公开(公告)号：KR1020120024740A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：KR1020117029475

申请日：2010-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30

CPC classification number: H01L45/144 ,  C23C16/305 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1616

Abstract: 기체 상태의 Ge 원료와 기체 상태의 Sb 원료와 기체 상태의 Te 원료를 이용하여 CVD에 의해 기판 상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 가 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 Ge-Sb-Te막의 성막 방법으로서, 처리 용기 내에 기판을 배치하는 공정(공정 1)과, 기체 상태의 Ge 원료 및 기체 상태의 Sb 원료를 처리 용기 내로 도입하여 기판 상에 제 1 단계의 성막을 행하는 공정(공정 2)과, 기체 상태의 Sb 원료 및 기체 상태의 Te 원료를 처리 용기 내로 도입하여 제 1 단계의 성막으로 얻어진 막 상에 제 2 단계의 성막을 행하는 공정(공정 3)을 가지며, 공정 2에 의해 얻어진 막과 공정 3에 의해 얻어진 막에 의해 Ge-Sb-Te막을 얻는다.

公开(公告)号：KR100666042B1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：KR1020037012079

申请日：2002-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기내에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)상에 공급된다. 층간 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화된 산소 기체에 노출된다. 그 후, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.

Abstract translation: 根据本发明，将半导体基板101放置在预定处理容器中，并且通过例如转换成等离子体而激活的氧气被供应到绝缘膜108上。 层间绝缘膜106和绝缘膜108的表面暴露于活性氧气。 之后，通过CVD形成钌膜109。

公开(公告)号：KR100610416B1

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: 텅스텐원자를 포함하는 제1원료가스를 피처리체에 접촉시키고, 또한 질소원자를 포함하는 제2원료가스를 피처리체에 접촉시키지 않은 전공정과, 제1원료가스와 제2원료가스를 사용하여, 피처리체에 질화텅스텐막을 형성하여 반도체장치를 제조하는 성막공정을 구비한 반도체장치의 제조방법이다. 이 방법에 의하면, 성막후의 열처리시에 있어서의 막박리를 방지할 수가 있다.

公开(公告)号：KR1020030061851A

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：KR1020037007935

申请日：2001-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마야스히코 ,  아리마스스무 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 박막이 웨이퍼의 처리면에 증착되고 웨이퍼가 처리실의 외부로 분출된 후에, 클램프의 접촉 돌출부가 서섭터와 접촉하여 클램프를 가열한다. 그 후에, 박막이 증착되지 않은 웨이퍼가 반입될 때 클램프를 상승시키는 것에 의해서 웨이퍼가 서셉터상에 배치된다. 그 후에, 클램프는 웨이퍼와 접촉하게 되고 웨이퍼는 소정 온도로 안정화된다. 그 후에, 웨이퍼의 처리면에 박막이 증착된다.

Abstract translation: 在薄片沉积在晶片的处理表面上并且晶片从处理室移出之后，使夹具的接触突起与基座接触以加热夹具。 接下来，在没有沉积薄膜的晶片被输入时，通过提升夹具来将晶片设置在基座上。之后，使夹具与晶片接触，并且晶片稳定至预定温度 。 此后，在晶片的处理表面上沉积薄膜。

公开(公告)号：KR1020000029332A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990046706

申请日：1999-10-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  요네자와사토시 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코 ,  다치바나미쓰히로 ,  호소다게이조

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051

Abstract: PURPOSE: A producing method of a semiconductor is provided to remove a sub generated object generated from WF6 and NH3 gas by washing on the spot and keeping a filming chamber unit at a proper temperature that the sub generated object is not remained. CONSTITUTION: A method for producing a semiconductor includes a process for contacting a first material gas including a tungsten atom to a processed body and not contacting a second material gas including a nitride atom to the processed body and a filming process for producing the semiconductor device by forming a nitride tungsten film in the processed body using the first and second raw material gas. Herein, the process pressure of the processed body in the process is 0.1 to 20 Torr, and the temperature of the processed body is 300 to 500°C. Thereby, the nitride tungsten film is prevented from being peeled off from a lower layer on a heat process after filming.

