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公开(公告)号：JP6361048B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2016562355
申请日：2015-11-04
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , H01L21/318 , H01L21/31 , C23C16/36
CPC classification number: C23C8/30 , C23C16/36 , C23C16/45553
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公开(公告)号：JP6237882B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2016509916
申请日：2014-12-25
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: H01L21/205 , B01J7/00 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4481
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2016138325A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015015194
申请日：2015-01-29
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/318 , H01L21/314 , C23C16/36
Abstract: 【課題】高い耐薬品性を有する金属又は半金属炭窒化膜の低温製造方法の提供。 【解決手段】式(1)で表される1,2,4−トリアゾール化合物2又はその溶媒溶液と金属源又は半金属源とを使用するCVD法又はALD法において、反応室11内を所定の温度、圧力に設定した状態で、前記化合物2を直接又はその溶媒溶液を気化させて、不活性ガスと金属源又は半金属源7とを反応室11内に同時に又は交互に供給し、加熱した成膜対象物15に金属又は半金属炭窒化膜を形成する方法。 (Rは各々独立にH、C1〜5のアルキル基又はC1−5のトリアルキルシリル基) 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高耐化学性的金属或半金属碳氮化物膜的低温生产方法。溶解性：使用由式（1）表示的1,2,4-三唑化合物2的CVD法或AL法 ）或其溶剂溶液，以及金属源或半金属源，化合物2直接或通过将反应室11设定为规定的温度和压力而使溶剂溶液蒸发，惰性气体和金属源或半金属源7 同时或交替地供给到反应室11中，并且在该方法中在加热的沉积膜物体15上形成金属或半金属碳氮化物膜。 （每个R独立地为H，C1至C5的烷基或c1至c5的三烷基甲硅烷基）选择的图示：图1
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公开(公告)号：JP2015228391A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2014112439
申请日：2014-05-30
Applicant: 東京エレクトロン株式会社 , 宇部興産株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/318 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/02167 , C23C16/36 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 【課題】成膜温度を下げても良好な成膜レートを維持しつつ、SiCN膜を成膜することが可能なSiCN膜の成膜方法を提供すること。 【解決手段】被処理体の被処理面上にSiCN膜を成膜するSiCN膜の成膜方法であって、被処理体が収容された処理室内にSi原料を含むSi原料ガスを供給する工程(ステップ1)と、Si原料ガスを供給する工程(ステップ1)の後、処理室内に窒化剤を含むガスを供給する工程(ステップ3)とを備え、窒化剤として、1,2,3−トリアゾール系化合物を用いる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种SiCN膜的沉积方法，即使沉积温度降低，也能够保持良好的沉积速率而沉积SiCN膜。溶解性：在SiCN膜的沉积方法中，SiCN膜 沉积在加工对象的经处理表面上。 SiCN膜的沉积方法包括：步骤1，其中含有Si材料的Si材料气体被供应到其中存储处理物体的处理室; 以及在供给Si原料气体的工序1之后，向处理室供给含有氮化剂的气体的工序3。 使用1,2,3-三唑类化合物作为氮化剂。
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公开(公告)号：JP2015134799A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2015045356
申请日：2015-03-06
Applicant: 宇部興産株式会社
IPC: G01N30/04 , C07F7/00 , G01N30/02 , G01N30/88 , C07C31/125
Abstract: 【課題】 本発明の課題は、具体的に高純度化が達成された、即ち、ハロゲンや金属不純物の含有量が低減された高純度ジルコニウムアルコキシド原料を効率的に製造する方法を提供することにある。 【解決手段】 本発明の課題は、下記分析法で測定されるハロゲンの含有量が1質量ppm未満、鉄、クロム及び銅それぞれの含有量が0.1質量ppm未満であり、ニッケルの含有量が0.4質量ppm未満である、高純度ジルコニウムアルコキシド原料によって解決される。 ハロゲンの分析法; 高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに塩基性水溶液を添加して、沈殿物を除去した溶液の水溶液部分をイオンクロマトグラフィーにより高純度ジルコニウムアルコキシド原料中のハロゲン含有量を分析する。 金属含量の分析法; 高純度ジルコニウムアルコキシド原料を、そのまま又は有機溶媒に溶解した後、これに酸性水溶液を添加して、この酸性水溶液の水溶液部分を誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS)、誘導結合プラズマ発光分光分析(ICP−AES)又はそれらを組み合わせて高純度ジルコニウムアルコキシド原料中の鉄、クロム、銅及びニッケル含有量を分析する。 【選択図】 なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有效地制备高纯度的烷氧化锆原料的方法，其特别是高纯度化，即其卤素和金属杂质被还原。方法：提供高纯度的烷氧化锆原料 通过以下分析方法测定的卤素含量小于1质量ppm以下，铁，铬和铜的含量小于0.1质量ppm，镍含量小于0.4质量ppm的材料。 卤素的分析方法：将高纯度的烷氧基锆原料按照或溶解在有机溶剂中后加入碱性水溶液; 除去析出物后，通过离子色谱法分析析出物已被除去的溶液的水溶液部分，得到高纯度的烷氧基锆原料中的卤素含量。 金属含量的分析方法：将高纯度的烷氧基锆原料按照或溶解在有机溶剂中后，加入酸性水溶液; 通过电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS），电感耦合等离子体发射光谱分析（ICP-AES）或其铁，铬，铜和镍含量的组合分析该酸性溶液的水溶液部分 在高纯度的烷氧基锆原料中。
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公开(公告)号：JP2015110581A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2014260961
申请日：2014-12-24
Applicant: 宇部興産株式会社
CPC classification number: Y02P20/52
Abstract: 【課題】副生物の含量が低減された、工業的に好適なアルキルシクロペンタジエン化合物を高い収率で提供する。 【解決手段】原料及び原料のみに由来の副生物の含有量が5%以下であって、目的物由来の副生物の含有量が3%以下である、式(1)で示されるアルキルシクロペンタジエン化合物。四級オニウム塩、塩基又はアルキルハライドのいずれかひとつを最後に混合して反応させるアルキルシクロペンタジエン化合物の製造方法。シクロペンタジエンは予め混合しても良く、最後に混合しても良いアルキルシクロペンタジエンの製造方法。 (RはC1〜4のアルキル基;尚、シクロペンタジエン環上の任意のHはC1〜4のアルキル基で置換されていても良い) 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供其副产物含量较低的烷基环戊二烯化合物，其在工业上是合适的并且可以高产率生产。溶液：烷基环戊二烯化合物的原料含量和原料衍生自 - 含量控制在5％以下的产品含量，将目标衍生的副产物含量控制在3％以下，由式（1）表示（其中R为1-4C 烷基;如果1-4C烷基在环戊二烯环上被任选的H取代，则无关紧要）。 在烷基环戊二烯化合物的制造方法中，如果季铵盐，碱和烷基卤化物中的一种最终混合并最终反应，如果环戊二烯预先混合，或最终混合环戊二烯，则无关紧要。
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