公开(公告)号：KR100589924B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본 발명은 감압 처리실로부터 미반응 원료 가스나 반응 부생성물 가스를 배기하기 위한 진공 펌프의 안정 가동을 보증하는 동시에 반응 부생성물을 효율적으로 회수하여 자원의 유효 이용 및 운전 비용의 절감을 도모하는 것을 목적으로 한다. 이 감압 CVD 장치는 감압 CVD법에 의해 구리의 성막(成膜)을 행하기 위한 처리실(10)과, 이 처리실(10)에 원료 가스로서 유기 구리 화합물, 예컨대 Cu(I) hfac TMVS를 공급하기 위한 원료 가스 공급부(12)와, 처리실(10)을 진공 흡기하여 배기하기 위한 진공 배기부(14)로 구성되어 있다. 진공 배기부(14)는 진공 펌프(26)와, 그 전단 및 후단에 각각 설치된 고온 트랩 장치(28) 및 저온 트랩 장치(30)로 구성되어 있다. 고온 트랩 장치(28)에서는 처리실(10)로부터의 배기 가스에 포함되어 있는 미반응 Cu(I) hfac TMVS를 분해하여 금속 구리가 트랩되고, 저온 트랩 장치(30)에서는 반응 부생성물인 Cu(II) (hfac)
2 가 트랩된다.

公开(公告)号：KR1020000062779A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：KR1020000011449

申请日：2000-03-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  구보겐이치 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S55/15

Abstract: 본발명은감압처리실로부터미반응원료가스나반응부생성물가스를배기하기위한진공펌프의안정가동을보증하는동시에반응부생성물을효율적으로회수하여자원의유효이용및 운전비용의절감을도모하는것을목적으로한다. 이감압 CVD 장치는감압 CVD법에의해구리의성막(成膜)을행하기위한처리실(10)과, 이처리실(10)에원료가스로서유기구리화합물예컨대 Cu(I) hfac TMVS를공급하기위한원료가스공급부(12)와, 처리실(10)을진공흡기하여배기하기위한진공배기부(14)로구성되어있다. 진공배기부(14)는진공펌프(26)와, 그전단및 후단에각각설치된고온트랩장치(28) 및저온트랩장치(30)로구성되어있다. 고온트랩장치(28)에서는처리실(10)로부터의배기가스에포함되어있는미반응 Cu(I) hfac TMVS를분해하여금속구리가트랩되고, 저온트랩장치(30)에서는반응부생성물인 Cu(II) (hfac)가트랩된다.