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公开(公告)号：KR1020170085977A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020170005387
申请日：2017-01-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/60
Abstract: [과제] 진공반송모듈과진공처리모듈의사이를구획하는게이트밸브를개폐했을때에, 웨이퍼에의파티클의부착을억제하는기술을제공하는것. [해결수단] 진공반송실(2)과처리용기(30) 사이의웨이퍼(W)의반송을실시함에있어서, 양자를구획하고있는게이트밸브(40)를열기전에처리용기(30) 내에서는, 탑재대(5)의상방으로부터 Ar 가스를공급하고, 해당불활성가스의유량이진공반송실(2) 내에공급되는 N가스의유량보다작고, 또처리용기(30) 내의압력이진공반송실(2) 내의압력보다작은상태로하고있다. 이때문에게이트밸브(40)를열었을때에 N가스가, 진공반송실(2)로부터처리용기(30)로유입하는방향의흐름, 및탑재대(5)의표면의중심부로부터주연부로향하고, 탑재대(5)의주연으로부터하방으로향하는기류를유지한채로, 게이트밸브(40)를열고, 웨이퍼(W)를반송할수 있어, 부착물(100)의탑재대(5)의상방으로의비산을억제할수 있다.
Abstract translation: 发明内容本发明提供一种技术，用于在用于分隔真空输送模块和真空处理模块之间的分隔的闸阀打开或关闭时抑制颗粒对晶片的粘附。 在搬运真空搬运室2与处理容器30之间的晶片W时，在处理容器30内，在打开分隔真空搬运室2与处理容器30的闸阀40之前， 阶段5，纱线从所述的装备室供给Ar气体，和输送在真空传送腔室中的惰性气体压力的流速（2）N小于所述气体的流率，并且处理容器30被供给到真空（2 室内的压力小于室内的压力。 正因为如此，在N 2气体打开闸阀40时，在一个方向上的流动从真空传送腔室流入所述处理容器30（2），以及与所述外围的一部分从基体5的表面的中心面对，与 同时，可以保留从基座5的外周向下指向的气流，打开闸阀40，它是能够运输晶片（W），可以抑制附着100的安装台5服装室的散射 有。
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公开(公告)号：KR101207593B1
公开(公告)日：2012-12-03
申请号：KR1020097020267
申请日：2008-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4585
Abstract: 탑재대(22)에탑재된웨이퍼(W)를가열기구에의해가열하면서, 웨이퍼표면에성막용가스를반응시켜 CVD에의해웨이퍼(W)상에소정의막을성막하는성막장치는, 탑재대(22)상의웨이퍼(W)의외측부분을덮는모재(24a)와적어도모재의이면측에마련된저복사율막(24b)을가진커버부재(24)를포함한다.
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公开(公告)号：KR100998831B1
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020087006700
申请日：2006-07-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: 고체원료를 승화시킨 기체원료를 성막 장치에 공급하는 원료 공급 장치로서, 내부에 상기 고체원료를 유지하는 원료용기와, 상기 원료용기의 제 1 측에 설치된 제 1 가열 수단과, 상기 원료용기의 제 2 측에 설치된 제 2 가열 수단과, 상기 제 2 측보다 상기 제 1 측의 온도를 높게 하고, 상기 제 1 측에서 상기 고체원료가 승화하도록 상기 제 1 가열 수단 및 상기 제 2 가열 수단을 제어하는 제 1 처리를 실행하는 제 1 온도 제어 수단과, 상기 제 1 측보다 상기 제 2 측의 온도를 높게 하고, 상기 제 2 측에서 상기 고체원료가 승화하도록 상기 제 1 가열 수단 및 상기 제 2 가열 수단을 제어하는 제 2 처리를 실행하는 제 2 온도 제어 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 원료 공급 장치.
