公开(公告)号：CN101101861A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710136701.8

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  C25F7/00 ,  C25F3/00

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。

公开(公告)号：CN100346009C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN03802888.3

申请日：2003-01-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  锅谷治

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。

公开(公告)号：CN100346008C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN02827689.2

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 齐藤孝行 ,  铃木作 ,  槙田裕司 ,  山田薰 ,  白樫充彦 ,  当间康 ,  小田严贵 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  锅谷治 ,  广川一人

IPC: C25F3/00 ,  B23H3/10 ,  H01L21/3063 ,  B01J49/00

CPC classification number: C25F3/00 ,  B01J49/30 ,  C25F7/00

Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。

公开(公告)号：CN1625612A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN03802888.3

申请日：2003-01-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  锅谷治

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。

公开(公告)号：CN115087517A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202180013002.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高田畅行 ,  安田穗积

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B41/06 ,  B24B49/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含：平台，用于支承基板；垫保持架，用于保持研磨垫，研磨垫用于研磨被支承在平台的基板；升降机构，用于使垫保持架相对于基板升降；及至少3个定心机构400A、400B、400C，用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位，至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含：被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440，定心构件440包含：旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴430向与第1方向相反的第2方向旋转时与基板WF接触的第2接触部440b。

公开(公告)号：CN106891241B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201611168391.3

申请日：2016-12-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 山木晓 ,  安田穗积 ,  并木计介 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  富樫真吾 ,  矶野慎太郎

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种不依赖于工艺种类、研磨条件而能够防止研磨对象物的滑出的研磨装置、该研磨装置的控制方法以及控制程序。该研磨装置使研磨对象物的被研磨面与研磨部件相对地滑动而研磨被研磨面，具有：按压部，通过对研磨对象物的被研磨面的背面进行按压而将被研磨面按压于研磨部件；保持部件，配置于按压部的外侧，按压研磨部件；存储部，存储有与使用关于保持部件的按压力的信息而确定的防止研磨对象物的滑出的条件相关的信息；以及控制部，获取关于研磨对象物的被研磨面与研磨部件之间的摩擦力的信息或者关于保持部件的按压力的信息，使用该获取的关于摩擦力的信息或者该获取的关于保持部件的按压力的信息来进行控制，以符合防止滑出的条件。

公开(公告)号：CN110461542A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880018928.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 安田穗积 ,  小畠严贵 ,  高桥信行 ,  作川卓

IPC: B24B53/00 ,  B24B37/005 ,  B24B53/017 ,  B24B53/12 ,  B24B55/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨装置，能够在研磨中将研磨构件的状态维持为良好。提供一种用于局部研磨基板的研磨装置，该研磨装置具有：接触于基板的加工面比基板小的研磨构件；用于调整所述研磨构件的调整构件；在基板研磨中用于将所述调整构件按压于所述研磨构件的第一按压机构；及用于控制研磨装置的动作的控制装置，所述控制装置构成为，以所述研磨构件局部研磨基板时，控制所述第一按压机构。

公开(公告)号：CN104942698B

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201510144599.0

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 吉田博 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种能够对晶片等基板执行多层研磨的研磨装置。研磨装置具有：分别用于支撑研磨垫的多个研磨台；将基板按压到研磨垫的多个研磨头；以及将基板输送到多个研磨头中的至少两个研磨头的输送装置。多个研磨头具有彼此不同的构造。

公开(公告)号：CN108453618A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810151773.8

申请日：2018-02-14

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 安田穗积 ,  小畠严贵 ,  高桥信行 ,  作川卓 ,  高田畅行

IPC: B24B37/07 ,  B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B21/12 ,  B24B27/0084 ,  B24B37/105 ,  B24B37/107 ,  B24B53/017 ,  B24B37/07 ,  B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供基板的研磨装置和基板处理系统，能够降低单位加工痕迹形状相对于规定的形状的偏差。根据一个实施方式，提供对基板进行局部研磨的研磨装置，具有：与基板接触的加工面比基板小的研磨部件；将研磨部件向基板按压的按压机构；在与基板的表面平行的第一运动方向上对研磨部件施加运动的第一驱动机构；在与第一运动方向垂直且沿与基板的表面平行的方向具有成分的第二运动方向上对研磨部件施加运动的第二驱动机构；以及用于控制研磨装置的动作的控制装置，在研磨基板时，研磨部件构成为与基板接触的区域上的任意点在相同的第一运动方向上运动，控制装置构成为对第一驱动机构和第二驱动机构的动作进行控制以使用研磨部件对基板进行局部研磨。

公开(公告)号：CN107962492A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711338838.1

申请日：2013-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B57/02

Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置(1)，具有将基板W相对研磨面(2a)按压的基板保持面(45a)以及配置为包围基板W且与研磨面(2a)接触的保持环(40)；旋转机构(13)，使基板保持装置(1)以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构(110)，向保持环(40)的一部分施加局部负荷。保持环(40)能够和基板保持面(45a)独立地倾斜运动，局部负荷施加机构(110)不和基板保持装置(1)一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。