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公开(公告)号：CN106068340B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201580003750.7
申请日：2015-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406
Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。
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公开(公告)号：CN104395241B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380031714.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供能使成形体或者烧结体兼具高取向度和添加物质的高均匀分散性的氧化锌粉末。本发明的氧化锌粉末包括多个氧化锌板状颗粒，具有1～5μm的体积基准D50平均粒径和1～5m2/g的比表面积。另外，氧化锌粉末在基板上二维地单层排列时，(002)面的取向度在40％以上。
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公开(公告)号：CN104395241A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380031714.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C01G9/02
CPC classification number: C01G9/02 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/61 , C01P2006/12 , Y10T428/2982 , C01P2006/16
Abstract: 本发明提供能使成形体或者烧结体兼具高取向度和添加物质的高均匀分散性的氧化锌粉末。本发明的氧化锌粉末包括多个氧化锌板状颗粒，具有1～5μm的体积基准D50平均粒径和1～5m2/g的比表面积。另外，氧化锌粉末在基板上二维地单层排列时，(002)面的取向度在40％以上。
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公开(公告)号：CN103556225A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310419587.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/40
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。
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公开(公告)号：CN103534391A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280013555.9
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/12 , C30B29/406 , Y10T428/24355
Abstract: 晶种基板（10）具备支撑基板（1）及设置在支撑基板（1）上的晶种膜（3A），所述晶种膜（3A）由第13族金属氮化物单晶构成。晶种膜（3A）具有主体部（3a）和具有小于主体部（3a）的膜厚的薄壁部（3b）。主体部（3a）及薄壁部（3b）露出于晶种基板（10）的表面。在晶种膜（3A）上通过助熔剂法培养第13族金属氮化物（15）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103429800A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280014356.X
申请日：2012-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L31/1856
Abstract: 使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。
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公开(公告)号：CN101611178B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880005131.1
申请日：2008-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 在培养容器(1)内，在含有助熔剂以及单晶原料的熔液(2)中，在晶种基板(5)上制造氮化物单晶时，在培养容器(1)内的熔液(2)的水平方向上设置温度梯度。由此，通过助熔剂法培养氮化物单晶时，抑制杂晶附着到单晶上，并且使单晶的膜厚均匀化。
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公开(公告)号：CN101410557B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200780008791.0
申请日：2007-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/10 , H01L21/208 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。
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公开(公告)号：CN102317512A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156873.9
申请日：2009-12-25
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。
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公开(公告)号：CN100532658C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610137998.5
申请日：2006-11-01
Applicant: 丰田合成株式会社 , 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B29/38 , C30B9/00 , H01L21/208
Abstract: 本发明提供一种用于生产Ⅲ族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由Ⅲ族氮化物化合物半导体形成，所述Ⅲ族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。
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