Abstract translation: 目的：提供半导体的制造方法，通过现场清洗和将成膜室单元保持在不产生副生成物体的适当温度下，除去由WF6和NH3气体产生的副生成物。 构成：一种制造半导体的方法包括使包含钨原子的第一材料气体与加工体接触并且不与包含氮化物原子的第二材料气体接触到加工体的方法，以及通过以下步骤制造半导体器件的成膜方法： 使用第一和第二原料气体在加工体中形成氮化钨膜。 这里，处理体的处理压力为0.1〜20托，加工体的温度为300〜500℃。 由此，能够防止氮化钨膜在成膜后的热处理中从下层剥离。

公开(公告)号：KR102084691B1

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：KR1020180046752

申请日：2018-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마에카와코지 ,  사메시마타카시 ,  아오야마신타로 ,  스즈키미키오 ,  아리마스스무 ,  마츠모토아츠시 ,  시바타나오키

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020130115256A

公开(公告)日：2013-10-21

申请号：KR1020137009652

申请日：2011-09-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/305 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  C23C16/30 ,  C23C16/301

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 배치하고, 기체형의 Ge 원료와, 기체형의 Sb 원료와, 기체형의 Te 원료를 상기 처리 용기 내에 도입하여 CVD에 의해 기판 상에 Ge
2 Sb
2 Te
5 가 되는 Ge-Sb-Te막을 성막하는 Ge-Sb-Te막의 성막 방법으로서, 기체형의 Ge 원료 및 기체형의 Sb 원료, 또는, 이들에 더하여 Ge
2 Sb
2 Te
5 가 형성되지 않을 정도의 소량의 기체형의 Te 원료를, 상기 처리 용기 내에 도입하여 기판 상에, Te를 함유하지 않거나 또는 Ge
2 Sb
2 Te
5 보다 적은 양의 Te를 함유하는 전구체막을 형성하는 공정(공정 2)과, 기체형의 Te 원료를 처리 용기 내에 도입하여, 전구체막에 Te를 흡착시켜 막 중의 Te 농도를 조정하는 공정(공정 3)을 갖는다.

公开(公告)号：KR101200577B1

公开(公告)日：2012-11-12

申请号：KR1020107002918

申请日：2008-09-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 막 내의 Sr과 Ti의 비율(Sr/Ti)이 원자수비로 1.4 이상 3 이하가 되도록 하여 성막한 후, 0.001 % 이상 80 % 이하의 O
2 를 함유하는 분위기 내에서 500 ℃ 이상으로 어닐링한다. 또한, SrO막 성막 단계 또는/및 TiO막 성막 단계가 복수 회 연속해서 수행되는 시퀀스를 포함하여 SrO막 성막 단계 및 TiO막 성막 단계를 복수 회 수행한다. 또한, Sr을 흡착시킨 후, Sr을 산화시킬 때에, 산화제로서 O
3 및 H
2 O를 이용한다.

公开(公告)号：KR101171558B1

公开(公告)日：2012-08-06

申请号：KR1020107021021

申请日：2009-02-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  엘피다 메모리 가부시키가이샤

Inventor： 가와노유미코 ,  아리마스스무 ,  가키모토아키노부 ,  히로타도시유키 ,  기요무라다카카즈

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 제 1 유기 금속 화합물 원료로서 증기압이 낮고 유기 배위자가 산화제로 분해되어 CO를 발생하기 쉬운 화합물을 이용하고, 제 2 유기 금속 화합물 원료로서 금속 알콜시드를 이용하고, 산화제로서 기체상태의 O
3 또는 O
2 를 이용하고, 이들을 처리용기내에 도입해서 기판상에 AxByOz형의 산화물막을 성막함에 있어서, 산화제를 도입하기 직전에는 반드시 상기 제 2 유기 금속 화합물 원료를 도입하도록 한다.

公开(公告)号：KR1020030083740A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020037012079

申请日：2002-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  아리마스스무 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L28/65 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/18 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

Abstract: 본 발명에 따라, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)에 공급된다. 인터레벨 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화 산소 기체에 노출된다. 이어서, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.