교환 가능한 전극을 구비하는 FET 형 바이오 센서
    31.
    发明公开
    교환 가능한 전극을 구비하는 FET 형 바이오 센서 有权
    具有可变电极板的场效应晶体管生物传感器

    公开(公告)号:KR1020100045640A

    公开(公告)日:2010-05-04

    申请号:KR1020080104662

    申请日:2008-10-24

    CPC classification number: G01N27/30 G01N27/26 G01N33/53

    Abstract: PURPOSE: A Field Effect Transistor-type biosensor with exchangeable electrode is provided to detect whether an antigen is existed or not by measuring and monitoring the value of a current flowing between an FET source and a drain. CONSTITUTION: An FET-type biosensor(100) with exchangeable electrode comprises an electrode plate(130) and an electrode plate socket(160). An FET(120) is arranged in a circuit board(110). The circuit board is a semiconductor substrate or a glass substrate. The electrode plate comprises a metal film, and detects a biomaterial. The electrode plate socket is arranged in the circuit board, and attaches and detaches the electrode plate. The electrode plate and the FET are electrically connected.

    Abstract translation: 目的:提供一种具有可交换电极的场效应晶体管型生物传感器,用于通过测量和监测在FET源极和漏极之间流动的电流的值来检测抗原是否存在。 构成:具有可交换电极的FET型生物传感器(100)包括电极板(130)和电极板插座(160)。 FET(120)布置在电路板(110)中。 电路板是半导体衬底或玻璃衬底。 电极板包括金属膜,并检测生物材料。 电极板插座布置在电路板中,并附接和分离电极板。 电极板和FET电连接。

    네트워크 관리 프로토콜을 이용한 센서 네트워크 관리 방법및 시스템
    32.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100916507B1

    公开(公告)日:2009-09-08

    申请号:KR1020070139254

    申请日:2007-12-27

    Abstract: 네트워크 관리 프로토콜을 이용한 센서 네트워크 관리 방법 및 시스템을 개시한다. 본 발명에 의한 네트워크 관리 프로토콜을 이용한 센서 네트워크 관리 방법은, 상기 센서 네트워크의 특성을 고려하여, 상기 센서 네트워크의 계층별 관리 정보를 정의하는 단계; 상기 정의된 관리 정보를 이용하여, 네트워크 관리 프로토콜을 생성하는 단계; 및 상기 생성된 네트워크 관리 프로토콜을 이용하여, 상기 센서 네트워크를 관리하는 단계를 포함한다.
    센서 네트워크, 네트워크 관리 프로토콜, 지그비, 센서 노드

    Abstract translation: 提供了一种使用网络管理协议来管理传感器网络的方法和系统,其通过使用管理信息生成网络管理协议并考虑传感器网络的特性来定义每层的管理信息来提高管理效率。 考虑传感器网络的特性来定义各层的传感器网络的管理信息(S110)。 通过使用定义的管理信息来生成网络管理协议(S120)。 通过使用所生成的网络管理协议来管理传感器网络(S130)。

    네트워크 관리 프로토콜을 이용한 센서 네트워크 관리 방법및 시스템
    33.
    发明公开
    네트워크 관리 프로토콜을 이용한 센서 네트워크 관리 방법및 시스템 有权
    使用网络管理协议管理传感器网络的方法和系统

    公开(公告)号:KR1020090071058A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:KR1020070139254

    申请日:2007-12-27

    CPC classification number: H04L41/0213 H04L41/12

    Abstract: A method and a system for managing a sensor network using a network management protocol are provided to improve management efficiency by generating a network management protocol using management information and defining management information at each layer in consideration with the characteristic of the sensor network. The management information of a sensor network at each layer is defined in consideration with the characteristic of the sensor network(S110). A network management protocol is generated by using the defined management information(S120). A sensor network is managed by using the generated network management protocol(S130).

    Abstract translation: 提供了一种使用网络管理协议来管理传感器网络的方法和系统,以通过使用管理信息生成网络管理协议并且考虑到传感器网络的特性来定义每层的管理信息来提高管理效率。 考虑传感器网络的特性来定义每层传感器网络的管理信息(S110)。 通过使用定义的管理信息生成网络管理协议(S120)。 通过使用生成的网络管理协议来管理传感器网络(S130)。

    고효율 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
    34.
    发明公开
    고효율 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
    具有高效率的有机薄膜晶体管及其方法

    公开(公告)号:KR1020070070693A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:KR1020050133512