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公开(公告)号：KR100980528B1
公开(公告)日：2010-09-07
申请号：KR1020087014405
申请日：2006-11-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/16 , C23C8/16 , C23C8/36 , C23C16/56 , H01L21/28079 , H01L21/28176 , H01L29/495 , H01L29/517
Abstract: 반도체 기판인 Si기판(1) 상에, 게이트 절연막(2)을 형성하고, 계속해서 게이트 절연막(2) 상에, W(CO)
6 가스를 포함하는 성막 가스 이용한 CVD에 의해, W계막(3a)을 형성한다. 그 후, 환원성 가스의 존재하에서 산화 처리하고, W 계막(3a)중의 W는 산화시키지 않고 C만을 선택적으로 산화시켜서 W계막(3a)중에 포함되는 C농도를 감소시킨다. 그 후, 필요에 따라서 열처리를 실시한 후, 레지스트 도포, 패터닝, 에칭 등을 실행하고, 또한 이온 주입 등에 의해 불순물 확산 영역(10)을 형성하고, MOS 구조의 반도체 장치를 형성한다.-
公开(公告)号：KR100930434B1
公开(公告)日：2009-12-08
申请号：KR1020087002703
申请日：2006-08-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마사키히데아키
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/45525 , H01L21/28097 , H01L29/4975
Abstract: W계 막의 성막 방법은 처리실 내에 기판을 배치하는 것과, 처리실에의 W(CO)
6 가스의 도입에 의한 W의 퇴적과 Si 함유 가스의 도입에 의한 W의 규화 또는 Si의 퇴적을 교대로 반복하여 WSi막을 성막하는 것과, W(CO)
6 가스의 공급과 Si 함유 가스의 공급의 사이에서 처리실을 퍼지하는 것을 갖는다.Abstract translation: 公开了一种用于形成W基膜的方法，该方法包括用于将基板放置在处理室中的步骤，用于通过将W（CO）6气体引入到处理室中交替地重复布置W而形成WSi膜的步骤 通过向处理室内导入含Si气体而W的硅化或Si的堆积，以及在W（CO）6气体的供给和含Si气体的供给之间清洗处理室的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100697512B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020057009559
申请日：2003-11-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/30
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 본 발명은 기판 처리 용기내의 부재의 손상을 저감한 기판 처리 장치의 클리닝 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 피처리 기판을 처리하는 기판 처리 장치의 기판 처리 용기를 클리닝하는 클리닝 방법은 기판 처리 장치에 설치된 리모트 플라즈마 발생부에 가스를 도입하는 가스 도입 단계와, 리모트 플라즈마 발생부에 의해 가스를 여기하여 반응종을 생성하는 반응종 생성 단계와, 반응종을 상기 리모트 플라즈마 발생부로부터 처리 용기에 공급하는 동시에, 처리 용기내의 압력을 1333㎩ 이상의 상태로 하는 반응 단계로 구성된다.
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公开(公告)号：KR100634855B1
公开(公告)日：2006-10-17
申请号：KR1020010010887
申请日：2001-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/7687 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L27/10855 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/75 , H01L28/90
Abstract: 반도체 장치는 층간 절연막, 접점 플러그, 장벽막, 제1 전극, 캐패시터 절연막 및 제2 전극을 포함한다. 층간 절연막은 반도체 기판 위에 배치된다. 접점 플러그는 층간 절연막을 관통하여 연장하며, 도전성 재료로 형성된다. 장벽막은 접점 플러그의 상부면 위에 텅스텐계 재료로 형성된다. 제1 전극은 장벽막을 매개로 하여 접점 플러그에 접속되며 금속 재료로 층간 절연막 위에 형성된다. 캐패시터 절연막은 절연 금속 산화물로 제1 전극 위에 형성된다. 제2 전극은 캐패시터 절연막에 의하여 절연되며 제1 전극의 표면 위에 형성된다.
