公开(公告)号：KR1020070113096A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：KR1020070001514

申请日：2007-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  부경대학교 산학협력단

Inventor： 이효산 ,  홍창기 ,  이근택 ,  한정남 ,  오정민 ,  심우관 ,  임권택 ,  황하수 ,  할디랄유바라즈 ,  정재목

IPC: H01L21/302

Abstract: An etching, cleaning and drying method using supercritical fluid is provided to eliminate etch byproducts while preventing a lower electrode from collapsing in a process for fabricating a capacitor constituting a memory cell of a DRAM device. A material is formed(S10). The material layer is etched by using supercritical carbon dioxide in which etching chemical is melted(S11). Etch byproducts generated from a reaction of the material layer and the etch chemical are eliminated by using supercritical carbon dioxide in which cleaning chemical is melted(S12). The process for etching the material layer and the process for removing the etch byproducts can be continuously performed in the same process chamber in a critical point of carbon dioxide or higher.

Abstract translation: 提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以消除蚀刻副产物，同时防止在用于制造构成DRAM器件的存储器单元的电容器的制造工艺中下电极塌缩。 形成材料（S10）。 通过使用其中蚀刻化学品熔化的超临界二氧化碳蚀刻材料层（S11）。 通过使用其中清洗化学品熔化的超临界二氧化碳来消除由材料层和蚀刻化学品的反应产生的蚀刻副产物（S12）。 用于蚀刻材料层的方法和用于除去蚀刻副产物的方法可以在二氧化碳或更高的临界点的相同处理室中连续进行。

公开(公告)号：KR1020070021629A

公开(公告)日：2007-02-23

申请号：KR1020050076103

申请日：2005-08-19

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택

IPC: C11D1/00 ,  C11D1/86 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: C11D1/86 ,  C11D1/004 ,  C11D1/008 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041

Abstract: 본 발명은 환경친화적인 이산화탄소에 적용 가능한 POEGMA((oligo(ethylene glycol)methacrylate))-PFOMA(perfluorooctylmethacrylate) 및 PDMAEMA((dimethyl amino)ethyl methacrylate))-PFOMA(perfluorooctylmethacrylate) 공중합체 계면활성제의 제조 및 이를 이용한 반도체 세정과 패턴 붕괴 방지에 관한 것이다. 상술한 계면활성제는 PFOMA성분으로 친이산화탄소(CO
2 philic) 특성을, POEGMA 또는 PDMAEMA성분으로 lypophilic함과 동시에 hydrophilic한 특성을 보유하므로 이산화탄소에 적용하여 세정력을 보다 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 본 발명에서는 친이산화탄소 성분과 소이산화탄소 성분이 포함된 공중합체를 ATRP(Atom Transfer Radical Polymerization), GTP(Group Transfer Polymerization) 또는 라디칼 중합을 이용하여 쉽게 제조된다. 이와 같은 본 발명의 계면활성제는 물을 흡수하는 성질이 좋아서, 액체 또는 초임계 이산화탄소와 함께 사용하여 각종 기판, 예컨대 반도체 기판, 마이크로 기전 복합소자(MEMs), 디스플레이 패널 또는 광전 소자(optoelectronic device) 등으로부터 오염물, 예컨대 물, 수용성 용매(현상액) 및 이온성 부산물을 제거하는데 효과적이며, 기판에 어떠한 손상도 주지 않는다. 따라서, 본 발명은 이산화탄소 유체를 이용하여 각종 전자 기판의 오염물을 제거하는데 유용한 본 발명의 POEGMA-PFOMA 또는 PDMAEMA-PFOMA 공중합체 계면활성제의 용도를 제공한다.
이산화탄소, 계면활성제, POEGMA-PFOMA, PDMAEMA-PFOMA, 반도체 세정

公开(公告)号：KR1020060059408A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020040098489

申请日：2004-11-29

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택

IPC: C07C319/02

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C07C323/52 ,  C11D3/3427 ,  C11D11/0041 ,  C11D11/0047

Abstract: 본 발명은 환경친화적인 초임계 이산화탄소를 이용한 금속 추출의 효율을 향상시키는데 유용한 새로운 타입의 티올 킬레이트제, 이의 제조방법 및 이 킬레이트제를 이용하여 각종 물질(예컨대, 고체, 액체, 슬러리, 반도체 기판, 전자 기판 등)로부터 이산화탄소를 이용한 금속 추출의 효율을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 상기 신규 킬레이트제로 사용된 화합물은 이산화탄소 친화성 유기화합물이 결합되어 있어, 초임계 이산화탄소 내에서 가용성 착물을 형성하여 다양한 물질로부터 금속의 제거를 가능하게 한다. 바람직한 구체예로서, 본 발명의 킬레이트화제는 선형과 분지형의 불소계 티올 및 탄화수소계 티올을 포함한다. 이러한 새로운 킬레이트제는 이산화탄소 유체내의 용해도를 높여 기존의 방법보다 짧은 시간에 금속의 추출을 가능하게 하는 간단하고 손쉬운 금속 추출 방법을 제공하는 바, 반도체 기판, 전자 기판 등 다양한 분야에서 실용적으로 사용 가능하게 하는데 그 효과가 있다. 본 방법은 생물학적으로 유해한 용매를 사용하지 않고, 환경 친화적인 방법을 제공한다. 또한 경제적이고 효과적인 공정을 제공하기 위해 초임계 유체는 재생될 수 있고, 금속은 회수될 수 있다.
초임계 이산화탄소, 티올 킬레이트제, 금속 추출, 불소, 유기화합물

