탠덤 태양전지 및 그 제조방법
    35.
    发明授权
    탠덤 태양전지 및 그 제조방법 有权
    串联太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101628952B1

    公开(公告)日:2016-06-13

    申请号:KR1020140134471

    申请日:2014-10-06

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 탠덤태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기탠덤태양전지는제1 태양전지셀; 제2 태양전지셀; 및상기제1 태양전지셀 및상기제2 태양전지셀 사이에배치된계면층으로서, 아크플라즈마증착(Arc-Plasma Deposition)을이용하여상기제1 태양전지셀 상에증착된백금(Pt) 나노입자를포함하는계면층;을포함한다. 상기탠덤태양전지의제조방법은제1 태양전지셀 상에아크플라즈마증착을이용하여 Pt 계면층을형성함으로써, 계면층의전기적특성및 광학특성을용이하게제어할수 있으며, 하부의제1 태양전지셀에손상을최소화하고, 광전변환효율이향상된탠덤태양전지를제조할수 있다. 또한, 상기탠덤태양전지의제조방법에서제1 태양전지셀의광흡수층을저가의용액공정을이용하여제조할경우저비용공정을구현할수 있다.

    이산화탄소 환원 전극 및 이의 제조방법
    36.
    发明公开
    이산화탄소 환원 전극 및 이의 제조방법 有权
    二氧化碳还原电极及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160010070A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:KR1020140090895

    申请日:2014-07-18

    CPC classification number: Y02P20/135 C25B11/00 C25B11/04

    Abstract: 본발명은화석연료를대체하기위한청정연료개발의일환으로간주되는전기화학적/광전기화학적이산화탄소환원반응에서전기화학촉매로응용될수 있는금속(예: 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 또는아연(Zn)) 전극을나노구조화시켜성능을개선시킬수 있는방법에관한것으로서, 간단하고저비용의산소플라즈마공정을통해넓은표면적과많은활성자리들을갖는이산화탄소환원촉매를제작하고이를통해전체적인이산화탄소환원반응의효율과안정성을향상시킬수 있는전극의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 二氧化碳还原电极及其制备方法技术领域本发明涉及一种二氧化碳还原电极及其制备方法,更具体地,涉及通过纳米金属(金(Au),银(Ag),铜(Cu) ,或锌(Zn))电极,其可以用作电化学/光电化学二氧化碳还原反应中的电化学催化剂,其被认为是开发清洁燃料以代替化石燃料的一部分。 制备二氧化碳还原电极的方法通过简单和低成本的氧等离子体工艺制造具有大表面积和多个活性部位的二氧化碳还原催化剂,从而可以提高整体的效率和稳定性 二氧化碳还原反应。

    페이스트 코팅법에 의해 제조된 양면 박막 태양전지
    37.
    发明授权
    페이스트 코팅법에 의해 제조된 양면 박막 태양전지 有权
    使用低成本涂料方法制备的薄膜薄膜太阳能电池

    公开(公告)号:KR101382486B1

    公开(公告)日:2014-04-08

    申请号:KR1020120118195

    申请日:2012-10-24

    Abstract: The present invention relates to a bifacial thin film solar cell, particularly a bifacial CuInGaS thin film solar cell, fabricated by a paste coating method. According to several embodiments of the present invention, the bifacial thin film solar cell results in higher conversion efficiency than the simple sum of each conversion efficiency of upper and lower side, unlike those previously reported. The bifacial thin film solar cell exhibits many other effects described in the specification.

    Abstract translation: 本发明涉及通过糊涂法制造的双面薄膜太阳能电池,特别是双面CuInGaS薄膜太阳能电池。 根据本发明的几个实施例,与以前报道的不同,双面薄膜太阳能电池的转换效率高于上下两种转换效率的简单总和。 双面薄膜太阳能电池具有许多其他描述在本说明书中的效果。

    용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법
    39.
    发明授权
    용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법 有权
    本体异质结无机薄膜太阳能电池的制造

    公开(公告)号:KR101235856B1

    公开(公告)日:2013-02-22

    申请号:KR1020110059713

    申请日:2011-06-20

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체 용액에 n형 반도체 나노입자 분산액를 혼합한 후 페이스트 또는 잉크를 제조하여 CIGS-n형 반도체 박막을 얻는 단계를 포함하는 것이 특징이며, 벌크 헤테로 접합을 통해 전자 및 정공의 전극까지의 이동거리를 최소화하여 태양전지 효율을 향상시키고 용액 공정에 의한 프린팅 방법으로 박막을 제조함으로써 박막 태양전지의 제조 비용을 낮출 수 있다.

    용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법
    40.
    发明公开
    용액공정 기반의 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조 방법 有权
    大容量无机无机薄膜太阳能电池的制造

    公开(公告)号:KR1020120140078A

    公开(公告)日:2012-12-28

    申请号:KR1020110059713

    申请日:2011-06-20

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/072

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a bulk hetero junction inorganic thin film solar cell based on a solution process is provided to improve solar cell efficiency by minimizing a moving distance between an electrode and electrons or holes by a bulk hetero junction. CONSTITUTION: A ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink is obtained by adding polymer binder after the n type semiconductor nanoparticle dispersion solutions are mixed with Cu, In, and Ga precursor solutions(101). After a conductive substrate is coated with ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink(102), a ClG oxide-n type semiconductor mixed thin film is made by a thermal process under an air or oxygen atmosphere(103). Sulfurization or selenization ClGS-n type semiconductor thin film is made by thermally processing the ClG oxide thin film under sulfurization or selenization gas atmosphere(104). [Reference numerals] (100) Cu, In, Ga precursor; (101) CIG precursor-N type semiconductor nanoparticles mixing paste; (102) Mixed paste coating; (103) Thermal process 1 ClG-N type semiconductor mixed thin film; (104) Thermal process 2 sulfurization or selenization CIGS-N type semiconductor mixed thin film; (105) Manufacturing a device

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造基于溶液工艺的体异质结无机薄膜太阳能电池的方法,以通过使体异质结最小化电极与电子或空穴之间的移动距离来提高太阳能电池的效率。 构成:在n型半导体纳米颗粒分散液与Cu,In和Ga前体溶液(101)混合之后,通过加入聚合物粘合剂获得ClG前体n型半导体纳米颗粒糊或油墨。 在用ClG前体n型半导体纳米粒子糊剂或墨水(102)涂覆导电性基材之后,通过在空气或氧气氛下的热处理(103)制造ClG氧化物n型半导体混合薄膜。 硫化或硒化ClGS-n型半导体薄膜是通过在硫化或硒化气体气氛下热处理ClG氧化物薄膜制成的(104)。 (100)Cu,In,Ga前体; (101)CIG前驱体-N型半导体纳米粒子混合糊剂; (102)混合糊涂; (103)热工艺1 ClG-N型半导体混合薄膜; (104)热处理2硫化或硒化CIGS-N型半导体混合薄膜; (105)制造设备

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