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公开(公告)号：KR101023338B1
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020080109060
申请日：2008-11-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020100130019A
公开(公告)日：2010-12-10
申请号：KR1020090048665
申请日：2009-06-02
Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/203 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/203 , H01L21/28061 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide layer, a thin film transistor substrate thereof, and a manufacturing method thereof are provided to improve the surface roughness, charge mobility, and crystallization of a metal oxide layer by controlling chamber pressure. CONSTITUTION: A first metal oxide layer(11) is formed on a substrate(10). The first metal oxide layer has first charge mobility. A second metal oxide layer(12) is formed to be directly contacted on the first metal oxide layer. The second metal oxide layer has second charge mobility which is different from the first charge mobility.
Abstract translation: 目的：提供金属氧化物层的制造方法，其薄膜晶体管基板及其制造方法，通过控制室压力来提高金属氧化物层的表面粗糙度，电荷迁移率和结晶化。 构成：在基板（10）上形成第一金属氧化物层（11）。 第一金属氧化物层具有第一电荷迁移率。 形成第二金属氧化物层（12）以在第一金属氧化物层上直接接触。 第二金属氧化物层具有与第一电荷迁移率不同的第二电荷迁移率。
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公开(公告)号：KR1020170004176A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020150094159
申请日：2015-07-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , G01N27/416 , G01N33/487 , C12Q1/68
CPC classification number: G01N33/48721 , B81B2201/0214 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81C1/00087 , C12Q1/6869 , H01L21/465 , H01L29/24 , C12Q2565/631
Abstract: 본발명은절연성지지부재상에형성된나노포어구조를이용한나노포어구조체, 그제조방법및 나노포어구조를이용한이온소자에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른나노포어구조체는실리콘및 실리콘을함유하는화합물중 적어도하나를포함하여이루어지며중앙부에일측과타측을관통하는마이크로포어가형성되어있는절연성지지부재와, 질화실리콘(SiN)을포함하여이루어지며상기절연성지지부재상에배치되고중앙부에상기마이크로포어와연통되도록상기마이크로포어보다크기가작은나노포어가형성되어있는나노포어막을구비하고, 상기나노포어막과상기절연성지지부재는친수성표면처리에의해부착된다.
Abstract translation: 本发明涉及使用在绝缘支撑构件上形成的纳米孔，纳米孔结构制造方法和使用该纳米孔的离子元件的纳米孔结构。 根据本发明的一个实施方案的纳米孔结构包括：绝缘支撑构件，其包括硅和含硅化合物中的至少一种，并且在中心部分具有穿过绝缘体的一侧和另一侧的微孔 支持会员 以及包含氮化硅（SiN）的纳米孔膜，其设置在所述绝缘支撑构件上，并且在所述纳米孔膜的中心部分具有小于并与所述微孔连通的纳米孔，其中所述纳米孔膜和所述绝缘支撑体 构件通过亲水表面处理附着。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150088172A
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020140154660
申请日：2014-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/18
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/783
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, Ⅲ족원소와Ⅴ족원소를포함하는반도체기판및 상기반도체기판상의게이트구조체를포함하되, 상기반도체기판은상기게이트구조체하부와접하는제1 영역과상기제1 영역하부의제2 영역을포함하고, 상기제1 영역에서상기Ⅲ족원소의농도는상기Ⅴ족원소의농도보다낮고, 상기제2 영역에서상기Ⅲ족원소의농도는상기Ⅴ족원소의농도와실질적으로동일하다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括：包含III族元素和V族元素的半导体衬底;以及形成在该半导体衬底上的栅极结构，其中半导体衬底包括与栅极结构的下部接触的第一区域，以及位于下部 第一个区域的一部分。 在第一个区域，III族元素的浓度低于V元素的浓度。 在第二区域中，III族元素的浓度与V族元素的浓度大致相同。
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公开(公告)号：KR1020120060602A
公开(公告)日：2012-06-12
申请号：KR1020100122192
申请日：2010-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A designing method of transparent conductive material is provided to provide transparent conductive material using for a transparent electrode of an electronic device. CONSTITUTION: A designing method of transparent conductive material comprises: a step of determining A_aB_bO_c, which has the conduction band gap of 1-5 eV, has plasma frequency of conduction electron which is lower than the minimum energy of visible light area, and has optical band gap energy higher than the maximum energy of visible light region, by calculation of energy band; and a step of determining A_aB_(b-x)C_xO_c of which optical band gap energy and conduction band gap is within the range of 80-100% from the optical band gap energy of the A_aB_bO_c, and the 70-100% from the conduction band gap, respectively, and of which Fermi energy is within the conduction band.