公开(公告)号：KR102225650B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020190016257

申请日：2019-02-12

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택

IPC: A61L27/52 ,  A61L27/14 ,  A61L27/54 ,  A61F2/00 ,  A61K9/06 ,  A61K9/00 ,  A61K47/32 ,  A61K31/704 ,  C08L35/06 ,  C08K5/11 ,  C08J3/24 ,  C08J3/075

Abstract: 본발명은클릭화학을이용한주입형 PSMA 유도체하이드로겔, 이의제조방법및 이를이용한생체내 겔형성방법에관한것으로, 본발명의주입형 PSMA 하이드로겔은클릭화학반응을이용한가교를통해생체내 원하는위치에서하이드로겔형성이빠르게일어나는효과가있으며, 체내에서장시간안정성을유지하고우수한생체적합성을가져주름살개선을위한필러, 세포, 유전자, 단백질, 약물전달을위한캐리어로유용하게사용할수 있다.

公开(公告)号：KR102061004B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020170134311

申请日：2017-10-17

Applicant: 세메스 주식회사 ,  부경대학교 산학협력단

Inventor： 최해원 ,  최기훈 ,  강기문 ,  커랴킨 ,  허찬영 ,  이재성 ,  정지수 ,  임권택 ,  김용훈 ,  이상호

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR1020170071673A

公开(公告)日：2017-06-26

申请号：KR1020150179326

申请日：2015-12-15

Applicant: 주식회사 대미 ,  부경대학교 산학협력단

Inventor： 김하수 ,  임권택 ,  조익술

IPC: C09J175/04 ,  C09J11/08 ,  C09J133/08

Abstract: 본발명은온도감응반응형수용성접착제에관한것으로, 온도에감응하여접착력향상은물론내수성을부여하는반응을할 수있는블록화된이소시아네이트화합물을포함하는 1액형수용성접착제에관한것이다. 본발명의온도감응반응형수용성접착제는비극성특징을가진기재와극성특징을가진기재를접착할수 있는양친성(극성/무극성)을가진접착제에관한것이다. 본발명의온도감응반응형수용성접착제의구성은온도에감응하여반응할 수있는블록화된이소시아네이트제제에변성폴리올레핀(modified polyolefin)과수용성폴리우레탄수지(water based polyurethane resin)와아크릴산고무유액(acrylate rubber latex)과기타첨가제를혼합한조성물이다. 본발명의특징은기존수용성접착제가가지는내수성문제를해결할수 있는장점과그 내수성을확보하는방법외에접착력을강화시키는방법을제공하는것이다.

公开(公告)号：KR101701203B1

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020140140036

申请日：2014-10-16

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택

IPC: A61K47/48 ,  A61K9/16 ,  A61K9/00

Abstract: 본발명은초임계이산화탄소를이용한퍼아세틸레이티드사이클로덱스트린및 약물의포접체초미립자및 이의제조방법에관한것이다. 또한, 본발명은상기포접체초미립자를포함하는경구용약제조성물에관한것이다. 본발명에따른포접체초미립자는, 초임계이산화탄소내의퍼아세틸레이티드사이클로덱스트린(PAc-CD) 및약물의혼합물을모세관노즐을통하여대기상또는용액상으로방출하여제조됨으로써, 간단하고, 경제적방법으로포접체초미립자을제조할수 있고, 상기포접체초미립자는포접율및 분산성이우수하여경구용조성물로이용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及过乙酰化环糊精（PAc-CD）的包合物与使用超临界二氧化碳的药物的超细颗粒及其制备方法。 此外，本发明涉及包含所述包合物的超细颗粒的口服药物组合物。 根据本发明的包合络合物的超细颗粒通过将超临界二氧化碳中的PAc-CD和药物的混合物通过毛细管喷嘴释放到气相或溶液相来制备。 因此，可以用简单且成本有效的方法制备包合物的超微粒子。 此外，包合络合物的超微粒子具有优异的包合率和优异的分散性，因此可以用作口腔用组合物。

公开(公告)号：KR1020110032648A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020090090242