    申请日:2005-12-29

    Abstract: An organic TFT with high efficiency is provided to relatively increase the width/length ratio of a source/drain electrode formed in a groove or protrusion with a predetermined shape by forming the groove or protrusion in a substrate or an organic or inorganic material deposited on the substrate. A substrate(400) of a predetermined shape is prepared which has at least one unevenness part(402). A gate electrode is formed on the unevenness part of the substrate. A gate insulation layer is formed on the gate electrode, made of an inorganic material with a high dielectric constant. An organic insulation layer(430) of a predetermined shape is patterned on the gate insulation layer. A source electrode(440) and a drain electrode(442) are formed on the organic insulation layer. A magnetic assembly is formed on the gate insulation layer between the source electrode and the drain electrode. An active layer(460) is formed on the magnetic assembly, connected to both ends of the source electrode and the drain electrode. The unevenness part can be composed of a concave groove part and a convex protrusion part that are selectively coupled to each other.

    Abstract translation: 提供了一种高效率的有机TFT,通过在基板上沉积的基板或有机或无机材料中形成凹槽或凸起来相对增加形成在具有预定形状的凹槽或突起中的源/漏电极的宽度/长度比 基质。 准备具有至少一个凹凸部(402)的规定形状的基板(400)。 栅电极形成在基板的不平坦部分上。 栅极绝缘层由具有高介电常数的无机材料制成。 在栅极绝缘层上形成预定形状的有机绝缘层(430)。 源极电极(440)和漏电极(442)形成在有机绝缘层上。 在源电极和漏电极之间的栅极绝缘层上形成磁性组件。 有源层(460)形成在磁性组件上,连接到源电极和漏电极的两端。 不平坦部分可以由选择性地彼此联接的凹槽部分和凸形突起部分组成。

    질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드
    37.
    发明公开
    질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드 有权
    还原和N掺杂的石墨烯氧化物的制备方法以及还原和N掺杂的石墨烯氧化物

    公开(公告)号:KR1020160127252A

    公开(公告)日:2016-11-03

    申请号:KR1020150057963

    申请日:2015-04-24

    Abstract: 본발명은그래핀옥사이드(graphene oxide, GO) 및테트라메틸암모늄하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를포함하는혼합용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된혼합용액을가열하는단계(단계 2);를포함하는환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법를제공한다. 본발명에따른환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드의제조방법은질소도펀트로서테트라메틸암모늄하이드록사이드라는 4 차암모늄염을사용함으로써저온에서도충분한환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있다. 또한, 그래핀옥사이드및 테트라메틸암모늄하이드록사이드의혼합비율을조절함으로써질소도핑레벨(doping level)을조절할수 있다. 나아가, 별도의첨가제를포함하지않고환원및 질소가도핑된그래핀옥사이드를제조할수 있기때문에친환경적이고, 액상공정으로대량생산이가능하다.

    Abstract translation: 本发明提供还原和N-掺杂的石墨烯氧化物的制备方法,包括以下步骤:制备含有氧化石墨烯(GO)和氢氧化四甲基铵(TMAH)(步骤1)的混合溶液,并加热步骤1中制备的混合溶液 第2步)。 本发明的还原型和N-掺杂石墨烯氧化物的制备方法可以通过使用四铵氢氧化铵(四铵盐)作为氮掺杂剂,即使在低温也能提供完全还原和N-掺杂的石墨烯氧化物。 根据该方法,可以通过控制氧化石墨烯和四甲基氢氧化铵的混合比来调节N掺杂水平。 此外,该方法不需要任何额外的添加剂来制备还原和N-掺杂的石墨烯氧化物,因此它是一种促进大规模生产的纯环境方法。

    실리콘계 음극의 제조방법, 이를 이용한 실리콘계 음극, 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
    38.
    发明授权
    실리콘계 음극의 제조방법, 이를 이용한 실리콘계 음극, 및 이를 포함하는 리튬 이차전지 有权
    一种制备硅氧烷阳极的方法,由其制备的硅氧烷阳极和包含该阳极的锂二次电池

    公开(公告)号:KR101475757B1

    公开(公告)日:2014-12-23

    申请号:KR1020120128399

    申请日:2012-11-13

    Abstract: 본기재는 (a) 실리콘기판위에금속막을형성하는단계; (b) 상기금속막이형성된실리콘기판을열처리하여, 실리콘박막이적층된금속막을얻는단계; 및 (c) 상기실리콘박막을식각액에담지하여실리콘나노와이어를형성하는단계를포함하는리튬이차전지용실리콘계음극의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及锂二次电池用硅基阳极的制造方法,该方法包括以下工序:(a)在硅基板上制造金属膜; (b)通过加热其上制造金属膜的硅基板获得层叠有硅膜的金属膜; 和(c)通过将硅膜浸入蚀刻溶液中制备硅纳米线。

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