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公开(公告)号：CN106068340A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580003750.7
申请日：2015-03-09
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B29/38 , C30B29/406
Abstract: 使用用于收容助熔剂和原料的坩埚6、收容坩埚6的反应容器5A～5D、收容反应容器的中间容器3、及收容中间容器且用于填充含有至少含氮原子的气体的气氛的压力容器1。在加热下使助熔剂和原料熔融而生长氮化物结晶时，使有机化合物的蒸气9扩散到反应容器外和中间容器内的空间3a。
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公开(公告)号：CN104246027B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201380020111.2
申请日：2013-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L2933/0083
Abstract: 在由氮化镓单晶构成的晶种(1)的培养面(1a)上规则地排列有锥状或截顶锥状的突起(2)。在晶种的培养面(1a)上通过助熔剂法直接形成有厚度为100μm以下的氮化镓晶体层(4)。
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公开(公告)号：CN102272358A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980154332.2
申请日：2009-11-26
Applicant: 日本碍子株式会社 , 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002
Abstract: 通过含钠熔液的助熔剂法培养单晶的方法，在钇·铝·石榴石构成的反应容器内收容助熔剂。较之于使用了氧化铝容器或氧化钇容器的情况下，可显著削减氧、硅等杂质的带入量，可成功得到残留载流子浓度低、电子迁移率大、电阻率高的单晶。
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公开(公告)号：CN117597626A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280047493.7
申请日：2022-04-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/295
Abstract: 本发明提供扫描角度大、响应快、能够小型化、且能够降低驱动电压的波导元件、光扫描元件以及光调制元件。本发明的实施方式的波导元件具备：光子晶体层，其是在电光晶体基板周期性地形成空穴而成的；线缺陷的光波导，其形成在所述光子晶体层中；第一电极，其设置于电光晶体基板的上部，相对于光而透明；以及第二电极，其设置于电光晶体基板的下部。本发明的实施方式的光扫描元件及光调制元件分别包括上述波导元件。
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公开(公告)号：CN102803583B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080026135.5
申请日：2010-06-10
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B35/002
Abstract: 通过将III族金属氮化物单晶的原料以及助熔剂原料收容于坩埚内，再将该坩埚收容于反应容器(1)内，将反应容器(1)收容于外侧容器内，再将外侧容器收容于耐压容器内，向外侧容器内供给含氮氛围气体的同时，于坩埚内生成熔液来进行III族金属氮化物单晶的培养。反应容器(1)具备收容坩埚的本体(3)和放置于本体(3)上的盖(2)。本体(3)具备侧壁(3b)和底壁(3a)，该侧壁(3b)具有啮合面(3d)和开口于啮合面(3d)上的槽(3c)。盖(2)具备相对本体(3)的啮合面有接触面(2d)的上板部(2a)，以及从上板部(2a)延伸出来，包围侧壁(3b)的外侧的凸缘部(2b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395305B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780007680.8
申请日：2007-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 单晶的生长方法是，在含氮非氧化性气氛下，通过使原料在容器1内熔融而生长单晶时，在使搅拌介质12与混合熔液10接触的状态下，一边摇动容器1，一边生长单晶，其中所述搅拌介质12由和该混合熔液10为非反应性的材质所形成的固形物形成。
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公开(公告)号：CN104246027A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020111.2
申请日：2013-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L2933/0083
Abstract: 在由氮化镓单晶构成的晶种(1)的培养面(1a)上规则地排列有锥状或截顶锥状的突起(2)。在晶种的培养面(1a)上通过助熔剂法直接形成有厚度为100μm以下的氮化镓晶体层(4)。
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公开(公告)号：CN101851785B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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