申请日：2009-09-23

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택 ,  정재목

IPC: H01L21/3105

Abstract: PURPOSE: A method of improving a restoration performance of a porous film with dielectric constant which has low damage from plasma is provided to induce a uniform reaction of a whole of a porous low dielectric film by using a supercritical carbon dioxide reactor. CONSTITUTION: In a method of improving a restoration performance of a porous film with dielectric constant which has low damage from plasma, a pure supercritical carbon dioxide is inserted into a reactor(5). A silylating agent is inserted by 1 weight% in comparison to the carbon dioxide comparison through chemicals loop of 6- port valve(3). The silylating agent is loaded into a reactor through the chemicals loop. An ultrasonic wave is applied for 10 second to 10 minutes as a pulse or continuously by the ultrasonic unit(108). If the ultrasonic unit is operated, a silylation reaction occurs in the state applying the ultrasonic wave for a reaction time. Non-reactive silylating agents are exhausted outside of the reactor with the carbon dioxide.

Abstract translation: 目的：提供一种提高具有低等离子体损伤的介电常数的多孔膜的恢复性能的方法，以通过使用超临界二氧化碳反应器来诱导整个多孔低电介质膜的均匀反应。 构成：在提高具有低等离子体损伤的介电常数的多孔膜的恢复性能的方法中，将纯超临界二氧化碳插入反应器（5）中。 与通过6-端口阀（3）的化学品回路的二氧化碳比较相比，甲硅烷基化剂被插入1重量％。 甲硅烷基化剂通过化学品循环装载到反应器中。 超声波作为脉冲施加10秒〜10分钟，或者通过超声波单元（108）连续施加。 如果操作超声波单元，则在施加超声波的反应时间的状态下发生甲硅烷基化反应。 非反应性甲硅烷基化剂用二氧化碳在反应器外排出。

公开(公告)号：KR101003206B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020080048349

申请日：2008-05-26

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택 ,  이민영 ,  김승호

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B7/0021 ,  B08B3/12 ,  B08B5/023 ,  G03F7/423 ,  G03F7/428 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 환경친화적인 초임계이산화탄소 내에서 고이온주입된 포토레지스트를 효과적으로 제거하는데 유용한 초음파 세정 시스템에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 초음파 장비를 고압 반응기 내부에 장착하고 두 개 이상이거나 웨이퍼 전면에 균일하게 처리될 수 있는 단면적의 초음파 혼으로 구성되어 초음파가 상기 고압 반응기 내부에서 중첩되고 세정조 내에 있는 피세정물인 지지체 표면에 고르게 분포되어, 지지체 표면의 미세 패턴에 손상을 최소한으로 줄이고 고이온주입된 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 초임계이산화탄소 내에서 초음파 장치를 이용한 초음파 세정 시스템 장치에 관한 것이다.
초임계이산화탄소, 초음파, 혼, 패턴 세정, 고이온주입된 포토레지스트

公开(公告)号：KR1020090025689A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070090730

申请日：2007-09-07

Applicant: 부경대학교 산학협력단

Inventor： 임권택 ,  김준호 ,  김승호 ,  이민영 ,  조중근 ,  김현효

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/063 ,  C07D305/14 ,  C30B29/406 ,  G03F7/30 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133

Abstract: A method for removing photoresist is provided to remove the photoresist injected with high ion from a substrate in supercritical carbon dioxide by using co-solvent and additives without an oxygen plasma ashing process. A method for removing photoresist injected with high ion from a substrate in supercritical carbon dioxide by using co-solvent and additives comprises the steps of (i) mounting a wafer having photoresist injected with high ion on a reaction container; (ii) after adding carbon dioxide, co-solvent and additives which have the temperature of 30-150 °C and the pressure of 2000-5000 psi to the reaction container, and removing the photoresist injected with high ion by contacting the materials with a wafer; (iii) separating carbon dioxide, co-solvent and additive from the reaction container; (iv) rinsing the top of wafer by using pure supercritical carbon dioxide; and (v) removing the pure supercritical carbon dioxide from the reaction container of high pressure and separating the wafer from which the photoresist injected with high ion is removed.

Abstract translation: 提供了一种去除光致抗蚀剂的方法，通过使用不含氧等离子体灰化过程的助溶剂和添加剂，在超临界二氧化碳中从基板上注入高离子的光致抗蚀剂。 通过使用助溶剂和添加剂在超临界二氧化碳中从基底去除高离子注入的方法包括以下步骤：（i）将具有高离子注入的光致抗蚀剂的晶片安装在反应容器上; （ii）向反应容器中加入温度为30-150℃，压力为2000-5000psi的二氧化碳，助溶剂和添加剂，并通过将材料与 晶片; （iii）从反应容器中分离二氧化碳，助溶剂和添加剂; （iv）使用纯超临界二氧化碳冲洗晶片顶部; 和（v）从高压反应容器中除去纯超临界二氧化碳，并分离从其中去除注入高离子的光致抗蚀剂的晶片。