Abstract translation: 目的：提供透明导电材料的设计方法，以提供用于电子设备的透明电极的透明导电材料。 构成：透明导电材料的设计方法包括：确定具有1-5eV的导带的A_aB_bO_c的步骤具有低于可见光面积的最小能量的导电电子的等离子体频率，并且具有光学 通过计算能带，带隙能量高于可见光区域的最大能量; 以及确定A_aB_（bx）C_xO_c的步骤，其中光学带隙能量和导带距离A_aB_bO_c的光学带隙能量在80-100％的范围内，并且从导带的70-100％ ，其中费米能量在导带内。
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公开(公告)号：KR101102624B1
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100095532
申请日：2010-09-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: A61B6/466 , A61B5/055 , A61B6/02 , G06T15/00 , G06T2207/10072 , G06T2207/10088
Abstract: PURPOSE: A method of an amygdala shape analysis and an apparatus using the same is provided to accurately the determination area of an amygdaloid body by analyzing the shape of the amygdaloid body and the subnucleus of the amygdaloid body. CONSTITUTION: An input unit(110) receives two dimensional amygdaloid body information. A three dimension volume coordinate generating unit(170) generates three amygdaloid body normal coordinates A quantitative analysis part(150) compares a normal coordinates with a predetermined amygdaloid body coordinate and extracts discrimination domain. A volume standardization section(120) determines three dimensional volume coordinate. A coordinate matching unit(130) changes three dimensional volume coordinate into a normal coordinates applied to an average amygdaloid body. A display unit displays the extracted discrimination domain.
Abstract translation: 目的：通过分析杏仁体和扁桃体的子核的形状，提供杏仁体形状分析的方法和使用该方法的装置来准确地确定杏仁体的确定区域。 构成：输入单元（110）接收二维杏仁体信息。 三维体积坐标生成单元（170）生成三个杏仁体正常坐标。定量分析部（150）将正常坐标与预定的杏仁体坐标进行比较，并提取辨别域。 体积标准化部分（120）确定三维体积坐标。 坐标匹配单元（130）将三维体积坐标改变为应用于平均杏仁体的正常坐标。 显示单元显示提取的鉴别域。
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公开(公告)号：KR1020110079208A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090136199
申请日：2009-12-31
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C01B33/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/70 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , C23C16/02 , C23C16/402 , Y10T428/2933 , Y10T428/296
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing silica nano-wire is provided to grow silica nano-wire to the one dimensional linear direction based on substrate selective chemical reaction using a precursor with a heteroleptic structure and oxygen-containing gas. CONSTITUTION: A method for manufacturing silica nano-wire includes the following: A target is arranged in a reaction chamber. A precursor with a heteroleptic structure is supplied into the reaction chamber. The chemical formula of the heteroleptic structure is SiA_2B_2, and the A and the B are different functional groups. Oxygen-containing gas is supplied and is preferentially reacted with either of the A or the B. The intermediate from the reaction of the precursor and the oxygen-containing gas is grown on the surface of the target. The A is amine group, and the B is hydrogen group.
Abstract translation: 目的：提供一种二氧化硅纳米线的制造方法，使用具有异位结构和含氧气体的前体，基于基板选择性化学反应，将二氧化硅纳米线生长成一维线性方向。 构成：二氧化硅纳米线的制造方法包括：反应室内设有靶。 具有杂音结构的前体被供应到反应室中。 异位结构的化学式为SiA_2B_2，A和B为不同的官能团。 供给含氧气体，优选与A或B中的任一种反应。来自前体和含氧气体的反应的中间体在目标物的表面生长。 A是胺基，B是氢基。
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公开(公告)号：KR101029299B1
公开(公告)日：2011-04-18
申请号：KR1020080136593
申请日：2008-12-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/5271
Abstract: 본 발명은 전극 표면에서 전반사 및 광도파로 효과로 인해 손실되는 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 소자를 실현한다는 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 기판 상에 제 1 전극, 유기물층 및 제 2 전극이 순차 적층되는 구조를 갖는 종래의 유기 발광 소자와는 달리, 기판과 제 1 전극 사이에 요철 형상의 미세 패턴을 갖는 나노 구조체를 형성하여, 전반사와 광 도파로 모드로 인해 손실되는 광을 기판 외부로 추출함으로써 외부 양자 효율이 향상된 유기 발광 소자를 실현할 수 있으며, 또한 시야각에 따른 광 추출 패턴과 색 변화를 개선할 수 있는 것이다.
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