Abstract translation: 该半导体器件包括层间绝缘膜，接触插塞，阻挡膜，第一电极，电容器绝缘膜和第二电极。 层间绝缘膜设置在半导体衬底上。 接触插塞延伸穿过层间绝缘膜并且由导电材料形成。 阻挡膜由接触插塞的上表面上的钨基材料形成。 第一电极经由阻挡膜连接到接触插塞并且用金属材料形成在层间绝缘膜上。 电容器绝缘膜利用绝缘金属氧化物形成在第一电极上。 第二电极由电容器绝缘膜绝缘并形成在第一电极的表面上。
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公开(公告)号：KR100634854B1
公开(公告)日：2006-10-17
申请号：KR1020010010886
申请日：2001-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 장치 제조 방법에 따르면, 실리콘 기판 위에 층간 절연막을 형성한다. 그리고, 이 층간 절연막에 홈을 형성한다. 이 홈의 저면 및 측면이 덮이도록 텅스텐계 재료로 이루어진 하부 하지막을 열화학적 기상 증착법으로 형성한다. 이 하부 하지막의 전영역 위에 텅스텐계 재료로 이루어진 상부 하지막을 열화학 기상 증착법으로 형성한다. 상기 홈 안에 구리로 이루어진 구리막을 매입한다. 상기 하부 하지막은 텅스텐의 소스 가스와 다른 소스 가스를, 다른 소스 가스가 텅스텐의 소스 가스보다 많도록 공급해서 열화학 기상 증착법으로 형성한다. 상기 상부 하지막은 텅스텐 소스 가스의 공급량이 상기 하부 하지막을 형성하는 경우보다 많도록 해서 열화학 기상 증착법으로 형성한다.
Abstract translation: 根据本发明的半导体器件制造方法，层间绝缘膜形成在硅衬底上。 然后，在层间绝缘膜中形成沟槽。 通过热化学气相沉积形成由钨基材料制成的下底层，使得凹槽的底部和侧表面被覆盖。 通过热CVD在下基膜的整个区域上形成由钨基材料制成的上基膜。 由铜制成的铜膜嵌入凹槽中。 通过提供不同于钨的源气体的源气体，使得其他源气体的源气体大于钨的源气体，通过热化学气相沉积形成下层底膜。 上基膜通过热化学气相沉积形成，使得钨源气体的供应量大于形成下基膜时的供应量。
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公开(公告)号：KR1020060090676A
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020067006035
申请日：2004-09-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Inventor： 야마사키히데아키 , 마츠다츠카사 , 고미아츠시 , 하타노다츠오 , 다치바나,미츠히로 , 마츠자바고우메이 , 가와노유미코 , 레우싱크게르트제이. , 멕펠리펜톤알 , 말호트라산드라지 , 시몬앤드류에이치. , 유르카스존제이
IPC: H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: A method is provided for forming a metal layer on a substrate using an intermittent precursor gas flow process. The method includes exposing the substrate to a reducing gas while exposing the substrate to pulses of a metal-carbonyl precursor gas. The process is carried out until a metal layer with desired thickness is formed on the substrate. The metal layer can be formed on a substrate, or alternately, the metal layer can be formed on a metal nucleation layer.
Abstract translation: 提供了一种使用间歇式前体气体流动方法在基板上形成金属层的方法。 该方法包括将衬底暴露于还原气体，同时将衬底暴露于羰基金属前体气体的脉冲。 进行该过程，直到在基底上形成具有所需厚度的金属层。 金属层可以形成在基板上，或者可以在金属成核层上形成金属层。
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公开(公告)号：KR1020030083740A
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020037012079
申请日：2002-03-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L28/65 , C23C16/0218 , C23C16/0236 , C23C16/18 , C23C16/452 , C23C16/45523 , H01L21/3105 , H01L21/31612 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/90
Abstract: 본 발명에 따라, 반도체 기판(101)은 소정의 처리 용기에 배치되고, 예를 들어 플라즈마로의 전환에 의해 활성화된 산소 기체가 절연 막(108)에 공급된다. 인터레벨 절연 막(106) 및 절연 막(108)의 표면이 활성화 산소 기체에 노출된다. 이어서, CVD에 의해 루테늄 막(109)이 형성된다.
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