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    열처리 장치
    1.
    发明授权
    열처리 장치 有权
    热处理设备

    公开(公告)号：KR101500883B1

    公开(公告)日：2015-03-09

    申请号：KR1020137001374

    申请日：2012-02-01

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쯔이 죠센 가부시키가이샤

    Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코 ,  우치다나오키 ,  오자키가즈히로

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

    Abstract: 서셉터의 주연부로부터 들어가는 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 서셉터의 면 내 온도를 정확하게 제어한다. 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 도전성 부재로서, 주연부(210)와 이것에 둘러싸이는 내측부(220)로 나눠지고, 내측부는 후판 형상 발열체로 이루어지고, 주연부는 내측부보다 얇은 박판 형상 발열체를 서로 전기적으로 절연한 상태에서 적층하여 이루어지는 서셉터(200)와, 서셉터의 측면으로부터 그 탑재면에 평행한 방향으로 교류 자장을 형성하는 전자석(120)을 구비하고, 이 전자석에 감겨진 유도 코일(124)에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류에 의해 각 박판 형상 발열체에 발생하는 유도 전류를 제어하여 내측부까지의 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 각 서셉터의 주연부의 발열량과 내측부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 행한다.

    기판 처리 방법 및 기록매체
    5.
    发明授权
    기판 처리 방법 및 기록매체 有权
    用于处理衬底和记录介质的方法

    公开(公告)号：KR101012959B1

    公开(公告)日：2011-02-08

    申请号：KR1020087007208

    申请日：2006-07-25

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 야마사키히데아키 ,  나카무라가즈히토 ,  가와노유미코

    IPC: C23C16/44 ,  H01L21/304

    CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/16 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405

    Abstract: 피처리 기판을 유지하고 가열수단을 갖는 유지대와, 상기 유지대를 내부에 구비한 처리용기를 갖는 성막장치에 의한 기판 처리 방법으로서, 상기 처리용기에 성막가스를 공급하여 상기 피처리 기판에 성막을 실행하는 성막 공정과, 상기 성막 공정 후에, 플라즈마 여기된 클리닝가스를 상기 처리용기에 공급하여 상기 처리용기 내의 클리닝을 하는 클리닝 공정과, 상기 클리닝 공정 후에 상기 처리용기 내에 코팅 성막을 실행하는 코팅 공정을 갖고, 상기 클리닝 공정에서는 플라즈마 여기된 상기 클리닝가스 중의 래디컬이 재결합된 분자에 의한 클리닝이 지배적으로 되도록 상기 처리용기 내의 압력이 제어되는 고압 공정을 포함하고, 상기 코팅 공정에서는 상기 성막 공정의 상기 피처리 기판으로의 성막의 경우보다 상기 유지대의 온도를 내려 상기 코팅 성막이 실행되는 저온 성막 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

    ＴａＳｉＮ막의 성막 방법
    7.
    发明公开
    ＴａＳｉＮ막의 성막 방법 失效
    形成电影的方法

    公开(公告)号：KR1020090057944A

    公开(公告)日：2009-06-08

    申请号：KR1020087030958

    申请日：2007-06-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 나카무라가즈히토 ,  야마사키히데아키 ,  가와노유미코

    IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/49

    CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517

    Abstract: A substrate is disposed in a treating vessel. An organic Ta compound gas having a Ta=N bond, an Si-containing gas, and an N-containing gas are introduced into the treating vessel to form a TaSiN film by CVD. In this film formation, at least one of the partial pressure of the Si-containing gas in the treating vessel, total pressure in the treating vessel, film formation temperature, and partial pressure of the N-containing gas is controlled to thereby regulate the Si concentration in the film. Especially when SiH4 gas is used as the Si-containing gas, the partial SiH4 gas pressure is determined based on the fact that the desired Si concentration in the film under given processing conditions can be expressed as a linear function involving the logarithm of the partial pressure of SiH4 gas.

    Abstract translation: 将基板设置在处理容器中。 将具有Ta = N键的有机Ta化合物气体，含Si气体和含N气体引入处理容器中，通过CVD形成TaSiN膜。 在该成膜中，处理容器内的含Si气体的分压，处理容器内的总压，成膜温度，含N气体的分压中的至少一个被控制，从而调节Si 集中在电影里。 特别是当使用SiH 4气体作为含Si气体时，部分SiH 4气体压力基于以下事实来确定：在给定加工条件下膜中期望的Si浓度可以表示为涉及分压对数的线性函数 的SiH4气体。

    ＳｒＴｉＯ3 막의 성막 방법
    8.
    发明公开
    ＳｒＴｉＯ3 막의 성막 방법 无效
    SRTIO3膜的膜形成方法

    公开(公告)号：KR1020080069918A

    公开(公告)日：2008-07-29

    申请号：KR1020080007009

    申请日：2008-01-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가와노유미코 ,  가키모토아키노부 ,  가도쿠라히데키미 ,  히가시신타로

    IPC: H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

    Abstract: A film forming method of an SrTiO3 film is provided to carry out gasification of material at less than 200°C, to obtain uniform composition in the film, and to secure high throughput and high coverage which is effective for an electrode of a capacitor of an MIM(Metal Insulator Metal) structure. A film forming device(100) includes a cylindrical or box shaped process vessel(1). A mounting device(3) is mounted with a semiconductor wafer(W). A dividing wall(13) is formed at the outer perimeter of the mounting device. A curved part(14) is formed by bending the dividing wall horizontally. An inert gas purge room(15) is formed at the inside of the mounting device. Connection rods(12) are inserted into gaps. The mounting device is supported by a support arm(4). An L shaped lifter pin(5) is projected upward from a ring shaped support member(6). The support member is lifted up and down by a lifting rod(7). The lifting rod is moved up and down by an actuator(10). An inserted part of the lifting rod is covered by a bellows(9). A second gas purging gap(18) is formed at an edge of a clamp ring. An inert gas supply device(19) is installed at the bottom part of the process vessel. The gas supply device has a gas nozzle(20), an Ar gas supply source(21), and a gas pipe(22). The gas pipe has a mass flow controller(23) and opening and closing valves(24,25).

    Abstract translation: 提供了一种SrTiO 3膜的成膜方法，用于在低于200℃的条件下进行材料的气化，以获得膜中均匀的组成，并且确保了对于电容器的电极有效的高通量和高覆盖率 MIM（金属绝缘子金属）结构。 成膜装置（100）包括圆柱形或箱状处理容器（1）。 安装装置（3）安装有半导体晶片（W）。 分隔壁（13）形成在安装装置的外周。 弯曲部分（14）通过水平地弯曲分隔壁而形成。 惰性气体净化室（15）形成在安装装置的内部。 连接杆（12）插入间隙中。 安装装置由支撑臂（4）支撑。 L形升降器销（5）从环形支撑构件（6）向上突出。 支撑构件通过提升杆（7）上下升降。 提升杆由致动器（10）上下移动。 提升杆的插入部分被波纹管（9）覆盖。 第二气体吹扫间隙（18）形成在夹紧环的边缘处。 惰性气体供给装置（19）安装在处理容器的底部。 气体供给装置具有气体喷嘴（20），Ar气体供给源（21）和气体管道（22）。 气体管道具有质量流量控制器（23）和开关阀（24,25）。

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