方法，其包括(a)向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有被图案化的有机掩模。该方法还包括(b)在将基板容纳于腔室内的状态下，在腔室内由处理气体生成等离子体的工序。该方法还包括(c)在生成等离子体的工序(即(b))的执行中，向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性的直流电压的工序。在施加脉冲状的负极性的直流电压的工序中，向上部电极供应源自等离子体的离子而将从上部电极释放的含硅物质沉积到基板上。
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公开(公告)号：CN109559987A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811118529.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
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公开(公告)号：CN105051870B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201480016295.X
申请日：2014-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/31133 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01L21/02118 , H01L21/02351 , H01L21/0271 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括：(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤；(b)对被处理体进行处理，以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤；(c)在对被处理体进行处理的步骤之后，在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤；(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后，对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子，并将该二次电子照射到被处理体的步骤；和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后，在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。
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