Abstract:
PURPOSE: A donor substrate for LITI(Laser Induced Thermal Imaging), a manufacturing method thereof, and a method for manufacturing an organic light emitting display device using the same are provided to prevent the deterioration of a device due to the contamination of a light emitting layer or organic layer by performing the LITI in a vacuum state. CONSTITUTION: A donor substrate for LITI includes a base film(100), a light-heat conversion layer(102), a transfer layer(105), and a protective film(150). The light-heat conversion layer is formed on a base film. A transfer layer is formed on the light-heat conversion layer. A protective film is formed on the base film including the transfer layer. The edge of the protective film is attached to the edge of the base film to make an envelope shape. The protective film is a vacuum packaging film.
Abstract:
본원발명은 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 반도체층, 게이트 전극, 게이트 절연막, 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터를 포함한 기판 전면에 걸쳐 위치하는 보호막; 상기 보호막 상에 위치하는 평탄화막; 상기 평탄화막 상에 위치하며, 상기 소스/드레인 전극의 일부와 연결되는 제 1 전극; 상기 기판 전면에 위치하며, 도전영역과 비도전영역을 포함하는 금속혼합막; 및 상기 제 1 막상에 위치하는 유기발광층 및 제 2 전극을 포함는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다. 또한, 기판을 제공하고; 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고; 상기 버퍼층 상에 반도체층을 형성하고; 상기 반도체층 상에 게이트 절연막을 형성하고; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하고; 상기 기판 전면에 걸쳐 층간 절연막을 형성하고; 상기 층간절연막 상에 위치하며 상기 반도체층과 연결되는 소스/드레인 전극을 형성하고; 상시 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하고; 상기 보호막 상에 평탄화막을 형성하고; 상기 평탄화막 상에 상기 소스/드레인 전극과 연결되는 제 1 전극을 형성하고; 상기 제 1 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 금속혼합막을 형성하고; 상기 금속혼합막의 일부분에 레이저를 조사하여 신터링하여 도전영역과 비도전영역을 형성하고; 상기 기판 상에 유기발광층을 형성하고; 상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법에 관한 것 이다. 유기전계발광표시장치, 레이저 열 전사법
Abstract:
본 발명은 적어도 두 개의 평판 표시패널로 구성된 멀티 비전 디스플레이에 관한 것이다. 본 발명의 멀티 비전 디스플레이는, 일 영역이 서로 중첩되도록 배열되는 제1 및 제2 표시패널들을 포함하며, 상기 제1 및 제2 표시패널들 각각은 화소영역과 상기 화소영역 주변의 비화소영역에 실장되어 상기 화소영역으로 구동신호를 공급하는 구동회로를 포함하고, 상기 구동회로는 상기 제1 및 제2 표시패널들 각각에서 상기 제1 및 제2 표시패널들이 중첩되는 영역과 대향되는 반대편 가장자리 영역에 위치됨을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: An organic light emitting device and a fabricating method of the same are provided to increase production yield by reducing an error due to edge open and reducing a process. CONSTITUTION: An organic light emitting device is composed of a substrate(100), a thin film transistor, a protective film(170), a planarized film(175), a first electrode, a metal mixing film(190), a e organic light-emitting layer(195), and a second electrode(200). The thin film transistor is located on the surface the substrate, and the thin film transistor includes a semiconductor layer(120), a gate electrode(140), a gate insulating layer(130), and source / drain electrodes(160a,160b). The protective film is positioned over the substrate including the thin film transistor. The planarized film is located on the surface the protective film.
Abstract:
A multivision display is provided to partially overlap first and second neighboring display panels, thereby minimizing separation of images displayed on the display panels. First and second display panels(100,200) are arrayed so that each one area is overlapped together. The first and second display panels are individually mounted on a pixel area and a non-pixel area around the pixel area, and supply driving signals to the pixel area. An opposite edge area is opposing an area where the first and second display panels are overlapped together, in each of the first and second display panels. Each of the first and second display panels includes wires that connect a driving circuit with the pixel area.
Abstract:
A thin film transistor, method of the thin film transistor, organic light emitting device, the fabricating method of the organic light emitting device and doner film for laser induced thermal imaging are provided to prevent the voltage drop by forming the wiring with metal particle and black carbon. The buffer layer is located on the surface of substrate. The semiconductor layer(120) is positioned on the buffer layer. The gate electrode(140) is located on the semiconductor layer. The semiconductor layer and gate electrode are insulated by the gate insulating layer. The source / drain electrodes(160a,160b) are connected to the semiconductor layer. The gate electrode and source / drain electrode are insulated by the interlayer insulating film. One of the gate electrode and the source / drain electrode is made of organic carbide and metal nanoparticle.
Abstract:
An etching method and a method for manufacturing a TFT using the same are provided to etch easily an upper layer without the damage of a lower layer by reducing gradually the intensity of a laser beam using an attenuator. An object is selectively etched by irradiating a laser beam many times. At this time, the intensity of the laser beam is gradually decreased. The laser beam is controlled by using an attenuator, wherein the attenuator is arranged on a path of the laser beam. The attenuator is used for attenuating the laser beam. The object is composed of a semiconductor layer. The semiconductor layer is made of an organic material.
Abstract:
본 발명은 용이하고 균일하게 반도체층을 패터닝하면서도 패터닝 단계에서 그 하부의 층이 손상되지 않도록 할 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법을 위하여, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 서로 이격된 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 접하도록 반도체층을 형성하는 단계, 그리고 마스크를 이용하여 상기 반도체층에 레이저 빔을 조사하여 상기 반도체층에 그루브를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
공정의 효율성을 향상하고 콘트라스트를 향상할 수 있도록, 본 발명은 기판, 상기 기판상에 형성되고 유기 발광 소자를 구비하는 표시부, 상기 표시부를 봉지하도록 상기 표시부상에 형성되는 봉지층, 상기 봉지층상에 형성되는 컬러 필터층, 상기 컬러 필터층상에 형성되는 보호층 및 상기 보호층 상에 형성되는 블랙 매트릭스를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.